PI推出15款合封氮化镓芯片，高度集成体积小巧，获数百款快充采用

氮化镓功率器件凭借于高频、高效的产品特性，在消费类快充电源产品中有着广泛的应用，尤其用于45W及以上的快充电源产品中，小体积、低发热等优势极为明显，获得了消费者高度认可。随着各大手机和笔电厂商相继入局，氮化镓快充已经逐渐成为一种行业趋势。

PI推出多款氮化镓电源芯片

Power Integrations是一家专注于半导体领域高压功率变换的技术创新型公司，在高集成电源芯片市场有着深厚的技术积累，其产品线覆盖了AC-DC电源芯片、LED驱动器、栅极驱动器、电机驱动器以及汽车电子解决方案。

根据统计表格可以看到，针对消费类快充电源市场的应用需求，PI已经推出了多个系列的氮化镓功率芯片。并拥有准谐振反激QR架构以及有源钳位ACF架构两种类型，对应的输出功率也有所差异，电源厂商可以根据实际需求进行选择。

其中InnoSwitch3-CP系列包含了5款氮化镓电源芯片，均采用QR架构设计，可以满足55W-75W的USB PD快充电源设计需求。InnoSwitch3-Pro系列包含了三款芯片，相比CP系列而言，Pro系列还支持PPS快充电源应用。

InnoSwitch4-CZ系列是PI最新推出的氮化镓主控芯片，基于高频ACF架构开发，该芯片需搭配ClampZero系列芯片使用，由两颗芯片來组成ACF架构与零电压开关电源，最大工作频率提升至175kHz，效率最高可达95%，适用于更高功率密度的快充电源应用。

除了常规的氮化镓功率芯片之外，PI还可根据客户的需求定制料号，从充电头网目前的拆解报告可见，PI已经为客户推出了两款定制的氮化镓芯片。

PI氮化镓电源芯片应用案例

以上介绍完PI的氮化镓芯片布局及选型，下面继续分享PI氮化镓快充电源芯片的应用案例。截至目前，充电头网关于内置PI氮化镓电源芯片的应用案例多达50款，获得了各大知名手机品牌和第三方电商品牌的广泛应用。

PI SC1923C

PI SC1923C是OPPO向PI定制的料号，该芯片内置GaN功率器件，属于PI的PowiGaN系列，也是PI推出的首款GaN电源产品。得益于氮化镓功率器件高频率低损耗的优势，能够提高充电器的功率密度，减小体积和重量，更加便于携带。

应用案例：

PI SC1933C

PI SC1933C属于PI PowiGaN 系列，是PI推出的首款GaN电源产品，标志着GaN元件在USB PD快充电源上得到全面应用，其高频率低损耗的优势，能够提高充电器的功率密度，减小体积和重量，更加便于携带。

PI SC1933C无需外围元件即可提供精确的恒压/恒流/恒功率，并轻松与外接快充协议接口IC协同工作，因此适用于高效率反激式设计，内置同步整流控制器和反馈，更加节省外部元件。

应用案例：

PI SC1936C

SC1936C芯片是PI最新发布的内置氮化镓功率器件的PowiGaN主控芯片，内置控制器、氮化镓功率器件、同步整流控制器等，宽电压范围下，适配器壳体中最大75W连续功率。

PI SC1936C详细规格资料。

应用案例：

PI SC1998C

SC1998C为小米定制型号，属于PI InnoSwitch3-Pro系列，内置PWM控制器、氮化镓开关管以及同步整流控制器及次级控制器，集成度非常高。芯片采用PI独家的PowiGaN技术，支持同步整流输出控制，支持I2C接口数控，内置协议芯片供电，外围器件精简。

应用案例：

PI INN3278C

PI INN3278是一颗氮化镓主控芯片，内部集成初级开关，同步整流控制器，反馈和恒功率特性的准谐振反激电源IC。其内部集成750V PowiGaN开关管，支持在密闭环境宽电压范围内输出55W功率。

PI INN3278详细规格资料。

应用案例：

1、拆解报告：MI小米33W PD快充氮化镓充电器AD33G

PI INN3279C

PI INN3279C内置750V GaN功率器件，适配器密闭环境中宽电压输入可输出65W，该芯片内部集成准谐振反激控制器和集成的主开关管，同步整流控制器和内置反馈，以及恒功率输出。

PI INN3279C 详细资料。

应用案例：

PI INN3370C

PI INN3370C是一颗集成了高压开关、同步整流和FluxLink反馈功能的数控恒压/恒流离线反激式准谐振开关IC，INN3370C使用PowiGaN技术，内置750V耐压GaN开关管，最大支持100W输出，在I2C数传动态高精度控制的同时，INN3370C还内置一路3.6V输出为外置协议IC供电。

PI INN3370C资料信息。

应用案例：

PI INN3378C

PI INN3378C采用PowiGaN技术，属于InnoSwitch3-Pro家族，内置PWM控制器、高压氮化镓功率器件、同步整流控制器等，集成度非常高，并且采用数字总线控制调压。宽电压范围条件下，密闭外壳内可以输出55W功率。

PI INN3378C资料信息。

应用案例：

PI INN3379C

PI INN3379C采用PowiGaN技术，内置PWM控制器、高压氮化镓功率器件、同步整流控制器等，集成度非常高，并且采用数字总线控制调压。宽电压范围条件下，密闭外壳内可以输出65W功率。

PI INN3379C详细规格资料。

应用案例：

PI INN4075C

INN4075C是PI新一代采用了PowiGaN技术的InnoSwitch4系列芯片，应用于有源钳位反激架构，可实现主开关管的零电压开关，降低器件温升。同时优化EMI性能，非常适合小体积，高工作频率的开关电源设计。

InnoSwitch4-CZ是零电压开关的集成反激芯片，内部集成750V高压PowiGaN开关、有源钳位驱动、同步整流和FluxLink反馈，与ClampZero有源钳位芯片搭配使用，将漏感能量回收，可实现高达95%的转换效率。

同时其待机功耗低于30mW，内置同步整流管栅极开路检测，支持快速的输入欠压/过压保护，具备完整全面的保护功能。适用于高功率密度反激设计，高能效USB PD充电器和高能效恒压恒流充电器等。

PI  INN4075C详细规格资料。

应用案例：

PI CPZ1062M

PI CPZ1062M是一款高度集成的器件可以降低InnoSwitch4主开关的开关损耗，捕捉并回收变压器的漏感能量，并显著地提高能效。PI的ClampZero系列产品内部集成高压开关管和控制器，可无缝连接到InnoSwitch4主控制器上，实现灵活的有源钳位反激方案。

PI CPZ1062M资料信息。

应用案例：

充电头网总结

作为老牌的电源芯片厂商，PI是最早一批布局氮化镓芯片市场并率先实现量产的企业之一，对氮化镓快充技术的发展和普及起到了积极的推动作用。从最先推向市场的SC1933/SC1936芯片到最新的InnoSwitch4-CZ系列，PI已经完成了QR架构以及ACF架构电源芯片的布局，累计推出了十余款经典的芯片方案，并获得知名OPPO、小米、Anker、倍思、绿联等多家品牌采用，性能获得业内头部企业认可。

除了完整的氮化镓芯片方案之外，PI正对大功率快充电源的应用，还推出了PFC控制，组成了完整的快充电源矩阵。

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