总投资2.19亿！SiC功率模块及器件研发和产业化项目备案

■ 信息来源| 江西省投资项目在线审批监管平台、江西万年微电子等（本文由“SAGSI硅产业研究”整理后发布，转载请注明出处）

5月17日，江西省投资项目在线审批监管平台显示，“基于先进碳化硅技术的功率模块及器件的研发和产业化项目  ”已备案。

项目名称

基于先进碳化硅技术的功率模块及器件的研发和产业化项目    

投资金额

21927.81万元   

建设单位

江西万年芯微电子有限公司  

建设地点

江西省上饶市万年县丰收工业园        

建设规模及内容

新增基于碳化硅技术的功率模块及器件封装研发设备及研发线，并扩建量产生产线。通过购置封装先进设备和仪器，选用和优化高性能封装材料，研发功率模块及器件封装技术及专用治具，达到项目技术指标，通过客户可靠性考核。项目建成后达到年产WPM11系列大功率模块约60万只/年，IPM系列大功率模块约1800万只/年。    

建设周期

2023年06月—2024年04月  

备案状态

已备案    

企业简介

江西万年芯微电子有限公司成立于2017年2月13日，主要从事4-12英寸半导体集成电路的封装测试、大容量闪存芯片的封装测试、传感器类产品的研发制造、SiC大功率模块的研发制造；公司位于江西省上饶市万年高新技术园区。目前有员工600余人，年营业额约6.4亿元人民币。据了解，万年芯在首款PIM模块外形基础上进行了产品系列化升级，推出了搭载SiC MOSFET先进芯片的大功率PIM模块及平板散热器模块。PIM平板散热器模块外形这款SiC MOSFET PIM模块拥有非常多的自主创新，例如采用多种自主创新的封装结构和工艺，使用了热敏电阻芯片（NTC）的高效贴片工艺，优化了高性能AMB基板布线设计和面积，达到了更高的可靠性和更低成本，并优选了有压烧结银封装材料和水冷铜针座散热器。据万年芯透露，这些创新技术的组合，使得这款SiC MOSFET PIM模块的最大连续工作结温可达到175℃，在模块封装尺寸不增加的情况下，整体的输出功率得到大幅提升，相比硅基IGBT PIM，这款碳化硅PIM的额定电流提升了50%。借助SiC MOSFET的优异性能，这款PIM模块也能实现小型化。通过采用SiC MOSFET替代硅基IGBT，这款PIM模块的整体电路拓扑更为简单，模块体积减少约57％，同时热导率比硅基PIM封装提高30％。这款PIM模块还能够满足车规级AQG324可靠性要求，其主要应用包括新能源汽车、充电桩、储能等新兴领域，公司自主研发的电源模块功率达到120KW以上，输出电压高达1050V，输出电流最高达到350A。近年来，公司不断加大新品研发投入和技术创新，依托高校联合、不断引进专业人才，不断扩大产业规模，快速提升设计、开发、封测技术水平。通过资源整合，不断完善产业发展布局，努力将公司发展成为国内外知名的半导体创新企业，不仅技术领先、而且质量可靠，助力中国半导体产业行稳致远。

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责任编辑：陆颖 

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