【学术视频】纪念黄昆先生诞辰一百周年暨半导体学科发展研讨会 | 中科院上海微系统与信息技术研究所王浩敏研究员

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图 | 王浩敏

题   目：基于石墨烯纳米带的异质结构筑与逻辑器件探索

报告人：王浩敏

单   位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

时   间：2019-09-02

地   点：北京西郊宾馆

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报告摘要

石墨烯纳米带（GNR）具有优异的电学性能与热导率，是最具潜力制作未来集成电路的沟道材料之一。然而，GNR的性质完全由其晶体结构决定，根据手性不同，GNR表现为金属性或带隙不同的半导体性。制备手性均一可控的石墨烯纳米带仍然是亟需攻克的研究重点。本人报告采用化学气相沉积法，在经过刻蚀预处理的六角氮化硼基底上直接制备出手性均一可控的石墨烯纳米带，并进行能带调控。开展六角氮化硼表面纳米台阶刻蚀和石墨烯纳米带外延研究。利用热力学和动力学双重调控，探索石墨烯纳米带厚度、长度、堆垛和手性（包括：宽度、取向和边界结构）等形貌控制条件及内在机理，从而获得手性可控的石墨烯纳米带。通过包括原子精度元素分辨的精细表征在内的多种手段系统地研究石墨烯纳米带晶格结构与其物性之间的内在关系，并研究其能带调控机理。以此为基础，开发石墨烯纳米带场效应器件工艺和新原理逻辑器件，分析其载流子迁移率的影响机制。该研究将为未来石墨烯自旋逻辑器件的研发提供关键技术及实验基础。

个人简介

王浩敏，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员。毕业于华中科技大学，获工学学士（1999年）和硕士（2002年）学位。2009年于新加坡国立大学电气与电脑工程系获博士学位。2011年加入信息功能材料国家重点实验室，现任研究员。2004年以来，瞄准新型二维碳材料的国际研究前沿，围绕石墨烯在微纳电子学应用面临的主要科学问题进行持续创新，探索其微电子学应用的发展方向及技术路线，拓展其在集成电路、计量等领域的应用，在石墨烯纳米带制备及其器件方面形成特色研究。在Nat. Mater., Nat. Comm., Nano Lett., ACS Nano, Nanoscale, APL等刊物上发表论文40余篇，总它引4100次。授权国内专利28件，国际专利6件。嵌入氮化硼的石墨烯纳米带相关成果曾被Nature Nanotech.杂志做亮点报道。作为负责人和项目骨干承担国家重大专项、国家自然科学基金、中科院重点部署项目、中科院战略性先导专项项目课题、国家重点研发计划项目和上海市科委项目等多项科研项目。

会议简介

黄昆先生（1919-2005）是国际著名的物理学家，是中国固体物理学和半导体物理学的奠基人之一。2019年是世界著名物理学家、中国固体物理学和半导体物理学奠基人之一黄昆先生诞辰100周年。黄昆先生曾在中国科学院半导体研究所和北京大学工作，并曾兼任中国物理学会理事长。为了纪念黄昆先生，中国科学院半导体研究所、北京大学、中国物理学会和九三学社联合举办“纪念黄昆先生诞辰100周年暨半导体学科发展研讨会”，纪念他对科学与教育事业的贡献，缅怀他的高尚品格和道德情操，学习他严谨求实的治学态度和实事求是的精神，并研讨当前半导体科技的新进展。

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