镓驭功率电子未来！珠海镓未来科技发布三款快充专用GaN功率器件

珠海镓未来科技是国内领先的氮化镓功率器件生产企业，致力于Cascode结构氮化镓产品的研发和生产，该结构结合了硅器件的易用性和氮化镓器件的高频率高效率的特点，可以实现高达10千瓦的高功率密度电源解决方案。

最近，镓未来针对于快充应用，推出三款小尺寸贴片cascode氮化镓器件----G1N65R480PA, G1N65R240PB和G1N65R150PB, 内阻分别为480mohm、240mohm和150mohm。以其强壮的抗干扰能力和简易的驱动方式，助力用户实现简洁高效的氮化镓快充设计。

更高栅极耐压，从容应对多种控制器方案

相别于普通增强型氮化镓功率器件不超过7.5V的栅极耐压，G1N65R480PA, G1N65R240PB和G1N65R150PB的栅极可以耐受的极限电压为20V，这就可以兼容用于驱动超结器件的控制器。这些控制器的驱动电压通常为12V，如果用于驱动普通增强型氮化镓器件，需要增加分压阻容网络和钳位齐纳二极管,驱动线路多达8个器件。而采用镓未来的氮化镓器件，驱动线路仅需3个电阻及一个二极管，与传统硅超结器件相同，简洁的外围电路有效降低了占用的PCB面积，特别适合小尺寸的快充设计。

更高阈值电压，避免误导通

普通增强型氮化镓的阈值电压通常不超过1.7V，这与硅超结器件（典型值一般在3V左右）相比，其抗噪声干扰能力降低，增加了误导通的风险了。因此产品封装和Layout处理起来相对比较麻烦，需要尽可能减少源极寄生电感的影响。镓未来科技将开通阈值电压提高到了2.2V, 可以有效降低栅极噪声带来的误导通风险，电源产品设计更为容易。对于更大功率的应用，镓未来可以通过内置硅管工艺的调整，将阈值电压设定到3V，以兼容硅超结器件的驱动。

更低动态电阻，提高转换效率

在高压应用中，尽管氮化镓器件可以大大降低开关损耗，但存在一个对导通损耗不利的特性，称为动态内阻。从高压阻断状态变化成导通状态后的一小段时间，氮化镓器件不能立刻工作到长时间导通的内阻状态（静态内阻），此时的阻值高于静态内阻。普通增强型氮化镓器件比静态上浮30%左右，设计高频充电器的时候需额外留出该导通损耗的裕量。镓未来科技采用特殊工艺，将动态内阻上浮控制在10%以内，降低了导通损耗，提高了转换效率。

目前这三款产品已经量产，并且G1N65R240PB 在客户20V3.25A产品上实现了高达94%的输出转换效率。另外采用单颗G1N65R240PB加两颗G1N65R480PA的组合可以实现120W PFC+LLC的解决方案，最高效率可达95.9%；130W~200W推荐使用G1N65R150PB作为PFC开关管，可以有效降低导通损耗。

关于镓未来

珠海镓未来科技有限公司是专注于第三代半导体GaN-on-Si器件技术创新研发与应用的高端氮化镓功率器件设计制造商，核心团队由IEEE Fellow 吴毅锋博士领衔，深港微电子学院创始人及前华为海思化合物半导体创始成员组成，具有成熟的产业化研发和市场运营经验。镓未来致力于为业界提供从30W到10KW的氮化镓器件及系统解决方案，并可实现10KW和900V氮化镓器件的量产。目前，镓未来已完成多轮融资，投资方包括境成资本、珠海科创投、大横琴集团等，融资金额过亿。未来，镓未来将通过核心技术自研+全产业链的布局，推动高端氮化镓功率器件大规模产业化应用。

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镓未来还参加了7月30日充电头网主办的，展位号A08-A09，欢迎莅临展位洽谈。

峰会预告

7月30日，，届时将有多家氮化镓、碳化硅快充芯片原厂及快充产业链配套企业出席，共同探讨第三代半导体快充发展新趋势。

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