封装专栏｜40nm以下制程晶圆弹坑改善

01

选定理由

02

目前现状

FT后出现一些low yield批次包含FBGA及QFP等产品，FA分析后发现失效模式是弹坑。

03

原因分析

依据分析，建议源头改进pad结构

05

评估和执行

WB重新DOE调试新设计pad结构参数：

关键因子：

1 C/V，Current越小，对circuit破坏越小

2  EFO current越小，对circuit破坏越小

3 1st bond使用pro-bond比使用Classic对circuit破坏越小

文件化定义并锁定关键参数因子：

Step 1: 更新GWI

Step 2: 关联到MES系统管控

06

效果确认

FT良率追踪：

选取两个使用GWI参数的40nm晶圆器件，后续FT成品率保持稳定。在其它40nm晶圆器件中没有出现弹坑的情况。

07

标准化

更新了新的验收流程，当WB验收小于或等于40nm时，需要在实验室进行偏光显微镜测试。

08

持续改善

1．供应商的（晶圆，基板，电线...）工艺不一定适合我们。基于此，我们需要了解原材料对我们的流程的风险；

2．通过我们的方法，我们了解了参数调整的方向，以降低这种焊盘设计的

风险，重要的是我们更新了GWI，以减少类似的质量问题；

3．此外，我们还发现了一种新的缺陷检测方法，以检测焊盘下的裂纹，这

种方法在传统的FA流中是无法发现的。

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