武汉一年产36万片SiC晶圆项目开工

■ 信息来源 | 武汉大小事儿、芯TIP（本文由“SAGSI硅产业研究”整理后发布，转载请注明出处）

9月1日，长飞先进半导体武汉基地开工仪式在光谷科学岛圆满举行。

项目位于光谷科学岛，项目总投资预计超过200亿元。其中，项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。

一期项目预计2025年建设完成，届时将成为国内最大的SiC功率半导体制造基地，产能规模将居行业领先地位。

8月25日，东湖高新区管委会与长飞先进半导体签署了第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议书。（详见：超200亿元！长飞先进第三代半导体功率器件项目落地武汉）

以此次武汉基地开工仪式为契机，长飞先进将不断加快碳化硅产业建设步伐，加强关键核心技术攻关和创新突破，朝着“世界领先的宽禁带半导体”公司加速前进。

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