传统的充电控制器芯片通常使用专有的处理器架构，这些架构受限于供应商的设计选择和封闭性，因此在适应性、性能和功能上存在一定限制。相比之下，搭载RISC-V内核的快充协议芯片为充电技术带来了新的可能性，用户可以根据自己的需求进行灵活的定制，实现特定的功能和优化。由于RISC-V架构具有强大的开放性与拥有广泛的社区支持和生态系统，相对于传统芯片的专有架构来说，可以通过优化指令集和硬件实现来提高性能和功耗效率，并灵活地支持多种快速充电协议，提供更广泛的兼容性，还可以更加容易的进行固件更新，以适应新的充电标准和功能。充电头网了解到慧能泰推出3款内置RISC-V架构的快充协议芯片，可以提供更加出色的充电体验，一起来看看吧！慧能泰HUSB251是一颗支持USB Type-C DRP的PD协议芯片，内置32位RISC-V MCU，带有32 kB MTP存储器，支持PPS PDO和EPR PDO，所有的PDO都完全符合USB PD 3.1 Rev.1.8规范，支持28 V EPR FPDO和EPR AVS。HUSB251支持QC2.0，QC3.0，AFC，FCP，UFCS快充模式，具有非常好的快充兼容性。芯片内置NMOS驱动，可以使用NMOS进行供电控制。慧能泰HUSB251采用QFN-24进行封装，体积小巧，结构紧凑，可广泛应用于充电适配器、车载充电器之中。HUSB268H是一款先进的USB Type-C PD控制器，内置了32位RISC-V MCU，并搭载了128kB x 2闪存，拥有强大的处理和存储能力，符合USB Type-C Release 2.2与USB PD3.1 V1.6，确保其与各种充电设备的兼容性。此外，HUSB268H支持多种传统充电协议，包括Divider 3、USB BC1.2、UFCS、QC2/3/3+/4/5、AFC、FCP/SCP等，可满足不同设备的需求。HUSB268H可以通过CC或I2C接口支持固件更新扩展消息，方便用户进行系统升级和维护。此外，该控制器，内置了VCONN开关，具有最高600mA负载的恒定电流限制，还内置了SBU开关，用于AUX_P/N极性切换，提供更灵活的操作选择。HUSB268H内置USB2.0多路复用器（2:1）与10位SAR ADC，具备4对可配置的I2C接口以及smbus从机接口，可应用在笔记本电脑、台式电脑、显示器、集线器、储能电池等领域之中。慧能泰HUSB362是一款支持PD3.1 EPR且集成32位 RISC-V MCU的高性能PD协议芯片，带有32 kB MTP存储器，支持多个具有可编程电压和电流的PDO，如PPS PDO、EPR PDO，所有的PDO都完全符合USB PD 3.1 V1.7规范。其支持EPR模式140 W（28V5A），PPS支持从18 W到100 W，AVS支持从100W到140W。目前HUSB362已通过了USB-IF协会的PD3.1合规性测试，EPR TID为9692。HUSB362还实现了可编程的DPDM PHY，D+和D-引脚可以被配置为支持QC2.0、QC3.0、AFC、FCP和Divider 3的模式，为传统设备提供了很好的兼容性。HUSB362集成N-MOS驱动，可控制VIN和VBUS之间是否导通，从而保护与Type-C连接器连接的设备。另外，其CC1、CC2、D+和D-引脚的高电压容限和保护为系统提供了更多的可靠性。除此之外，针对LPS（限功率电源），HUSB362也作了充分的保护设计。HUSB362集成了优质的恒压控制环(CV)和恒流控制环(CC)，同时集成FB调压模式，可同时应用于ACDC或者DCDC。HUSB362还集成双环路的设计可让用户采用极简的外围元件实现应用设计，提升空间利用率和设计难度同时降低BOM成本。RISC-V架构是一种开放、灵活、可定制且高度可扩展的计算机处理器架构，指令数目非常简洁，开发者和公司可以根据自己的需求自由使用和定制RISC-V处理器，让其使用更加的灵活。慧能泰根据不同的使用场景与需求推出了三款使用RISC-V架构的快充协议芯片，体现出他们在充电技术领域的创新和适应性，为用户提供更多选择、更高效的充电解决方案，并在不同的使用场景中发挥巨大作用。2024亚洲快充大会
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