iSMARTWARE智融推出氮化镓直驱控制器SW1106

前言

氮化镓GaN作为一种第三代半导体材料，近几年时间里在消费类电源市场中得到了广泛应用。尤其是随着各大手机、笔电品牌纷纷入局氮化镓快充，氮化镓功率器件的性能得到进一步验证，同时也加速了氮化镓技术在快充市场中的普及。

氮化镓技术的成熟为快充电源市场更新迭代注入了能量，根据充电头网不完全统计，目前市面除了少数内置驱动电路的GaN功率器件对外部驱动器要求较低之外，其余多数GaN功率器件均为单管设计，应用时需要采用外部驱动电路。

而氮化镓直驱控制器则借助内置驱动电路的设计，让GaN功率器件在应用时可以省去驱动电路，简化外围电路设计，并提高电源产品的功率密度，因此在氮化镓技术快速普及中发挥着重要作用。

放眼当下市场，已经量产商用的氮化镓直驱控制器多为国外厂商产品，客户的选择余地十分有限，同时也蕴藏着巨大的商机。近日，珠海智融科技就推出了一款氮化镓直驱控制芯片SW1106，致力于实现氮化镓直驱控制器的国产化替代，下面充电头网为大家介绍一下这款新品的亮点。

智融SW1106登场

智融 SW1106 是一颗支持增强型氮化镓开关管直驱的高频反激准谐振控制器，芯片内部集成700V高压启动电路和X电容放电功能。同时内部集成氮化镓驱动器，驱动电压为6V，可直接驱动增强型氮化镓开关管。

智融 SW1106 采用SSOP-10封装，运行在带谷底锁定的谷底开启工作模式，并集成频率抖动功能以优化EMI性能，支持突发模式。供电采用双VDD供电设计，在输出电压USB PD宽输出场合降低控制器的功率损耗，支持氮化镓快充，充电器以及开关电源应用。

智融 SW1106 内部集成输入电压保护，供电过压保护，输出过压保护，逐周期电流限制，过载保护，输出过流保护，电流取样电阻开路和短路保护，芯片内置过热保护，支持外接热敏电阻进行器件过热保护，保护功能全面。

充电头网总结

得益于氮化镓器件比传统的硅器件的开关速度更快、通态电阻（RDS-on）低、驱动损耗更小，在小型化电源等需要更高频率的应用场合中，相较于传统硅器件具有无可比拟的高转换效率和低发热特性。这也成为了氮化镓替代传统硅器件的重要原因，并让氮化镓成为未来功率器件的主流发展方向。

逐渐庞大的氮化镓快充市场以及不断丰富的氮化镓功率器件，对控制器和驱动器形成了强需求。为此，越来越多的国产电源芯片厂商针对氮化镓快充的应用推出了内置驱动的主控，将驱动器集成在主控芯片内部，可以直接驱动GaN功率器件，一方面精简了外围电路设计，同时也提升产品稳定性并节约成本。

智融 SW1106 氮化镓直驱控制器的推出，一方面实现了氮化镓控制器的国产化替代，为氮化镓快充提供了新的解决方案。另外一方面也丰富了智融在快充电源的产品线，实现初次级的芯片供应，简化采购流程。

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