Vol.3 从平面晶体管到FinFET再到纳米线晶体管的技术拐点【报告说】

众所周知，平面晶体管工艺在20 纳米触碰到了“天花板”，为了继续前进，英特尔于 2011 年开始在其 22 纳米工艺上转向 FinFET，FinFET晶体管随后也成为全球主要晶圆厂的选择，一直用到现在的7nm及5nm工艺，但随着制程推进到5nm节点，工艺技术的发展又将面临一个新的分水岭。
纳米线晶体管架构似乎给予了更多选择。它一面是 FinFET，四周环绕着包裹着它的栅极。纳米片 FET 或在 3 纳米工艺上服役，而且可能会继续延伸至 2nm 或以下节点中。
本期【报告说】讨论了的主题是“从平面晶体管到FinFET再到纳米线晶体管的技术拐点”。

以下是报告的部分概览：

由于完整版发言报告篇幅过大，如需获取完整版（PPT），在公众号后台回复“报告说”，获取领取方式。

∎ 长按扫码关注

∎ 知识充电站

∎ 科普图解篇

∎ 深度原创篇

∎ 高峰论坛推荐

【免责声明】文章为作者独立观点，不代表半导体材料与工艺设备立场。如因作品内容、版权等存在问题，请于本文刊发30日内联系半导体材料与工艺设备进行删除或洽谈版权使用事宜。