砷化铟镓 VS 锗红外探测器
砷化铟镓（InGaAs）和锗（Ge）光电二极管探测器通常用于测量近红外范围内的光功率。Newport 提供多种 NIST 可追溯 InGaAs 和 Ge 探测器（请查阅低功率经校准的光电二极管传感器 918D 系列 818 系列）。这些探测器的参数规格极其接近，仅某些关键部分存在差异：例如，并联电阻和芯片电容。但是这些差异会导致极大的性能和价格差异。
分流电阻
分流电阻的理想值是无限大，但是每个光电二极管的分流电阻都为有限值，从而导致 Johnson 噪声。Johnson 噪声的大小与电荷载流子中的随机热波动有关，与分流电阻值成反比。因此，为了最小化噪声，分流阻值越大越好。 对于这一点，锗和砷化铟镓之间有区别。InGaAs 探测器的分流电阻约为 10 MΩ，而 Ge 探测器的分流电阻在 kΩ 量级，几个数量级的差异。
因此 Ge 探测器的热感应噪声（Johnson 噪声）比 InGaAs 探测器高得多。值得注意的是，我们 Newport 使用特殊高分流电阻的 Ge 光电二极管，其电阻值是标准 Ge 二极管的两倍。
探测器的有效面积越大越好？
一些厂家宣传其锗探测器的有效面积很大。但是用户需要注意，较大的有效面积将导致较大的暗电流以及较低的分流电阻。分流电阻越小，热噪（Johnson 噪声）越大。暗电流的增加会导致更高的散粒噪声。Ge 的暗电流比 InGaAs 高得多，较大的有效面积可能会引入较高的噪声电流 。Newport 的 Ge 检测器有效区域直径为 3 mm。在其他所有条件相同的情况下，与 5 mm二极管相比，3 mm 二极管的分流电阻值可提高 3 倍，暗电流可降低 3 倍。
918D 系列 InGaAs 和 Ge 探测器规格参数对比表
备注
1. 适用于整个光谱响应范围，带衰减器的最大值适用于 OD3。对于 OD2，列表值将降低 10 倍，对于OD1，列表值将降低 100 倍
2. 15 ns 脉冲宽度，带衰减器的最大值适用于 OD3。对于 OD2，列表值将降低 10 倍。对于 OD1，列表值将降低 100 倍。
3. 均匀性说明仅适用于探测器
4. 校准不确定度随 NIST 标准不确定度内容的变化而变化。
近期活动
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