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年产24万片6英寸SiC外延片项目公示

■ 信息来源 | 普兴电子(本文由“SAGSI硅基新材料”整理后发布,转载请注明出处)



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2月26日,河北普兴电子科技股份有限公司(以下简称普兴电子)官网信息显示,公司“6英寸低密度缺陷碳化硅外延片产业化项目”进行了第一次环境影响评价信息公示。公告显示,本项目总投资35070.16万元,利用公司1#厂房进行改扩建,建筑面积约4000平米,购置碳化硅(SiC)外延设备及配套设备116台(套),形成一条6英寸低密度缺陷SiC外延材料生产线。项目建成后,将实现年产24万片SiC外延片的生产能力。普兴电子官网显示,公司成立于2000年11月,致力于高性能半导体材料的外延研发和生产,是中电科半导体材料有限公司(以下简称电科材料)控股子公司。普兴电子的主要产品为各种规格型号的硅基外延片、氮化镓(GaN)和SiC外延片,可广泛应用于清洁能源、新能源汽车、航空航天、汽车、计算机、平板电脑、智能手机、家电等领域。近年来,电科材料下属普兴电子积极布局第三代半导体外延材料的研发生产,在2021年9月启动了占地面积130亩的新外延材料产业基地建设项目,并于2022年4月完成主厂房封顶,9月搬入首批生产、检验设备,11月即实现了首片硅外延和SiC外延下线,标志着该产业基地正式进入试生产和验证阶段。据悉,2022年4月,普兴电子还公示一项“6英寸碳化硅外延片产业化项目”,该项目总投资18000万元,租用同辉公司(隶属于中电科十三所)现有厂房,采购SiC外延炉15台及配套测试仪器等,建设完成1条6英寸SiC外延片批量生产线,实现年产6英寸SiC外延片6万片的生产能力。

随着6英寸低密度缺陷SiC外延片产业化项目落地实施,普兴电子6英寸SiC外延片产能将得到较大提升,有助于公司进一步深化第三代半导体外延材料领域布局。


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