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美国向三星电子提供64亿美元补贴
本文由半导体产业纵横(ID:ICVIEWS)综合美国已公布超过230亿补贴计划。当地时间4月15日,美国政府宣布将向在得克萨斯州兴建半导体工厂的三星电子提供64亿美元补贴。韩国政府此前向美方提出“让对美进行半导体投资的韩企享受无差别对待”的要求。美国商务部称,三星是唯一一家在先进内存和先进逻辑技术方面都处于领先地位的半导体公司。三星将在接下来数年投资400亿美元,支持创造至少2.15万个就业机会。韩联社报道,三星的泰勒首家工厂将从2026年起生产4纳米和2纳米芯片,第二工厂将从2027年起量产尖端芯片,研发工厂也将于2027年投产。美国对三星的补贴规模仅次于对英特尔(85亿美元)和台积电(66亿美元)的补贴规模。三星将在泰勒地区建设两个领先的逻辑晶圆厂,专注于4纳米和2纳米制程芯片技术的大规模生产,一个研发晶圆厂,专注于开发和研究比目前生产的制程更先进的技术,以及一个先进的封装工厂,用于生产3D高带宽内存和2.5D封装,这两种技术都在人工智能领域具有关键应用。三星电子将向得州泰勒市投资170亿美元,扩大兴建中的半导体工厂规模和投资对象,直至2030年共投资450亿美元。这比原先计划的投资规模多出一倍以上。同时三星将在得克萨斯州的奥斯汀扩建三星的现有设施,以支持美国航空航天、国防和汽车等关键行业的全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)工艺技术的生产。这项拟议的投资还包括与美国国防部的合作。“我们不仅仅是在扩大生产设施;我们正在加强当地的半导体生态系统,并将美国定位为全球半导体制造目的地,”三星电子设备解决方案(DS)部门总经理兼首席执行官庆桂显(Kye