年产36万片碳化硅晶圆，长飞先进武汉基地建设迎来新阶段
6月18日，长飞先进武汉基地晶圆制造厂房楼顶完成浇筑，年产36万片碳化硅晶圆的长飞先进武汉基地正式迎来主体结构封顶的关键时刻！
长飞先进武汉基地主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。项目总投资预计超过200亿元，占地面积约22.94万㎡，建筑面积约30.15万㎡。
2023年9月1日正式动工，预计2025年7月量产通线。项目投产后可年产36万片碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩等领域，届时将成为国内最大的碳化硅功率半导体制造基地。
长飞先进董事长庄丹表示，武汉基地项目目前已进入质量管理关键阶段。希望全体人员全力以赴，保障武汉基地早日投产，为成为世界一流的碳化硅器件制造标杆工厂目标打下坚实根基。
据悉，2023年8月25日，武汉市东湖高新区管委会与长飞先进半导体签署了第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议书。长飞先进第三代半导体功率器件研发生产基地项目总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。
值得一提的是，2023年5月，长飞先进半导体明确提出“All in SiC-十年黄金赛道”的发展战略，全面发力SiC赛道。当年7月，长飞先进半导体SiC战略项目（KO）A样品达到预期设计目标，标志着长飞先进半导体拥有车规级SiC MOSFET产品自主研发能力。
据了解，长飞先进拥有完全自主知识产权的1200V Gen3 SiC MOSFET设计及工艺平台，15mohm产品比导通电阻（Ron，sp）已达3.4mΩ·cm2，跻身国际先进水平。除此之外，长飞先进基于该平台的主驱SiC MOSFET晶圆产品良率达80%。
2023年12月，长飞先进首颗自研产品1200V 20A SiC SBD正式进入试产阶段，标志着长飞先进已具备SiC产品自主研发及量产能力。
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