新突破！天岳先进采用液相法制备出低缺陷的8英寸SiC单晶

■ 信息来源| 化合物半导体杂志、芯TIP

2023年6月29日，天岳先进携8英寸碳化硅衬底最新技术动态亮相Semicon China展会，受到高度关注。公司CTO高超博士在同期举办的功率及化合物半导体产业国际论坛公开了天岳先进最新进展。

△天岳先进的展位备受关注在产品方面，目前公司以6英寸导电型碳化硅衬底为主，满足全球客户的需求。产能上，公司上海临港工厂已经进入产品交付阶段，持续发力提升6英寸衬底的产量；晶体质量和厚度持续提升，规模化生产衬底质量稳定可靠。通过自主扩径技术制备的高品质8英寸产品，目前也已经具备产业化能力。在技术及研发方面，一直以来，公司持续保持较高的技术研发投入，积极布局前瞻性技术。做为一种有潜力的碳化硅单晶制备新技术，液相法备受关注。通过液相法获得均匀且高品质的晶体需要对温场和流场进行控制，具有较高的技术难度，天岳先进在该技术上布局多年。近日，公司采用液相法制备出了低缺陷的8英寸晶体，通过热场、溶液设计和工艺创新突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题，尚属业内首创。
除了产品尺寸，在大尺寸单晶高效制备方面，采用公司最新技术制备的晶体厚度已突破60mm，而这对提升产能具有重要意义，该技术也是公司重点布局的技术方向之一。SiC半导体应用发展进入快车道，特别是在高压高功率领域优势更加凸显，发展加速，新的应用场景不断涌现，但最关键的衬底制备环节具有极高的技术门槛和较长的扩产周期，加剧了供需缺口。天岳先进继续在产品尺寸、晶体厚度、衬底品质等多维度持续加大研发和技术提升，始终保持领先，引领行业发展。

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责任编辑：陆颖 

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