【学术视频】第二十二届全国半导体物理学术会议 | 中国计量大学舒海波教授

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图 | 舒海波

题   目：低缺陷密度单层钼基硫族半导体的VLS生长-The VLS growth of low defect-density MoX₂ (X=S,Se) monolayer报告人：舒海波单   位：中国计量大学时   间：2019-07-11地   点：杭州

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报告摘要

二维过渡金属硫属化合物 (TMDs) 因为其独特的原子结构和优异的电学和光学性能,在纳米电子和光电子器件领域展现出巨大的应用潜力。实现其在光电器件上的应用依赖于制备高质量、低缺陷密度、大面积的二维过渡金属硫族化合物。在本工作中，我们提出基于气-液-固 (VLS) 生长机制的熔盐辅助CVD方法实现单层MoX₂(X = S, Se)大面积、高质量的快速生长。研究结果显示：(1) 熔盐溴化钠的使用能够使二硒化钼的生长速率提高两个数量级，从而使得二硒化钼的晶粒尺寸在一分钟内超过100微米，并在五分钟内形成连续单层膜；这种超快的生长一方面起源于生长初期Na-Mo-O种子液滴加速了二硒化钼的成核，另外一方面得益于一维VLS生长提供了大量的边缘kink位点，有效地促进了二硒化钼边缘的快速扩张；(2)熔盐中的卤素元素能够有效地钝化二硒化钼生长过程中形成的空位缺陷，从而能够提高其晶体质量和发光性能；(3)利用熔盐中的卤素元素实现了二硫化钼的缺陷修复，能够使得其激子发光强度能够提高30-50倍。这些研究成果为二维TMD材料的CVD生长提供了一个全新的认识，同时也能为其它二维TMDs晶体质量和光电性能的优化提供借鉴。

个人简介

舒海波，中国计量大学教授，浙江省中青年学科带头人培养对象。中科院百篇优秀博士论文，中科院院长特别奖获得者。2011年毕业于中科院上海技术物理研究所，获微电子与固体电子学专业理学博士学位。2011年3月至2012年8月在香港理工大学从事博士后研究。2014年9月-12月，新加坡南洋理工大学访问学者。2012年7月加入中国计量大学。近年来主要从事低维半导体、二维光电子纳米材料的生长机理、掺杂改性和多尺度模拟计算等方面的研究，以第一作者或通讯作者在国际权威期刊J. Am. Chem. Soc.,  ACS Nano, Chemical Science, ACS Appl. Mater. Interfaces, Nanoscale, Carbon, J. Phys. Mater. A/C, J. Phys. Chem. C 等发表SCI检索论文50余篇，他引1200余次。为Nat. Comm., Nano Lett., ACS Nano, J. Phys. Chem., Nanoscale, J. Mater. Chem. A/C, Phys. Chem. Chem. Phys., J. Appl. Phys., 2D Materials等20余种国际学术期刊审稿人。

会议简介

第二十二届全国半导体物理学术会议是浙江大学物理学系和浙江大学硅材料国家重点实验室承办，由中国物理学会半导体物理专业委员会主办的全国性会议。会议宗旨是促进国内半导体物理研究领域的学术交流，把握国际重大前沿领域的发展动向，提升国内半导体物理及相关学科的国际影响力。本届会议于2019年7月9~12日在杭州第一世界大酒店召开。朱邦芬院士、黄如院士、杜瑞瑞教授、段镶锋教授、熊启华教授、彭笑刚教授、陆卫教授、陆朝阳教授等知名学者莅临本届会议并作大会特邀报告。

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