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产能释放!湖南三安光电碳化硅衬底年产能将扩大至50万片

■ 信息来源 | 三安光电公告(本文由“SAGSI 硅基新材料”整理后发布,转载请注明出处)



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2024年1月23日,三安光电在互动平台表示,公司全资子公司湖南三安SiC产能正逐步释放,湖南三安半导体基地二期工程目前已进入厂房装修后期阶段,2024年一季度即将贯通。

2021年6月23日,总投资160亿元的湖南三安半导体基地一期项目投产,将打造国内首条、全球第三条碳化硅垂直整合产业链,可月产30000片6英寸碳化硅晶圆。

2022年7月,湖南三安半导体基地项目二期开建,总投资为80亿元,全面达产后将实现50万片6英寸SiC衬底的年产能。

湖南三安半导体属于三安光电下属子公司,主要业务涵盖碳化硅、氮化镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造及服务,目前建立具有自主知识产权的衬底(碳化硅)、外延、芯片及封装产业生产基地。湖南三安半导体是三安光电在SiC领域布局的重点项目。
公司碳化硅产品性能行业领先,获得国内外知名客户的信赖,已广泛应用于光伏、储能、新能源汽车等可靠性要求高的领域。根据三安光电的财报数据显示,湖南三安上半年实现销售收入5.82亿元,同比增长178.86%;净利润为3.32亿元,同比显著增长266.99%。湖南三安就已签署的长期采购协议着力推进产品交付,并持续跟进数家新能源汽车客户的合作意向。


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