性能卓越，能效卓越，纳微推出NV6247、NV6245C两款氮化镓芯片

前言

在 PD 3.1 大功率电源设计里，半桥拓扑的应用愈发普遍。在半桥拓扑中使用分立氮化镓器件方案，不仅器件占板面积较大，而且会受到寄生电感等因素干扰，影响电源系统效率。而若使用半桥氮化镓合封芯片，通过将两颗半桥氮化镓器件和驱动器封装在一个芯片内部，可以大大简化半桥拓扑电源设计。

半桥氮化镓芯片

充电头网总结了纳微目前共两款半桥氮化镓芯片，并汇总如下表所示。

由于NV6247与NV6245C都是NV624X系列产品，故共同介绍。

NV624X

Navitas 纳微半导体面向中大功率半桥应用，推出了采用 GaNSense 技术的 NV624X 新一代半桥氮化镓功率芯片系列产品，该系列产品集成了两个 GaN FETs 和驱动器，以及控制、电平转换、传感和保护功能，为电子元件创建了一个易于使用的系统构建块。相比于现有的分立式方案，单片集成方案能有效减少 60% 的元件数量及布局结构，实现 MHz 级的开关频率，进而减少系统成本、尺寸、重量，有效降低系统损耗和复杂度。

纳微 NV624X 系列目前已有 NV6245C、NV6247 两款产品，额定电压均为 650V，均采用工业标准、薄型、低电感的 6x8mm PQFN 封装。纳微 NV6245C 内置2颗 275mΩ GaN FETs 和对应驱动器，可用于 65W ACF 拓扑快充电源、100W AHB 拓扑快充电源等产品中。

纳微 NV6247 内置2颗 160mΩ GaN FETs 和对应驱动器，实现桥式电源拓扑在 MHz 频率下运行。不仅如此，芯片同时还完美适配图腾柱 PFC 以及三相电机驱动等应用场景。

纳微 NV624X 半桥氮化镓功率芯片为电子元件创建了一个易于使用的系统构建块。相较分立式方案，革命性的单片集成方案能有效减少 60% 的元件数量及布局结构，进而减少系统成本、尺寸、重量与复杂性。

纳微 NV624X 半桥氮化镓功率芯片集成的 GaNSense 技术实现了前所未有的自动保护，提升了系统可靠性和稳定性，并结合了无损电流感测，达到更高层级的效率和节能水平。

纳微 GaNSense 半桥氮化镓功率芯片的高度集成解决了电路寄生和延迟问题，使得广泛的 AC-DC 电源拓扑包括 LLC 谐振、非对称半桥（AHB）、有源钳位反激（ACF）在 MHz 频率下的运行成为了可能。GaNSense 半桥氮化镓功率芯片同时还完美适配图腾柱 PFC 以及其他电机驱动的应用。

充电头网总结

半桥电路是升压或降压应用的重要基础，在手机移动快充、消费电子电源、数据中心电源供应、太阳能逆变器、能源储存、电动汽车等场景中有着十分广泛的应用。

纳微半导体此次发布的采用 GaNSense 技术的 NV624x GaNFast 半桥功率芯片，作为全新一代产品，其集成了两个 GaN FETs 和驱动器，以及控制、电平转换、传感和保护功能 ，可以很好满足手机移动、消费和工业市场中 100~300W 功率段的应用场景。

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