天科合达8英寸碳化硅衬底二期项目开工！

■ 信息来源 | 天科合达、艾邦半导体网、芯智讯（本文由“ACMI硅基新材料”整理后发布，转载请注明出处）

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在中国有色金属工业协会硅业分会、谷城县人民政府的指导下，北京安泰科信息股份有限公司、北京国化新材料技术研究院、云南省硅工业工程研究中心等将于2024年11月26日-28日在湖北谷城联合举办“2024硅基新材料产业发展高峰论坛”，新增实地考察吉利硅谷、潘达尔、湖北瑞佳硅材料等硅巨头企业及当地硅矿资源和园区等交流内容，诚邀行业人士共同参与。

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2024年11月12日，天科合达官微宣布，公司“第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目”开工仪式在北京顺利举行。

该扩产项目旨在打造行业内领先的智能化生产线，量产8英寸碳化硅衬底。该项目全面投产后，公司的产能将得到显著提升，进一步巩固其在碳化硅衬底市场的领先地位。据了解，该二期项目位于北京市大兴区大兴新城东南片区0605-022C地块为现有工程东侧空地；项目总占地面积52790.032m²，总建筑面积105913.29m²，包括生产厂房、化学品库、危废库、一般固废库、综合楼、门卫等。该项目用于扩大天科合达碳化硅晶体与晶片产能，同时建设研发中心以对生产工艺和参数持续进行优化和完善，投产后将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底，其中6英寸导电型碳化硅衬底23.6万片，8英寸导电型碳化硅衬底13.5万片。杨建总经理在致辞中表示：
“公司核心产品为6-8英寸碳化硅衬底，技术参数指标与国际龙头企业相当，产品质量达到国际先进水平，已向国内外多家企业及科研机构批量供应，为国产碳化硅材料在功率器件、微波射频器件等领域的应用奠定了基础。同时，公司的产品畅销至日本及欧美在内的20多个国家和地区，是国内少数能够进入国际知名企业的高端技术产品。”天科合达表示，随着北京二期项目的启动，标志着天科合达开启了崭新的发展篇章，同时为区域经济的蓬勃发展注入了新的动力。该项目不仅将推动公司在碳化硅衬底材料领域的技术进步和产能扩张，也能通过优化生产流程和提高效率，有效降低成本。

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