【精彩论文】3 300V SiC SBD嵌入式MOSFET研制

观点凝练

摘要：研制了一种3 300 V 碳化硅（silicon carbide，SiC） 肖特基二极管（schottky barrier diodes，SBD）嵌入式金属-氧化物半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field effect transistors，MOSFET），即在传统MOSFET结构中集成一个由钛形成的肖特基接触。在芯片制造过程中，通过增加Ni退火后的表面处理工艺，使得栅源短路失效率降低约58%。研究发现，当二极管电流密度JSD=100 A/cm²时，嵌入式二极管电压降VSD（SBD）=2.1 V，寄生二极管的开启电压约为8 V，这说明嵌入式SBD可以抑制MOSFET寄生二极管开启，降低碳化硅MOSFET“双极退化”风险。另外，该芯片的阈值电压为3.05 V，比导通电阻和阻断电压分别为18.9 mΩ·cm²和3 955 V，在高压轨交市场具有广阔的应用前景。

引文信息

刘国友, 罗海辉, 李诚瞻, 等. 3 300V SiC SBD嵌入式MOSFET研制[J]. 中国电力, 2021, 54(12): 81-85, 93.LIU Guoyou, LUO Haihui, LI Chenzhan, et al. R&d of 3 300V SiC MOSFET with embedded sbd[J]. Electric Power, 2021, 54(12): 81-85, 93.欢迎点击文后“阅读原文”跳转期刊官网，获取更多信息！

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编辑：杨彪

校对：蒋东方

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