2020-2021，湖南三安跑出 “加速度” ！

6月23日上午，总投资160亿元的湖南三安半导体基地一期项目正式点亮投产，将打造国内首条、全球第三条碳化硅垂直整合产业链，可月产3万片6英寸碳化硅晶圆。这是国内LED芯片龙头三安光电向第三代半导体领域扩张的重要一步。

湖南三安
湖南三安半导体基地位于长沙高新产业园区内，规划用地面积约1000亩，总投资160亿元。主要建设具有自主知识产权的以碳化硅、氮化镓等宽禁带材料为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地，该项目将建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，研发、生产及销售6寸SIC导电衬底、4寸半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。其产品可广泛用于新能源汽车、高铁机车、航空航天和无线(5G)通讯等领域。
图片来源：长沙晚报
国内第一，全球第三大规模生产优势碳化硅垂直整合生产线
点亮仪式上，三安光电股份有限公司副董事长、总经理林科闯表示，湖南三安半导体的业务涵盖衬底材料、外延生长、晶圆制造及封装测试等环节，打造了国内第一条、全球第三条碳化硅垂直整合产业链，能为客户提供高品质准时交付产品的同时，兼具大规模生产的成本优势。
据悉，三安光电第三代半导体产品已规模应用于电子电子等领域。公司2020年财报显示，截至2020年年底，公司电力电子产品主要为高功率密度碳化硅功率二极管、MOSFET及硅基氮化镓功率器件。碳化硅二极管开拓客户182家，送样客户92家，转量产客户35家，超过30种产品已进入批量量产阶段。二极管产品已有2款产品通过车载认证，送样客户4家，目前封装测试中。三安光电发布2020年报、1Q21季报，透露了诸多新进展！
回顾过去，三安化合物市场布局跑出“加速度”
早在2014年，公司为进军"化合物半导体"集成电路市场，参与投资设立了三安集成子公司，设立之初的三安集成，主营业务是砷化镓、氮化镓微波射频代工业务。到2018年，公司业务领域扩大至包括硅基氮化镓、碳化硅电力电子领域，滤波器领域以及磷化铟、砷化镓等材料的光通讯接收器、激光器领域。其产品主要应用领域包括射频通信、电力电子、光通信等领域。
近两年，宽禁带半导体市场热度攀升，风口将至，三安集成作为中国首家基于6英寸晶圆的化合物半导体晶圆代工厂备受瞩目，三安的优势在于产业链布局完整，从衬底、外延、制程开发到芯片封测，都有相应的投入和规划；三安集成一直以来对外宣传致力于成为世界级的化合物半导体研发、制造和服务平台，服务全球IDH和IDM。
这两年乘着宽禁带半导体产业发展的东风三安往前奔跑的速度，也着实让人惊艳！
2020 年 6 月，公司公告在长沙高新技术园区成立子公司，投资160 亿元于SiC 等化合物第三代半导体项目， 包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链。长沙投资的具体项目的产品。
包括6 寸 SiC 导电衬底、4 寸半绝缘衬底、SiC 二极管外延、SiC MOSFET 外延、SIC 二极管外延芯片、SiC MOSFET 芯片、SiC 器件封装二极管、SiC 器件封装MOSFET。该项目 2020 年 7 月开工，计划 2021 年 6 月试产，预计 2 年内完成一期项目并投产，4 年内完成二期项目并投产，6 年内达产。
6月24日，三安光电发布的《2019年度非公开发行股票发行情况报告书》，披露了定增结果。格力电器和长沙先导高芯分别出资20亿元和50亿元，认购了三安光电非公开发行的约4亿股股票。此次募投项目总投资金额约138亿元，三安光电的意图明显，旨在加码化合物半导体业务。
2020H1，三安集成实现收入 3.75 亿元，同比增长 680%。砷化镓射频出货客户累计将近 100 家、氮化镓射频产品重要客户产能正逐步爬坡；电力电子产品客户累计超过60 家，27 种产品已进入批量量产阶段；光通讯业务除扩大现有中低速PD/MPD 产品的市场领先份额外，高端产品 10G APD/25G PD、VCSEL 和 DFB 发射端产品均已在行业重要客户处验证通过，进入批量试产阶段；滤波器产品开发性能优越，产线持续扩充及备货中。
2020 年 8 月，全资子公司湖南三安拟以现金 3.815 亿元收购福建北电新材料 100%股权。北电新材成立于 2017 年，是第三代半导体的材料、衬底制作商。北电新材主要从事第三代化合物半导体关键材料所需原材料粉料合成、长晶和衬底的加工。前期小试线专注于晶体缺陷密度、产品良率等技术指标提升，重点突破晶体生长和加工研制的关键技术。目前，采用其衬底制作芯片良率居国内前列，晶体质量和器件应用可靠性优；公司中试线已建成，未来随着产能逐步扩大，营收及利润将会持续增长。
2020 年 12 月，三安集成首次推出 1200V 80mΩ SiC MOSFET，目前已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试，可广泛用于光伏逆变器、开关电源、脉冲电源、高压DC/DC、新能源汽车充电和电机驱动等领域，目前多家客户处于样品测试阶段。

三安 SiC MOSFET 性能优异，可有效降低成本。三安此次推出的 SiC MOSFET 采用平面型设计，通过反复优化，提升 SiC 栅氧结构质量，阈值电压稳定性得到明显提高，1000 小时的阈值漂移在 0.2V 以内，进而提升了器件可靠性。此外，三安通过优化SiC MOSFET器件结构和布局，提升了其SiC 体二极管通流能力，使器件在实际应用过程中，可以不需要额外并联二极管，从而有效降低系统成本、减小体积。
2021年1月19日，湖南三安半导体项目最大单体M2B芯片厂房顺利完成封顶，此次封顶标志着这座湖南省境内的首个第三代半导体产业园项目（一期）Ⅰ标段完成全面封顶，预计该项目在2021年中有望实现全面投产。
到今天一期项目正式点亮投产，用时不足一年，我们在见证“三安速度”的同事，也深感国家发展集成电路产业的决心和“速度”。
期待三安和宽禁带半导体的“光明未来”！
来源：IN SEMI

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