真茂佳推出20款USB PD快充专用MOSFET，内置ESD保护

Original 充电头网编辑部充电头网 2020-08-24

展会提醒：2019（秋季） USB PD＆Type-C亚洲展

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真茂佳半导体将在8月23日参加2019（秋季） USB PD＆Type-C亚洲展，展位设在F01，需要了解快充MOSFET等相关器件的观众可在展会当天前往F01展台进一步交流。

深圳真茂佳半导体有限公司是一家以技术、市场为导向技术领先的功率半导体设计公司。公司创始团队拥有20年以上的功率半导体行业经验，并曾担任国内IDM企业高管。

公司设计团队来自国内外顶尖功率半导体IDM企业的核心设计人员，并拥有至少15年以上设计经验；其中海外设计人员长期从事汽车级MOSFET产品的设计开发，也是少数最早参与车用Trench MOSFET和Double gate MOSFET的设计人员之一。

真茂佳半导体利用自己的行业经验和对行业的深入理解将深耕功率半导体领域。目前公司专注于高性能、高性价比的中低压和高压MOSFET设计开发。公司中低压MOS涵盖N型和P型，反压覆盖-100至200V，导通电阻低至1mR以下。

针对电源领域尤其是PD电源和快充领域公司主推SpeedFET系列产品，该系列产品击穿电压40V-150V、导通2-15mR、驱动电压均支持4.5V，有比肩世界一流产品的优值（Qg*Rdson、Qgd*Rdson）和比导通电阻（Rdson*Area）。通过栅极自钳位专利技术，使得器件使用过程中产生的VGS尖峰电压实现了行业最低水平；通过屏蔽栅阻尼网络专利技术可以使器件使用过程的Vds尖峰控制在较低水平；通过优化器件的纵向掺杂分布使器件的电容曲线平滑，有效提升了EMI能力。

针对同步整流应用，优化了寄生二极管的反向恢复特性，通过提高二极管的软恢复因子，可以有效抑制尖峰提升EMI能力。

公司针对PD电源和快充领域主推650-700V高压MOS，器件使用业内领先的超结技术，同样实现了业内领先的优值（Qg*Rdson）和比导通电阻（Rdson*Area）。为了提升器件可靠性，器件集成了ESD保护功能，有效减少了外部干扰对器件的损害，提升了器件装配和使用过程中的可靠性。

同时器件集成可调Rg电阻能够有效控制器件的开关速度，解决了超结器件使用过程中经常遇到的EMI问题。通过优化漂移区N和P柱的掺杂分布实现了高EAS特性，有效提升了器件的抗冲击能力。

关于展会

2019（秋季） USB PD＆Type-C亚洲展是充电头网发起的一项推广快充产业的活动，目前已经连续举办第9届。

这是2019年规模最大的USB PD＆Type-C行业展会，汇聚近百家产业链优质供应商、服务商，以及上千家采购商。

本次展会邀请了GaN氮化镓领域技术专家介绍基于USB PD快充的小型化、轻薄化设计，并现场展示多款应用案例。

拥有最新USB PD快充应用案例现场展示，覆盖充电器、充电宝、车充、充电线等上百款热门爆款方案。

展会报名地址：点击文末【阅读原文】

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2019（秋季） USB PD＆Type-C亚洲展