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随着4G网络普及、5G时代的到来,手机的电池容量越来越大,以便满足移动互联网等各种应用高耗能的需求。使用传统充电技术,充电时间越来越长,无法满足日常所需。快充技术应运而生,可以让人们利用碎片时间迅速使电量恢复,逐渐成为越来越多手机的标配。
快充有两种不同的技术路线:高压小电流快充和低压大电流快充。高压快充的代表是高通。高通在2014年前后率先推出的QC2.0将充电电压从传统的5V提高到9V/12V,充电功率提高到18W。然而,高压快充存在一个难以克服的不足-充电IC发热严重。适配器输出的9V/12V电压进入手机后会被手机内部的buck charger进行二次降压再给电池充电,传统的buck变换器由于在高压输入条件下转换效率低,造成芯片发热非常严重,功率无法进一步提升。
低压直充的技术路线代表是OPPO和HUAWEI。OPPO在2014年推出了VOOC闪充22.5W(5V/4.5A)低压快充技术。由于低压快充不需要中间级的电压变换,实现真正适配器给电池“直充”,所以很好地解决了充电IC发热的问题。然而,为了解决Micro USB接口通流能力小、传统充电线材电阻大等问题,低压快充需要专门定制充电接口和充电线,成本高于高压快充方案。
电荷泵是一种无电感式DC-DC转换器,利用电容作为储能元件来进行电压电流的变换。半压电荷泵(2:1 charge pump))可以实现输出电压减半、输出电流加倍,同时转换效率可以达到97%以上,远高于普通的充电IC,从而很好地解决了高压快充时充电IC发热的问题。此外,由于电荷泵可以天然实现输入电流是输出电流一半的效果,所以相对于低压直充方案,线材和接口的成本可以大大降低。可见,电荷泵快充可以完美化解高压和大电流之间的矛盾,突破手机快充的极限。
SC8551是南芯针对手机快充市场最新推出的电荷泵快充IC。作为国内首款高压电荷泵快充IC,SC8551还开创实现了高压快充和低压直充双模式充电功能。SC8551采用56pin的CSP封装,芯片尺寸为3.32mm*3.35mm。图1为SC8551的典型应用图,在充电过程中,SC8551作为主从充电架构中的从充电IC,在手机进入快充阶段后开始工作,其主要特点如下:
1、双模式:具有电荷泵2:1降压充电和bypass充电两种模式2、效率高:在6A以上充电电流条件下相较于国外的同类产品效率提高0.4%
SC8551同时支持电荷泵2:1降压充电模式和低压直充模式。如图2(a)所示,当工作在电荷泵充电模式时,芯片内部开关管Q1-Q8始终处于交替开关的状态,外围的飞电容CFLY1/2处于交替充放电的状态,将输入适配器的能量搬移到电池中。稳态工作时,输入电压略高于两倍电池电压,充电电流最大可以支持到8A。当SC8551工作在bypass模式时,如图2(b)所示,芯片内部开关管Q1/Q2/Q5/Q6始终导通,开关管Q3/Q4/Q7/Q8始终关闭。此时相当于适配器经过几个串并联的开关管直接给电池充电,只要从VBUS到VOUT的等效电阻足够小,芯片的温升就可以控制地很低。SC8551在bypass模式下支持的最大充电电流为6A。考虑到电荷泵快充IC的应用主要是在大电流情况下,所以SC8551重点优化了6A以上充电电流的效率。相较于国外同类产品,重载下的效率提高了0.4%左右。图3为SC8551在不同频率下的效率曲线,从图中可以看出,即使充电电流达到8A,SC8551的充电效率依然在96%以上。图4为SC8551在bypass模式下从VBUS到VOUT的等效导通电阻曲线。从图中可以看出,等效电阻约为18mohm。随着充电电流增大,等效电阻略有增加。图4. SC8551工作在bypass模式下的导通电阻曲线图5为SC8551工作在不同模式下的温升示意图。图5(a)为电荷泵模式下8A充电电流时的温升示意图。从图中可以看出,芯片表面的温升大约为59.6-25=34.6℃(环境温度约为25℃)。 图5(b)为低压直充模式下6A充电电流时的温升示意图,芯片表面的温升大约为44.5-25=19.5℃。(a)电荷泵模式,VBAT=4.4V,IBAT=8A(b)低压直充模式,VBAT=4.4V,IBAT=6ASC8551内部集成了26重不同的保护机制,以确保充电过程安全可靠。保护机制可以分为三类:12重系统级保护、7重电荷泵相关保护以及7重系统级报警。其中,系统级保护和电荷泵相关保护触发后,SC8551会停止充电,同时出INT中断。系统级报警触发后,同样会出INT中断,但是充电不会停止。
SC8551是国内首款高压电荷泵快充IC,兼容电荷泵快充和低压直充功能。其在电荷泵快充模式下的最大充电电流达到8A,在低压直充模式下的电流达到6A。凭借优异的重载效率表现以及全方位的保护机制,使得SC8551非常适合应用在手机大功率充电方案中。
上海南芯半导体科技有限公司,于2015年底成立于上海浦东张江高科技园区。南芯的初创团队来自Texas Instruments ,拥有10年以上行业经验,深耕电源领域,搭档多年,配合默契。随着公司发展,南芯持续引进优秀人才,打造高质量的研发团队,目前拥有来自德州仪器、凌特、立锜、ADI、Rohm、O2等知名半导体公司的研发团队,并秉承不断创新的产品文化,致力于为业内提供高性能、高品质与高经济效益的IC解决方案。
南芯在快速充电和电源管理芯片领域的研发上一直领军国内同行,曾经推出了业界首颗buck-boost升降压电池充电管理IC,可以实现2.7~40V范围内高达100W功率的双向智能充放电,高效支持USB PD大功率充放电应用,显著降低充电所需时间,可以广泛应用于智能手机、PAD、电视、笔记本、汽车等消费电子品和充电外设产品。南芯目前又推出国内首款兼容电荷泵快充和低压直充的充电IC。南芯的IC产品凭借其优秀的性能,已在华为、三星、小米、Anker等国内外知名品牌的产品中频频亮相,销售额持续快速增长。
2018年1月,南芯半导体宣布完成数千万人民币的A轮融资。2019年4月,南芯半导体再次宣布完成近亿元人民币的B轮融资,并由上海集成电路产业基金领投。南芯不断探索研发高端芯片,具有很强的先发优势,是国产模拟芯片替代浪潮中的开拓者,并凭借其扎实的技术和经验积累,建立了技术领先、品质优异、产品性价比高的“高端中国芯”的领军品牌形象。 // 充电头网《编辑推荐》必看文章
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