【学术视频】中国物理学会2018年秋季学术会议/H半导体物理 | 北京工业大学刘巧莉

图 | 刘巧莉

题   目：盖革模式硅基雪崩光电二极管的设计与研究

报告人：刘巧莉

单   位：北京工业大学

时   间：2018年9月13日

地   点：大连理工大学

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报告提纲

• 研究了雪崩区不同注入计量及退火条件对于器件内部电场分布及击穿电压等特性的影响

• 制备了光敏面直径200μm的器件，增益达到10⁴

• 室温下709nm下的PDE约52.2%；PDE为13.7%时对应的DCR仅为3KHz

• 10℃下PDE约为38%

• 室温下709nm下器件的时间抖动约为64ps

会议简介

中国物理学会秋季学术会议(CPS Fall Meeting) 于2018年9月13日-16日在大连理工大学举行。此次会议包括：A：粒子物理、场论与宇宙学；B：核物理与加速器物理；C：原子分子物理；D：光物理；E：等离子体物理；F：纳米与介观物理；G：表面与低维物理；H：半导体物理；I：强关联与超导物理；J：磁学；K：软凝聚态物理与生物物理；L：量子信息；M：计算物理；N：统计物理与复杂体系；O：电介质物理；P：液晶；Q：超快物理；R：高能量密度物理；S：拓扑材料、物理与器件。 H半导体物理是此次会议中的专题之一。

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