全新的'PM1643'采用最新的512Gb V-NAND，提供最先进的存储，采用业界首创的1TB NAND闪存封装，40GB DRAM，新型控制器和定制软件。

三星电子作为先进存储技术的全球领导者，今天宣布已经开始批量生产业界最大容量的串行连接SCSI（SAS）固态硬盘（SSD）-PM1643，用于下一代企业存储系统。利用三星最新的V-NAND技术和64位3位512千兆（Gb）芯片，30.72 TB硬盘的容量和性能比之前在2016年3月推出的15.36 TB高容量阵容提供了两倍的性能。

这一突破是通过将32个新的1TB NAND闪存封装组合，每个闪存封装包含16个512Gb V-NAND芯片堆叠层。这些超级密集的1TB封装允许将大约5,700个5 GB的全高清电影文件存储在仅2.5英寸的存储设备中。

除容量翻倍外，性能水平也大幅提升，几乎是三星上一代高容量SAS SSD的两倍。基于12Gb / s SAS接口，新型PM1643驱动器具有高达400,000 IOPS和50,000 IOPS的随机读取和写入速度，连续读取和写入速度分别高达2,100MB / s和1,700 MB / s。这些大约是典型2.5英寸SATA SSD *随机读取性能的四倍，并且是连续读取性能的三倍。

“随着我们推出30.72TB固态硬盘，我们再一次打破了企业存储容量壁垒，并在此过程中为全球超大容量存储系统开辟了新的领域，”Jaesoo Han，内存销售执行副总裁＆三星电子营销团队表示。 “三星将继续积极应对10TB以上固态硬盘需求的转变，同时，在企业系统的新时代，加速采用我们先进的存储解决方案。”

三星通过在控制器，DRAM封装和相关软件设计方面的多项技术进步，实现了新的容量和性能增强。这些改进包括高效控制器架构，该架构将以前的高容量SSD阵列中的9个控制器集成到单个封装中，从而使SSD内的更大空间用于存储。 PM1643驱动器还采用硅穿孔（TSV）技术互连8Gb DDR4芯片，创建10个4GB TSV DRAM封装，总计40GB的DRAM。这标志着TSV应用DRAM第一次被用于SSD。

补充SSD的硬件独创性是支持元数据保护的增强型软件，以及突发性电源故障时的数据保留和恢复，以及纠错码（ECC）算法，以确保高可靠性和最小的存储维护。此外，固态硬盘提供了每天一个全盘写入（DWPD）的稳健耐久级别，这意味着在五年的保修期内每天可以写入30.72TB的数据而不会失败。 PM1643的平均故障间隔时间（MTBF）为200万小时。

三星在1月份开始制造30.72TB固态硬盘的初始数量，并计划在今年晚些时候扩大产品阵容 ，15.36TB，7.68TB，3.84TB，1.92TB，960GB和800GB版本，以进一步推动全闪存产品的增长，阵列并加速企业市场从硬盘驱动器（HDD）向SSD的过渡。广泛的模式和大幅改善的性能将成为满足政府，金融服务，医疗保健，教育，石油和天然气，制药，社交媒体，商业服务，零售和医疗等众多细分市场不断增长的存储需求的关键。

原文链接：

https://news.samsung.com/global/samsung-electronics-begins-mass-production-of-industrys-largest-capacity-ssd-30-72tb-for-next-generation-enterprise-systems

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