【直播】【“半语-益言”系列讲座】中国科学院微电子研究所朱慧珑研究员：集成电路垂直纳米器件和工艺研究的新进展
本系列讲座由《半导体学报》主办，于2021年10月13日19:30开始。授权蔻享学术进行网络直播。
主 题：集成电路垂直纳米器件和工艺研究的新进展
主讲人：朱慧珑 研究员（中国科学院微电子研究所）
主持人：唐建石 副教授（清华大学）
时 间：2021年10月13日 19:30-21:00
主办方：《半导体学报》
赞助单位：凌云光技术股份有限公司
报告摘要
垂直纳米晶体管因其在减小标准单元面积、提升性能和改善寄生效应等方面，具有可满足功耗、性能、面积和成本等集成电路设计要求的优势，已成为1c DRAM和2nm及以下的未来技术节点的重点研发方向之一。本次讲座，在简要回顾集成电路的发展历程之后，将介绍垂直纳米器件的历史、优劣和挑战。重点讨论我们近期在解决垂直单晶纳米器件及集成工艺的关键问题中所取得的研究成果，包括1）工艺方面：多层原位掺杂外延、选择性各向同性原子层刻蚀、垂直器件假栅工艺、自对准高k金属栅工艺等新方法；2）器件方面：可精确控制栅极位置和尺寸的nMOS和pMOS等多种新型垂直环栅纳米片/纳米线器件的结构和电性。比较上述各种工艺和器件的优缺点及应用范围。最后，展望垂直纳米器件未来潜在的发展方向。
报告人介绍
朱慧珑分别于1982年和1988年获中国科学技术大学物理学士和北京师范大学物理博士，现为中国科学院微电子研究所研究员和国际欧亚科学院院士。自1990年起先后在美国的阿贡国家实验室、伊利诺伊大学、IBM等机构从事研发工作19年；发现和解释了纳米颗粒超快烧结的现象和机制；提出的多项应变硅专利作为核心技术被广泛应用于芯片制造。2009年回国后，任中科院微电子所集成电路先导工艺研究中心首席科学家，任国家重大专项02重大项目的首席专家；参与和领导研发出了中国第一个全后栅22纳米平面和14纳米三维FinFET原型器件，建立了较系统的高质量知识产权体系；提出并实现了具有自对准栅极的叠层垂直纳米环栅晶体管。获IBM引领发明家和发明大师荣誉称号；获中国科学院杰出科技成就奖、北京市科技一等奖、中国电子学会科技一等奖、02专项“个人突出贡献奖”、第三届“IC创新奖”产业创新突出贡献奖及第17、19两届中国专利优秀奖。获授权发明专利886项（第一发明人485项），含美国专利451项，发表文章112篇，引用11,445次，h指数52。
“半语-益言”系列讲座简介
《半导体学报》是中国科学院主管、中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物，1980年创刊，首任主编是王守武院士，黄昆先生撰写了创刊号首篇论文，现任主编是中科院副院长、国科大校长李树深院士。2009年改为全英文月刊Journal of Semiconductors（简称JOS），同年开始与IOP英国物理学会出版社合作向全球发行。2019年入选科协”中国科技期刊卓越行动计划”。2020年，JOS被EI收录。
近年来，《半导体学报》进行了一系列改革，在创刊四十年之际，2020年启动实施 “中国半导体年度十大研究进展”的推荐和评选工作；创建了JOSarXiv预发布平台，JOSarXiv致力于为国内外半导体领域科研人员提供中英文科技论文免费发布和获取的平台；针对半导体领域热点研究方向，组织多期系列专刊进行系统性、专业性介绍，为半导体领域科研工作者学术研究提供参考。经过一系列改革措施，《半导体学报》论文质量、行业影响力和论文引用率稳步提升，得到了国内外科研人员的大力支持和认可。
半导体集成电路和光电子芯片产业作为信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。近年来，随着国内外形势的快速变化发展，无论是半导体科研人员还是普通民众都对半导体芯片技术与产业的发展非常关注，期望我国能够尽快构建安全、自主、可控的半导体芯片研发与产业生态体系，早日摆脱受制于人的被动局面。
《半导体学报》举办"半语-益言"系列讲座，希望通过系列讲座普及半导体科学基础知识和前沿发展动态（即“半语”），让更多人了解半导体的内涵与外延并从中获得有用的知识（即“益言”），共同推动我国半导体科技与产业的发展。
半导体学报公众号
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编辑：苏苗苗
海报：苏苗苗
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