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【精彩论文】封装寄生参数对并联IGBT芯片瞬态电流分布的影响规律
引文信息
石浩, 吴鹏飞, 唐新灵, 等. 封装寄生参数对并联IGBT芯片瞬态电流分布的影响规律[J]. 中国电力, 2019, 52(8): 16-25.SHI Hao, WU Pengfei, TANG Xinling, et al. Influence of Package Parasitic Parameters on Transient Current Distribution of Paralleled IGBT Chips[J]. Electric Power, 2019, 52(8): 16-25.
内容摘要
大功率IGBT器件通过并联多个IGBT芯片来获得大电流等级，并联芯片动静态电流分布的一致性对于提高器件电流等级以及可靠性至关重要。首先介绍了大功率IGBT模块内部布局不一致导致的封装寄生参数差异性。其次，结合IGBT等效电路模型及其开关特性，分析了寄生参数差异性对于并联IGBT芯片瞬态电流分布特性的影响规律。最后，建立了并联IGBT芯片的等效电路模型，并应用Synopsys Saber软件建立了仿真电路，从封装寄生电感参数差异性、封装寄生电阻参数差异性，分析了参数差异对并联芯片的瞬态电流分布特性的影响。
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编辑：杨彪
审核：蒋东方
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