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浙江一SiC项目开工

■ 信息来源 | 今日半导体(本文由“SAGSI硅产业研究”整理后发布,转载请注明出处)
8月10日,芯科半导体在杭州市富阳区大源镇9号地块,举行了SiC MOSFET芯片基地开工仪式。
该项目一期用地面积约30亩,总投资4亿元,将建设碳化硅功率芯片产业化基地,计划年产1000万颗功率芯片,6吋SiC外延片1万片。
芯科半导体成立于2021年9月,是一家专业从事SiC外延片、功率芯片及器件类产品研发、设计、销售的IDM公司。2022年芯科半导体已实现数千万元营收,产品得到阳光电源、通威股份、海康、大华、吉利、比亚迪等多个领域头部客户认可。
据了解,2022年6月,芯科半导体宣布其碳化硅MOSFET功率芯片已通过工信部电子测试认证并完成了外延片生产制造和功率芯片样品生产,即将进行量产销售。


2023年

高纯石英材料技术及应用高峰论坛

(11月1-3日   江苏徐州)

主办单位:北京国化新材料技术研究院承办单位:ACMI硅材料研究所支持单位:硅产业绿色发展联盟支持媒体:SAGSI硅产业研究、有机硅、国化新材料研究院、硅产业绿色发展联盟官网会议主题:资源高效利用、技术创新发展、应用高端突破暂定议题:

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