氮矽科技引领创新:全新低压氮化镓集成芯片震撼来袭!
前言
氮化镓作为一种具有卓越性能的第三代半导体材料明星,正在逐渐成为低功率消费电子领域的热门选择。随着其技术和供应链的成熟,成本呈现下降趋势,这为氮化镓的广泛应用铺平了道路。在低功率消费电子领域,氮化镓凭借其高工作频率、高转化效率、低导通阻抗等优越特性,展现出广阔的应用前景。同时,氮化镓正在向中大功率储能、微型逆变器、通讯基站、数据中心等领域拓展。
为了推动氮化镓在高频市场中的应用,氮矽科技推出了一款具有工业级可靠性的低压100V氮化镓集成产品DXC6010S1C。该产品适用于对高功率密度性能有苛刻要求的应用,包括用于新服务器和人工智能设备的 48 V - 54 V 输入 DC-DC。该产品的较低栅极电荷、Qgd 零反向恢复损耗可实现 1 MHz 及以上的高频操作和高效率。
DXC6010S1C为高功率密度应用提供超小型化的解决方案
氮矽科技DXC6010S1C是一款驱动集成氮化镓芯片,它具有许多出色的特性。这款芯片耐压100V,内部集成了一颗增强型低压硅基氮化镓和单通道高速驱动器。采用DFN5×6封装,占板面积小,无反向恢复电荷,并且导通电阻极低。为最高功率密度应用提供超小型化的解决方案。
DXC6010S1C以其先进的驱动集成技术脱颖而出,此技术能够有效保护E-Mode GaN栅极,使之具备高度的可靠性。其输入电压范围为±18V,兼容所有传统硅控制器,并有效减少了寄生电感,简化了功率路径设计。这一设计显著降低了PCB占板面积,满足了生产的高效性和性价比的需求。此外,DXC6010S1C还具备UVLO欠压锁定功能,能有效防止电源电压波动导致的器件误开启问题,从而有效避免炸机风险。这同样是其高可靠性的一大原因。
通过驱动集成技术,DXC6010S1C不仅具有超高的可靠性,还兼具了灵活性、可靠性、高效性以及易用性,显著提升了应用工程师的使用体验。
在应用方面,DXC6010S1C适用于多种场景,如高频高功率密度降压转换器、DC/DC转换、AC/DC充电器、太阳能优化器和微型逆变器、电机驱动器和D类音频放大器等。它也适用于AI、服务器、通信、数据中心等应用场景,特别适合48V工作电压的USB PD 3.1快充和户外电源相关应用。
氮矽科技拥有最全氮化镓产品线,全面布局氮化镓市场
氮矽科技依托其国内独有的核心氮化镓驱动技术为坚实后盾,专注于研发和销售全方位氮化镓产品,以科技创新引领行业发展,在氮化镓领域,公司凭借创新技术打破了国际厂商的长期垄断,为国内电子行业带来革新。旗下产品线包括“GaN分离器件(E-mode GaN HEMT)、驱动IC(GaN Driver)、 GaN集成驱动芯片(PIIP™ GaN)和GaN集成控制器芯片(PWM GaN)"等,不仅涵盖了从低压到高压的各类应用,更是提供了一系列高性能、高可靠性的氮化镓功率器件。
氮矽科技一直致力于引领氮化镓技术的创新发展,加速氮化镓的应用普及。通过践行可持续发展理念,氮矽科技将与您共创绿色未来。
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