追寻蓝光 LED 材料的高峰

蓝光

红光得尽绿光狂

未至蓝光绝望长

物理使穷千万手

咫余纳米费神伤

0. 编按

早些年，编者每年都参加系里的研究生面试。编者必定会提的一道以为是送分的面试题目：将我们头顶上的日光灯和白炽灯比较。假定它们额定功率一样，为何日光灯总是比白炽灯亮？这个问题诞生了很多答案；但多年下来，能够正确回答的同学不会超过总数的 50 %，有很多同学回答说不知道。

物理人看到这个结果，一定会摇头以略表叹息。但事实就是如此！为什么会是这样的结果？根源不是我们的同学物理学得不好、或者不会活学活用，而是因为产生高效而经济的日光灯辐射很“难”！^_^

将一个物体加热到高温，热辐射发射电磁波而发光。这一过程必定伴随很多红外辐射和其它热损耗，因此可见光发光效率低。日光灯则采纳了荧光辐射的原理，虽然也有热损耗，但避免了大量红外辐射，因此可见光发光效率大大提高。不过，当我们去触摸日光灯的启辉器及灯管周围时，还是会有烫手的感觉。这说明还是有很多以非可见光的方式发出的能量损耗。这些损耗除了酷热夏天加热房间，似乎没有其它好处！

因此，即便是从照明角度，我们也希望：可以纯粹地将电能全部转化为我们需要的可见光发射出来，而没有任何其它损耗。此时，用加热的模式就不再可行，必须用能够将电能直接转化为光的物理，即“光电效应”！用专业一点的非物理语言就是：要使得逆光电转换的效率达到 100 %、且辐射光就是我们需要的波长！我们早就知道，正在追逐这一目标的就是物理中的“电致发光”器件，它们很大程度上依赖于光伏或光电转换的反过程！

“电致发光”、或者说光电效应研究的伟大硕果之一，便是本文要嘀咕的LED (发光二极管 Light - emitting diode)！图 1 所示三个元素的组合与耦合，使得这一堪称为二十世纪最伟大成果之一的发明诞生出来。

图 1. 高效电致发光 (Electroluminescence, EL) 成功所依赖的元素，缺一不可：(1) 杰出的物理人 (如 Shuji Nakamura 中村修二这般的蓝光 LED 发明人)；(2) 光电半导体能带结构 (电致发光的波长 λ 与能带带隙 Δ 大致成反比)；(3) 电磁波 (光谱与颜色)。这里，我们需要蓝光、绿光和红光，所谓三色光，以配混我们需要的光色。

https://en.wikipedia.org/wiki/Shuji_Nakamura

https://www.fiberlabs.com/glossary/about-led/

https://i.stack.imgur.com/qwkQ8.png

1. LED 的简历

电致发光，当然是光电转换物理之一个过程。初级的教科书就有告诉我们：光照射物质，特别是照射半导体，会在其中激发出光生载流子，形成电子 - 空穴对。如果能够将激发的电子与空穴分开、各自输出，那便是所谓可以利用的半导体光伏效应。反过来，如果施加电场、将半导体中的电子 - 空穴结对捉对复合而湮灭，从而激发出光子，那就是电致发光了。

不过，半导体中实现电致发光，真心不容易。首先，电子 - 空穴对需要完成激射有效的湮灭，才能发出光子。如果载流子将能量传给其它载流子或者散射给晶格，则电子 - 空穴对复合就难以激射出光子。因此，激射复合才是电致发光所需要的。其次，要获得特定波长的激射，半导体的带隙就有要求。要获得短波长光子，就需要大带隙半导体。而大带隙半导体其实在往绝缘体靠拢，要在其中实现高载流子浓度和高效输运都很困难。因此，短波长电致发光极具挑战 (当然，如不具有挑战性，那要物理人干嘛？！)。再次，要获得高纯波长发光，带隙中不能有杂质带存在，否则大带隙也是白搭，发射出来的光波就不纯。这反过来也给制备高品质材料的方法提出严苛要求、甚至是致命挑战。

很显然，要在一个均匀半导体中实现上述过程，当属不可能！即便有那么一丝机会，那产生的光也只有物理意义而无实用价值。因此，物理人很早就唾弃此类方案，转而发展了当今“横行于世”的半导体 p – n 结发光原理，如图 2 所示。

事实上，这也就是 LED 的工作原理。

图 2. 半导体 p – n 结电致发光的基本原理及发光机制。对 LED 而言，这一机制太过 popular，无需详细描述，简略呈现于正文之中。

(上部) 半导体发光 p – n 结的示意图，其中 p 型半导体层 (上层) 与 n 型半导体层 (下层) 形成 p – n 结界面。界面附近是电子 - 空穴对复合而激射出光子 (light emission) 之处。外加电场由上表面正极 (阳极) 指向底部的负极 (阴极)。

(下部) 外加电场作用下 p – n 结处电子 - 空穴复合形成光子的物理机制图。

https://circuitglobe.com/wp-content/uploads/2017/06/cross-section-LED.jpg

https://www.etechbag.com/wp-content/uploads/2020/12/light-emitting-diode-working-principle-1.jpg

OK，既然如此，那么 LED 的大致工作简历是何模样？对那些不谙此道的读者，还是需要列举一二。LED 的简历可以用图 2 清晰展示出来。

(1)  LED 的基本架构就是图 2 所示的一对半导体组成的异质结，分别由 p 型 (空穴载流子) 和 n 型 (电子载流子) 半导体层对接而成。它们界面处形成那天下闻名的 p – n 结 (“痞奀结”。痞奀 pi - en，奀表示瘦小。痞奀表示又痞又瘦小的那一薄层)。

(2)  什么是那天下闻名的痞奀结？如图 2 所示，p 型半导体层的空穴越过界面扩散到 n 型半导体层那一侧，包括一部分空穴与那里的电子复合而湮灭。对应地，n 型半导体层的电子越过界面扩散到 p 型半导体那一侧，一部分也与那里的空穴复合而湮灭。由此，形成一个界面扩散层。注意，因为电磁力的缘故，界面扩散层被两种不同电荷载流子形成的内电场所平衡。因此，界面附近载流子分布，在没有外场干扰时，终究会形成一种动态平衡状态，俗称空间电荷区，即痞奀结。

(3)  由于痞奀结附近载流子扩散形态和部分载流子复合湮灭的缘故，界面附近残余的载流子浓度会很低，远低于 p 型层和 n 型层内部的载流子浓度。也就是说，界面处于高阻态，外加电场时电场主要落在界面处。

(4)  对半导体，众所周知电子位于导带底附近、空穴位于价带顶附近，因此 n 型层的费米面比 p 型层的略高。在痞奀结那里，n 型层一侧的费米面会下降，p 型层一侧的费米面会上升，最终两者的费米面将处于同一高度，如果没有外场的话。如果外加电场，这 p / n 两侧的费米面会上下错开一些，以抵消外加电场施加的静电势。

(5)  现在施加一正向电场，如图 2 所示，从 p 型层指向 n 型层。这一电场与痞奀结处的内建电场反向，从而会显著拓宽空间电荷层厚度，也就是驱使 n 型层的电子进一步迁移到 p 型层一侧，与那里的空穴复合，发出光子。类似地，电场也驱使 p 型层的空穴进一步迁移到 n 型层一侧，与那里的电子复合，发出光子。只要外加电场一直加在那里，这个过程就会一直进行，也就是不断激射光子，即电致发光。

LED 的大致简历一般物理人都早就了解。可以看到，LED 也算是资深物理器件了，曾经让多少物理人魂牵梦绕、夜不能寐呢，如图 3 所示。

图 3. LED 的简历：轨迹 (上)、掌门人 (中)、蓝光 LED 秘籍 (下)。此类历史，乃成常识，无需絮语。

https://www.brightlight.co.nz/articles/article/an-led-timeline

https://edisontechcenter.org/LED.html

https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S163107051730124X

从图 2 所示 LED 的大致工作原理，可以估摸获得不同颜色 LED 发光材料的难易程度：

(1)  发光波长越短，则要求本征半导体的带隙越大，也即越接近绝缘体，其中本征载流子浓度将越低。此时要对半导体进行 n / p 载流子掺杂，既得到高的载流子浓度以获得足够光亮度、又要保持带隙很大，那无异于痴人说梦！

(2)  大带隙半导体的载流子掺杂是一件令人痛苦的事业，正如 ZnO 一般。很多情况下只能够实现一种多子掺杂，而实现另一种多子掺杂就变得几乎不可能。微电子如此、光电子如此、热电也是如此。因此，要实现同一种本征半导体、两种不同载流子的 p - n 结，那就好比要将人的一种性别变成另一种性别一般，让人发疯。

(3)  因为是 LED 异质结，半导体薄膜的制备也有很大挑战。如果薄膜包含杂质或缺陷，则很可能在宽带隙中引入能级，导致发光波长变长或者混色。因此，做到在薄膜中避免出现杂质或缺陷，实际上是技术上的一道咒语。

因此，大带隙半导体的LED 应用本身是一件极为困难的事情，虽然实际上的困难还远不止于此。而这，正是蓝光 LED 制造那么困难和那么惊心动魄的物理原因之一。

图 4. 蓝光 LED 的世界。对于我们的生活，蓝光 LED 如影随形。

http://www.digitaljournal.com/pr/3498881

https://protostack.com.au/shop/led-lcd/5mm/led-waterclear-red-green-blue-rgb-5mm-common-cathode/

https://www.ledspace.co.uk/products/tradestrip60-led-strip-blue

https://www.pinterest.com/pin/371195194285302356/

2. Blue LED

好，那就来说蓝光LED 吧！

蓝光 LED 是新一代全彩显示与照明技术最重要的组成部分，如今在生活中已经随处可见，正如图 4 所示一二。上世纪中叶，虽然红绿光 LED 制造已经非常成熟，但蓝光 LED 却被认为是一件不可能完成的事情。直到中村修二等发明出新的制备技术，才使得 LED 生产商能够生产高亮度的蓝光 LED。由此，新的白光照明得以问世。

需要特别指出，在那之前，全世界所用电力里有 20 % 被用于照明用途。实际上照明效率不高，因为有大量热损耗。据计算，LED 的最优化使用，可以将照明所占电力比例降低到 4 %。此外，蓝光 LED 的突破也促成了液晶显示的跨越式发展。赤崎勇、天野浩、中村修二也因为开发氮化镓半导体蓝光 LED 在 2014 年获得诺贝尔物理学奖。正如诺贝尔奖评选委员会在声明中指出的：“白炽灯照亮了 20 世纪，LED 灯将照亮 21 世纪”，就如高亢的诗篇一般。尽管蓝光 LED 仅仅发明 20 年，但它带来的高效白光生产方式和新型显示技术，令世人受益、令梦想成真。

如果回顾一下过往，蓝光LED 的困难，除了宽带隙这一共同的原因外，各有不同。最后付诸实际应用的是 GaN 蓝光，其困难是因为掺杂难，有将近三十年时间没有办法制备 p 型 GaN。直到 p 型 GaN 制备取得突破之后，蓝光 LED 才得以迅速发展。

目前来看，GaN 依旧是蓝光霸主，还没有其它材料可以匹敌 GaN。但是，GaN 作为蓝光 LED 材料也有其局限性，主要体现在照明方式和成本上，包括如下几点：

(1)    GaN 是长出来的薄膜晶体，是点光源。因为是点光源，就必须使用灯具，造成了能量损失以及伴随着灯具使用而产生的阴影等。

(2)    GaN 难以制备成柔性器件，不利于未来照明设备的设计。

(3)    GaN 制备工艺复杂，成本较高。虽然大多数人觉得 LED 灯泡并不贵，但对于落后地区，相较于白炽灯，LED 价格是限制它们广泛使用的重要原因。

(4)    GaN 微型化，即用于平板显示技术的 micro – LED 成本十分高昂。虽然在技术突破后，未来有望大幅降低成本。

事实上，随着时光流逝，特点、优势鲜明的新型 LED 技术，包括基于有机半导体和量子点技术的 OLED (organic LED) 和 QLED (quantum dot LED) 这些年迅速发展。然而，OLED 和 QLED 也面临着各自的问题，主要挑战也是蓝光。

OLED 很容易做成面光源，因而曾经一度进入平板照明市场。OLED 蓝光问题主要是亮度 (受到有机半导体载流子浓度低、迁移率低等影响)。亮度低的问题在显示上可以用适当增加蓝色发光面积的方法来弥补。如此，OLED 显示屏幕可以得以应用。虽然 OLED 蓝光的亮度用于显示尚可，但用于照明则亮度太低。一旦强行增加工作亮度，稳定性又不够。此外，目前 OLED 成本太高，做照明应用乃勉为其难。

量子点 QLED 目前的主要问题同样是蓝光。由于蓝光量子点所需要的晶体尺寸太小 (发光波长与尺寸成比例，因此蓝光波长要求很小晶体尺寸)，造成稳定性较差及品质控制困难等问题。因此，自发光的 QLED 技术至今因为蓝光稳定性问题没有实现商业化。

由此可见，不同的 LED，特点不同，各自性格和问题也不同。这些新型的 LED 技术 (OLED 和 QLED) 可以实现传统无机 LED 难以实现的功能，但或多或少都受限于蓝光。看起来，物理人在这一问题上又有点陷入尴尬境地：能不能突破 GaN？超越 GaN？

当然，不必奇怪，这种尴尬我们物理人见得多了！只是怎么办呢？

3. 钙钛矿蓝光 LED

卤化物钙钛矿LED的出现，提供了一种新的选择。由于卤化物钙钛矿在光伏领域中的精彩表现，物理人和材料人必定以为它是万能之王，可以天地的！因此，就有如笔者一般的好事者想看看其中有何风景，故而淌了一回浑水，也就有了这篇文章。

钙钛矿材料成本非常低，溶液法加工的器件性能优异，也易于制备大面积及柔性器件。重要的是，钙钛矿在工作条件下的载流子浓度比 OLED 可以大一到两个数量级，故而能产生足够的亮度。一旦蓝光钙钛矿 LED 得以突破，也许在一定程度上可以挑战 GaN 在照明领域的霸主地位。此外，钙钛矿材料发光色纯度也挺高，这也是用于显示的一大优势。

3.1. 容颜变老

我们想得挺美，事实上钙钛矿 LED 却也有它自己的问题。其中，混合卤素蓝光钙钛矿材料的光谱稳定性就是关键问题之一。对钙钛矿 LED，类似于其它 LED 技术，其红、绿及近红外钙钛矿 LED 技术发展还算迅速。遗憾的是，蓝光却相对进展缓慢，也未能轻易逃出当年 GaN 的窘境。

钙钛矿蓝光 LED 为何难以突破？目前来看，其关键在于没有纯卤素的蓝光材料。理论上，钙钛矿的能带和发光颜色可以简单地通过调节卤素比例 (溴氯混合) 进行调控，即当氯离子含量超过总量的 40 %，钙钛矿的发光即可位于蓝光发射区域 (CIEy < 0.15)。然而在实际应用中，难以避免的工艺问题是制备过程会出现严重的相分离，即起初共混的卤素在电场作用下会自发地形成了富溴及富氯的两相，并伴随发光颜色的变化。

简而言之，混合卤素钙钛矿制备蓝光 LED 看起来不难，至少新鲜样品表现挺好。但是，如花似玉一般都不能持久，钙钛矿蓝光 LED 会逐渐变为绿色 LED。其实，类似的相分离问题在溴碘混合钙钛矿红光 LED 里也存在，如图 5 所示。

图 5. 混合卤素钙钛矿 LED 光谱稳定性问题。(a) 溴碘混合红光 LED；(b) 溴氯混合蓝光 LED [1]。可以看到，随着岁月流逝 (这岁月是以分钟计算)，其颜色会慢慢变化，就如容颜变老一般，令人难过。

3.2. 是化妆还是美容？

出现这样的问题，往往有两种解决思路。

其一，绕开这一问题，即使用其它方案来拓宽纯溴钙钛矿的能带，以实现蓝光发射。目前最普遍采用的方法是利用量子限域效应：通过晶粒尺寸调节、或降低结构维度，实现拓宽能带的目的 (图 6)。例如，合成纯溴的量子点、或者构建混合低维钙钛矿结构，看起来效果不错。这一策略已经得到很好印证：相应的天蓝光器件外量子效率已经在 10 % 左右 [2]。

不过，这一方法虽好，但也有缺点。无论是制备量子点、又或者是使用低维钙钛矿，都需要引入大量绝缘的有机配体或铵盐，造成了薄膜光学性能、发光颜色及导电性之间难以调和的 trade - off。这也就导致了蓝光和深蓝光器件普遍情况下亮度非常低、器件  EQE 与相应的薄膜光致发光效率 (PLQY) 差异巨大。

图 6. 通过晶粒尺寸和维度调节实现能带调控 [2]。

其二，克服相分离这一问题，正所谓明知山有虎、偏向虎山行。其实，光诱导钙钛矿卤素相分离研究已经提供了一些思路。物理人已经发现，光通量需要达到一定的阈值，才能触发相分离。而通过钝化缺陷或引入无机阳离子等方法，可以一定程度地提高光阈值。只要阈值在光伏电池的载流子浓度之上，就不会对器件工作造成明显影响。此外，相分离阈值与卤素离子混合比例有关系。例如，在溴碘混合体系，当溴含量在 15 % 以下时是相对稳定的 [3]。随着溴离子含量增高，阈值会不断降低。

这些结果暗示：在一定条件下，混合卤素实现光谱稳定的蓝光是可行性的。

有机会并不意味着一定能实现。借鉴于钙钛矿光伏电池的经验，缺陷钝化、低维结构、混合阳离子等策略都已在混合卤素蓝光 LED 中付诸尝试。结果表明，只有在氯离子含量较低的情况下，器件中的卤素相分离是才能被抑制。然而，前面已提过，实现蓝光，又需要高含量的氯离子。因此。相对成功的案例都集中在天蓝光区域，真正的蓝光，依然是咫尺天涯！

图 7. (a) 溶剂辅助结晶工艺路线；(b) PL光谱；(c) 瞬态吸收光谱。

好吧，既然能试的都已试了，那是不是还存在其它因素促进相分离？

笔者在这里提出一种可能被忽视了的方案、抑或是某种机制，即薄膜中卤素组分异质性 (compositional heterogeneity)。是什么意思呢？这是说，由于氯离子在常用于制备钙钛矿的溶剂中溶解性很差，结晶过程中，这些氯离子常常选择性地优先结晶、并形成富氯的钙钛矿相，继而造成组分偏析。

这种组分异质性，当然不是什么新鲜事。早前就有经验说，随后的热退火过程可以一定程度上缓解这种异质性，但还是有部分富氯相得以残留，无法完全避免。

4. 美容套餐

针对这一问题，笔者提出了一种方法去克服之。而笔者自己都忍不住要说这一方法其实挺奇妙！很简单，能不能将刚旋涂得到的、潮湿的薄膜，直接放置于充满溶剂的氛围中静止一段时间，随后再进行热退火？这一处理技术可被称为“溶剂辅助结晶 (VAC)”(如图 7 所示)，效果很好，薄膜的组分均匀性得到了明显改善。这一效果可通过 PL 光谱和瞬态吸收光谱得到验证。如图 8 所示，常规制备的对照组 control 薄膜，展示了非常宽、且不对称的发光光谱 (25 nm)；但是，VAC 处理的薄膜，其 PL 半峰宽只有 18 nm (图 8a)。此外，与 control 组不同的是，VAC 薄膜的 Photo bleaching 峰较窄、且峰值不随延迟时间变化 (图 8b)，表明了 VAC 薄膜组分高度均匀性。

看起来，得来全不费工夫？其实不然，笔者绝非天才或幸运者，这乃是我们万水千山之后才找到的“陕北”。或者说，我们配成了一套美容套餐，用了之后“天蓝天蓝”的蓝光就不再衰老啦！

图 8. (a) LED 器件结构；(b) CIEy 随电压和电流变化情况 (40 % Cl)；(c) 调控卤素与 EL 光谱；(d - f) 最佳蓝光和深蓝光器件性能参数 (40 %, 45 % Cl)：电流 - 外量子效率 (d); 电流 - 电压 - 亮度 (e)；EL 光谱和 CIE 坐标 (f)。

事实正是如此：一旦组分异质性问题得以解决，蓝光器件的光谱稳定性得到了显著改善 (图 8b - 8e 例举了 40 % Cl 的情况)。不同于 control 器件表现出了典型相分离，新样品的 CIE 坐标与 EL 光谱随电流 / 电压变化显示 VAC 器件在 450 mA cm^-2 /6.5 V 时没有明显的变化。要知道该器件的最佳工作条件是在 5 V (100 mA cm^-2) 以下 (图 8b)。换句话说，即使电流远远超过工作电流，EL 光谱依然没有变化。

此外，用同样的薄膜加工方法，笔者验证了从深蓝光到天蓝光 (451 ~ 490 nm) (氯含量 57 % ~ 30 %) 光谱稳定的蓝光器件 (图 8c)。此外，VAC 处理还可减少缺陷、改善发光性能。在 Rb 离子钝化辅助下，VAC 处理最终得到的外量子效率 (EQE) 达到 11 % 蓝光和 5.5 % 的深蓝光器件 (图 8d - e)，其 CIE 坐标为 (0.107, 0.115) 以及 (0.130, 0.059)，分别接近 NTSC 与 Rec2020 标准蓝光 (图 8f)。

那么这 VAC 处理工艺是如何工作的呢？图 9a 和 9b 是 VAC 处理过程中实时检测的 PL 光谱。可以看到，起初两个薄膜都表现出较宽的 PL 光谱，在 450 nm 处有明显的肩峰 (P2)。该肩峰可以归结于富氯的钙钛矿相。随着时间推移，具有 DMF 气氛处理的发光光谱发生了明显的变化，P2 峰不断的减小并伴随着整体发光光谱略微的红移，最终形成了一个窄的单峰 (图 9b 和 9c)。这表明在 DMF 气氛处理过程中，富氯的钙钛矿相不断的减少直至完全消失，最终形成了混合卤素高度均匀分布的钙钛矿薄膜。此外，这一现象还得到原位的透射光谱之验证。

这一工艺其实巧妙地利用了离子交换反应的化学平衡过程。图 9d 是整个过程的原理图。起初由于旋涂过程中选择性的结晶过程，潮湿的薄膜中存在着已经结晶的各种富氯钙钛矿相以及富含溴离子液相。常规热处理虽然一定程度上能帮助离子交换，但同样的造成了溶剂迅速蒸发，因此富氯相得以保留，继而造成了薄膜中较明显的组分异质性。当具有 DMF 溶剂气氛的情况下，潮湿的薄膜得以长时间保留。在化学势驱动下，氯溴离子得到了重新分布，并最终趋近于化学平衡。因而造就了组分高度均匀性的混合卤素钙钛矿薄膜。

图 9. (a) 刚旋涂完的薄膜在氮气氛围中 PL 光谱随时间变化；(b) 刚旋涂完的薄膜在 DMF 气氛中 PL 光谱随时间变化。其中 P1 和 P2 分别指代两个 PL 峰；(c) 图 b 中 P2 峰积分面积 (A2) 与总的 PL 峰积分面积 A 比值，以及 PL 半峰宽随时间变化；(d)  基于离子交换平衡的组分均质化机理。

最后，当然也还需要问问：为什么卤素组分变均匀了，光谱稳定性就变好了呢？

笔者基于早先提出地相分离理论模型，列举了可能的原因。例如，既然相分离涉及到了离子的移动，那势必与热力学相关的。一个起初就具有高度异质性的薄膜在热力学上实现更明显的相分离所需要的能量势垒就更低。此外，组分异质带来了更多的晶格失配 (lattice mismatch)，并在局部应力的驱动下更易于发生相分离。然而究竟是何原因，还待进一步实验论证。而这一验证也成为本工作的一个缺失环节。但无论如何，这一发现，证明了直接使用卤素组分来制备蓝光钙钛矿 LED 是可行的，而这也为钙钛矿LED的进一步发展铺平了道路。

这一工作的详细内容，最近以 Mixed halide perovskites for spectrally stable and high - efficiency blue light - emitting diodes 为题，发表在 Nature Communications 12, 361 (2021) 上 (https://www.nature.com/articles/s41467-020-20582-6)。看君若有兴趣，可点击文尾之“阅读原文”一览究竟。

参考文献

[1] Li, G. et al. Highly efficient perovskite nanocrystal light - emitting diodes enabled by a universal crosslinking method. Adv. Mater. 28, 3528 - 3534 (2016).

[2] Liu, X. et al. Metal halide perovskites for light - emitting diodes. Nat. Mater. 20, 10 - 21 (2021).

[3] Zhao, Y. et al. Strain - activated light - induced halide segregation in mixed halide perovskite solids. Nat. Commun. 11, 6328 (2020).

备注：

(1) 笔者之一高峰，瑞典林雪平大学教授。

(2) 标题“追寻蓝光 LED 材料的高峰”显然有一语双关之意。题目乃编者 Ising 所取和不顾作者反对而强行加的。

(3) 题头小诗乃编者所撰，表达了蓝光 LED 的重要性和难度。

(4) 封面图片显示钙钛矿蓝光 LED。图片来自：https://liu.se/en/news-item/blalysande-framsteg-for-lysdioder-av-perovskit。其中文 Anders Ryttarson Törneholm、拍摄 Thor Balkhed (林雪平大学)。

精选文章