出货量突破3亿颗，英诺赛科GaN技术成就新里程碑
截至2023年Q1，英诺赛科GaN芯片出货量累计出货量突破1.5亿颗（2022年12月：突破1亿颗；2023年Q1：突破5000万颗），这意味着，在不到半年的时间里，英诺赛科的GaN芯片出货量相比之前翻了一番，增长势头迅猛，出货量涨势强劲，上半年销售额增长500%。
目前，英诺赛科GaN芯片产品已在消费类（快充、手机、LED），汽车激光雷达，数据中心，新能源与储能领域的多个应用中大批量交付，帮助客户实现小体积、高能效、低损耗的产品设计。
氮化镓GaN
氮化镓化学式为GaN，是氮和镓的化合物，属于第三代半导体材料。第三代半导体具有高击穿电场、高热导率、高电子迁移率、高工作温度等优点。以SiC和GaN为代表物质制作的器件具有更大的输出功率和更好的频率特性，更适合制作高温、高频、大功率及抗辐照器件，可广泛应用在高压、高频、高温以及高可靠性等领域，包括射频通信、雷达、卫星、电源管理、汽车电子、工业电力电子等。
英诺赛科展现出卓越的洞察力和前瞻性，不仅把握当下市场趋势，还预见了未来的发展方向，早期就专注于氮化镓的生产与创新设计研究。
持续领先市场
英诺赛科在2017年时就开启了全球首条 8 英寸硅基氮化镓量产线，采用IDM全产业链模式，成功研制 8 英寸硅基氮化镓晶圆。2018年，第一款低压氮化镓功率器件上市，2019年，650V 高压氮化镓器件通过JEDEC，从此英诺赛科成为全球唯一一家同时量产高压和低压氮化镓的半导体公司。
英诺赛科在2021年正式量产全球唯一一款可应用于高压侧负载开关，智能手机 USB /无线充电端口内置 OVP 保护，多电源系统中的开关电路等场景的GaN芯片。并在2022年其研发的INN100W032A荣获IIC全球电子成就奖，产品已可广泛应用于电机驱动、Class D、数据中心、motor driver、通信基站等产品领域。
作为业内少数的IDM厂商，英诺赛科经过前面7年左右时间的积累，已基本形成全产品的生态链，产品涵盖晶圆、分立器件、合封芯片三大类。截至8月，英诺赛科已成功量产高压GaN芯片（650V-700V）54 款，中低压GaN芯片（30V-150V）20 款。
多元化应用
随着科技不断进步，氮化镓的优势被不断发现，目前已在移动电子设备、工业电源、光电领域等被广泛应用。
氮化镓功率器件的应用主要由消费电子所驱动，因其具备小体积、高频高效的优势，能够满足消费电子市场对电源产品小型化、快速化及低发热的强烈需求。
在2019年时，随着英诺赛科650V 器件正式进入快充市场。随后得到华硕、安克、努比亚、倍思、绿联、闪极等多个终端品牌采用，应用于30W-120W氮化镓快充产品。
在快充市场的带动下，手机标配快充、手机内部充电保护也逐一采用氮化镓，并在市场上得到良好反馈。由此，消费领域对氮化镓的需求全面铺开。而这也仅仅是氮化镓走向市场的开端。
在2021年时，英诺赛科助力GaN开拓了新应用空间。其自主研发的双向导通产品 VGaN 率先导入 OPPO 手机，成为全球首款导入智能手机内部电源开关领域的氮化镓芯片，Realme、一加、联想、摩托罗拉等手机也相继采用VGaN实现充电保护。
随后在2022年时英诺赛科联合安克共同发布全球首款65W全氮化镓快充，独创的全氮化镓技术首次在AC和DC端同时采用氮化镓功率芯片，使系统功率密度和效率达到了全新高度，让充电效率大大提高的同时减少能量消耗，是充电技术领域的一大突破。
英诺赛科在氮化镓技术的应用领域拓展中，不仅仅满足于消费电子领域，更是在多个领域展现出杰出的创新能力和市场适应性。如今，这项技术已经跨足汽车应用和工业电源应用领域。
在汽车应用领域，英诺赛科也已经拿下了较快量产的激光雷达应用市场。今年4月，英诺赛科低压产品从工业级应用进军到车规级应用，成功进入汽车激光雷达市场。
在工业电源应用领域，英诺赛科去年10月首次在工业电源产品上实现大规模量产，今年7月开始将GaN应用于新能源光伏发电领域。
产品与市场共推行业迈入新赛道
受日益严峻的能源危机和绿色低碳发展趋势的影响，各国纷纷出台减碳政策，工业市场（新能源、数据中心）对高效、节能产品的需求大增，氮化镓无疑是工业领域降本增效的关键。
而随着汽车电气化的持续推进，汽车电子成为各半导体厂商纷纷布局的市场。英诺赛科在2021年通过IATF 16949车规级认证，采用英诺赛科氮化镓的激光雷达产品已率先应用于自动驾驶汽车。据行业预测，2025年氮化镓将渗透到低功率OBC和 DC-DC，2023年或将进入牵引逆变器中。
氮化镓应用已经步入快车道，随着市场需求的急剧增长，器件的可靠性与大批量稳定供货成为关键。基于先进且完善的8英寸硅基氮化镓研发和制造平台，英诺赛科当前产能已达到每月15000片，在规模化、可靠性与成本上具备极大优势，IDM模式也能快速实现产品的更新迭代，或将成为推动行业发展的中坚力量。
充电头网总结
英诺赛科是全球领先的GaN IDM高新技术企业，在氮化镓芯片领域取得了令人瞩目的成就，截至2023年8月，已交付超过3亿颗芯片，产品广泛应用于消费电子、汽车激光雷达、数据中心等领域，涵盖晶圆、分立器件、合封芯片三大品类，为客户提供高能效、小体积、低损耗的氮化镓芯片。
在快速增长的氮化镓市场中，英诺赛科凭借技术创新和全产业链的优势，不仅在消费领域取得显著进展，还成功拓展到工业电源、汽车电子等领域。通过持续的创新和稳健的增长，英诺赛科将继续引领氮化镓技术的发展，为半导体产业带来全新的机遇和前景。
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「历年拆解」
2022年、2021年、2020年、2019年、2018年、2017年、2016年、2015年
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