又小又薄,新型快充专用小体积碳化硅问市!
随着氮化镓快充的发展,大功率多口快充开始普及,100W、120W的快充已经陆续上市,满足消费者多口大功率充电需求,填补市场空白。大功率快充内部需要使用PFC电路来进行功率因数校正,抑制对电网的干扰。
充电器中通常使用主动PFC电路,通过电感Boost电路升压,二极管整流来实现功率因数校正。为了做到小体积大功率输出,PFC电路也采用了氮化镓开关管以提升工作频率,来减小磁性元件的体积。
快恢复二极管的反向恢复时间较长,开关损耗较大,无法满足小体积的高频应用。而碳化硅二极管没有反向恢复电流,非常适合高频下整流应用,配合现在已经广泛应用的氮化镓开关管,强强联合,提高频率降低损耗,从而减小磁性元件体积,提高充电器功率密度。
美浦森针对氮化镓大功率多口快充充电器PFC整流应用,推出了三款不同封装的碳化硅二极管。值得一提的是,美浦森碳化硅二极管已经在大功率快充中大量应用,如MOMAX和REMAX等品牌。
美浦森三款碳化硅二极管封装大小的直观对比,TO252占板面积最大,DFN8*8次之,DFN5*6最小。
首先是时下热门的DFN5*6封装的MSM06065G1碳化硅二极管。
MSM06065G1碳化硅二极管采用DFN5*6封装,超薄封装节省体积,适用于超高功率密度的大功率氮化镓适配器中。
MSM06065G1碳化硅二极管耐压650V,150℃连续正向电流6A,工作温度范围-55到175℃,正向压降1.3V,并具有正温度系数特性,可直接并联使用。可应用于开关电源,功率因数校正,马达驱动和氙气灯照明应用。
下一款是DFN8*8封装的MSL06065G1碳化硅二极管。
MSL06065G1碳化硅二极管采用DFN8*8封装,超薄封装节省体积,大面积散热焊盘可增强散热能力,适用于不是极致追求功率密度的大功率氮化镓适配器中。
MSL06065G1碳化硅二极管耐压650V,150℃连续正向电流6A,工作温度范围-55到175℃,正向压降1.4V,并具有正温度系数特性,可直接并联使用。可应用于开关电源,功率因数校正,马达驱动和氙气灯照明应用。
最后是TO-252封装的MSD04065G1碳化硅二极管。
MSD04065G1碳化硅二极管采用TO-252封装,封装较高,适合于功率密度要求不高的电源中使用。
MSD04065G1碳化硅二极管耐压650V,150℃连续正向电流4.8A,工作温度范围-55到175℃,正向压降1.45V,并具有正温度系数特性,可直接并联使用。可应用于开关电源,功率因数校正,马达驱动和氙气灯照明应用。
充电头网总结
碳化硅二极管具有更高的过电压安全裕量,可提升全功率条件下的效率,相比硅二极管提高效率,降低散热需求,并联器件不会导致热失控,并且几乎没有开关损耗。以上这些优势成就了碳化硅二极管的广泛应用,并逐步取代传统快恢复二极管。
第三代半导体的性能毋庸置疑,在功率密度还是开关频率方面都大大超越常规硅器件,美浦森的碳化硅二极管在充电器内应用,可提高充电器工作频率,减小体积,提高效率提高功率密度,增强充电器产品的竞争力,并且,碳化硅器件的高耐热和高可靠性还提高了充电器的可靠性。
峰会预告
7月30日,,届时将有多家氮化镓、碳化硅快充芯片原厂及快充产业链配套企业出席,共同探讨第三代半导体快充发展新趋势。
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