受华为事件影响！美光、SK海力士推迟投产计划

硬姐芯头条 2021-01-18

近日，据日刊工业新闻报导，由于美国对华为的禁令，美光延迟了在日本广岛的新厂投资计划，SK海力士也推迟无锡二工厂投产计划。

美光延缓新厂投资计划

据了解，美光位于日本广岛的DRAM 工厂（Fab 15）采用最先进的制程技术，该厂最新的生产厂房B栋也于本月初落成启用，其无尘室较原先扩张了10%，并计划进行新一代DRAM 的生产，以缩小与三星的差距。

从今年第一季度来看，三星占据了DRAM市场42.7%的份额，海力士以29.9%排在第二，美光则以23%位列第三。

美光的广岛工厂实际上是在2013年买下尔必达后纳入麾下的，原计划在今年中期在该厂展开1Z nm制程的下一代DRAM 生产，不过据传该厂已动工的F栋厂房部分扩建已经向后推迟了7个月。

美光原本表示在今后数年，将于广岛工厂投资数十亿美元，然而在中美贸易战的影响下，其投资计划将做出相应调整。

SK海力士无锡二工厂推迟投产计划

据韩国《The Investor》报道，由于DRAM内存芯片价格不断下跌，近期又有华为事件的影响，SK海力士正在计划推迟位于中国无锡的全球最先进内存芯片工厂的投产计划。

该报道还指出，SK海力士去年在中国的销售额为15.8万亿韩元，占其全部收入的近40％，特别是华为占据了12％。据报道，一位不愿透露姓名的业内消息人士暗示，项目推迟与华为技术等中国合作伙伴的内存芯片需求下降有关。

今年4月18日，SK海力士无锡二工厂（C2F）举行了竣工仪式。二工厂是在原有DRAM生产线C2的基础上实施的扩建工程。二工厂项目全部建成后，SK海力士无锡工厂将形成月产18万片12英寸晶圆的产能，年销售额也计划达到33亿美元。

SK海力士二工厂项目于2017年10月签约，总投资86亿美元，其中16亿美元用于新建33000平米洁净厂房及其附属配套设施、70亿美元用于购买全球最先进的半导体生产设备，项目建设期限为2017年到2026年。

目前，SK海力士占有中国DRAM市场约35%，待二工厂项目全部建成投产后SK海力士将占有超过45%的中国DRAM市场份额，成为全球单体投资规模最大、月产能最大、技术最先进的10纳米级DRAM产品生产基地。

而对于SK海力士而言，无锡高新区在线报道指出，无锡工厂将承担SK海力士存储半导体生产总量的一半份额。