加码注资，天岳先进将投资5亿元推进SiC材料项目

■ 信息来源 | 天岳先进公告、集邦化合物半导体（本文由“SAGSI 硅基新材料”整理后发布，转载请注明出处）

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3月2日，天岳先进发布公告称，将此前公司首次发行股票并在科创板上市募资净额32亿元的部分闲置资金，在不影响募集资金投资项目建设进度的前提下，使用不超过5亿元投资“碳化硅半导体材料项目”。

公告显示，根据募集资金投资项目的资金使用计划及项目的建设进度，公司在确保不影响募集资金投资项目建设进度的前提下，为了提高募集资金使用效率，降低公司财务成本，公司拟使用不超过人民币5亿元（含本数）的闲置募集资金暂时补充流动资金，使用期限自公司董事会审议通过之日起不超过12个月，并且公司将随时根据募集资金投资项目的进展及需求情况及时归还至募集资金专用账户。根据2022年募投计划，公司将于上海临港建设SiC衬底生产基地，扩大公司导电型SiC单晶衬底产能，原计划于2022年试生产、2026年达产，实现年产能30万片导电型SiC衬底。

上个月，天岳先进曾表示，上海临港新工厂已于2023年5月开始交付6英寸导电型SiC衬底，目前产能和产量均在持续爬坡中。按照目前的进展来看，天岳先进预计将提前实现达产。

在此基础上，天岳先进在2023年下半年已决定通过优化生产工艺、调整生产设备等方式，将6英寸SiC衬底的生产规模扩大至96万片/年，相当于产能比原计划扩大220%。上海临港工厂达产后，将成为天岳先进导电型SiC衬底主要生产基地。

此次加码注资，天岳先进有望更加稳健推进SiC材料项目实施。

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