存储行业深度报告：周期弹性将现，“算力+”拓展边际空间

（报告出品方/作者：中银证券，苏凌瑶）

供需平衡带动价格止跌，存储周期反转在即

存储是最能反映半导体景气度的细分品种

存储芯片隶属于半导体大类中集成电路的范畴。半导体可分为分离器件、光电子、传感器和集成电 路四大类。其中，集成电路是半导体中占比最高的产品类型，2022 年其市场规模达 4799.88 亿美元， 约占整个半导体市场规模的 82.74%，集成电路包括模拟芯片、微处理器芯片、逻辑芯片和存储芯片 等四种类型芯片。存储芯片（Memory Chip）是一种用于数据存储和读取的电子器件，其由一系列存储单元组成，每 个存储单元可以存储一个或多个比特的数据。存储芯片包括一旦断电储存的数据就会丢失的易失性 存储（RAM），以及断电后不影响保存数据的非易失性存储（ROM）。其中，RAM 按照是否需要 刷新分为 SRAM 和 DRAM（需要刷新），DRAM 按应用场景的不同分为 DDR 以及 LPDDR；ROM 芯片中最为常见的是 Flash，其按照不同的存储结构分为基于页的 NAND Flash 以及基于字节的 NOR Flash，NAND Flash 按应用场景不同又分为嵌入式存储、固态硬盘 SSD 以及移动存储等。DRAM、 NAND 是目前全球最主要的存储器，根据 ICInsights 的数据显示，2021 年全球 DRAM\NAND\NOR 营收占比分别为 56%\41%\2%。目前存储芯片被广泛应用于各种电子设备和系统中，例如个人电脑、智能手机、数码相机、游戏机、 汽车电子、物联网设备等。

存储芯片在集成电路中占比较高。根据 WSTS 数据，2021、2022 年，存储芯片在集成电路销售额中 占比 33.23%、28.00%，同时预测 2023 年全年集成电路销售额将达到 4530.41 亿美元，其中存储产品 销售额达 1116.24 亿美元，占比 24.64%，在半导体市场遇冷的大环境下，仍旧占比较高。据 Yole 预测数据，存储 21-27 年 CAGR 达到 8%，至 2027 年，存储市场规模有望达到 2630 亿美元。

存储芯片市场弹性较强，将有望引来上行周期。存储芯片大宗商品属性较强，标准化程度高，故其 可替代性较强、价格对下游市场需求较为敏感，因此存储芯片的周期波动往往高于半导体行业的整 体周期波动，在整体行业处于下行周期时，存储市场往往会受到更高的冲击，而相应地若处于从低 谷持续回暖的上行周期，存储芯片市场也将会相对受益更多；同时，根据过去的历史规律，存储芯 片下跌周期往往不超 3 年，而目前存储市场景气度下行已持续近两年半，我们预计其有望很快迎来 上行周期，根据 WSTS 的预测，存储 2023-2024 年市场规模为 840.4 亿美元和 1203.3 亿美元，分别 同比-35%，+43%。

多维度论证存储周期底部已至

我们将从价格、库存、供给、需求四个角度来论述存储周期底部已至。①价格端，分为回溯存储芯 片历史价格周期与预测存储芯片短期价格波动两部分论证其价格走向；②库存端，由于处于不同的 市场周期，厂商会有不同的备货策略，通过分析存储龙头企业的库存水位及其变化，可以大致判断 未来短期市场周期变动；③供给端，通过分析存储原厂的产能利用率以及 CAPEX 判断未来存储芯 片市场的供给情况，从而分析对价格的影响；④需求端，通过分析存储芯片主要下游应用领域景气 度的大致变化，判断对上游存储市场的作用效力。

价格

回溯 DRAM 价格周期。主流颗粒 DDR4 - 4Gb - 512Mx8 2133/2400 MHz、DDR4 - 8Gb - 1Gx8 2133/2400 MHz、DDR3 - 4Gb - 512Mx8 1333/1600 MHz 现货平均价自 2022 年初便一路下跌至近两年 来价格谷底，目前下跌速度趋缓，我们预计仍将有一段时间的下跌，但下降空间不大。其中以 DDR4 - 4Gb - 512Mx8 2133/2400 MHz 为例，目前该颗粒现货价格 1 美金，而在去年同一时间点的价格约为 2.28 美金。

回溯 NAND Flash 价格周期。NAND Flash 经过了 2021 年开始的相对高点之后，目前也处于下跌周 期，周期长度与 DRAM 基本重合。代表性颗粒 128\256\512Gb TLC wafer 价格均处于近两年低谷， 如 512Gb TLC Wafer 现货目前平均价仅为 1.40 美金。我们预计，相比 DRAM，NAND 有望先迎来 价格上行。

23Q3DRAM、NAND 产品均价继续下跌但跌幅预计减少，NAND Flash Wafer 产品均价有望上涨。对于短期内 DRAM 和 NAND 芯片的价格变动，参考 TrendForce 对 3Q23 产品价格的预估：①DRAM 方面，受益于 DRAM 供应商陆续启动减产，以及季节性需求支撑减轻供应商库存压力， 预期 23Q3DRAM 均价跌幅将会收敛至 0~5%，其中 PC DRAM、Server DRAM、Moblie DRAM、 Graphics DRAM、Consumer DRAM 的 23Q3 均价均预计环比下跌 0~5%；②NAND Flash 方面，同样受惠于原厂减产幅度持续扩大，与季节性旺季需求支撑，预估 23Q3 整体 NAND Flash 均价下跌收敛至 3~8%，其中 NAND Flash Wafer 均价预估将率先上涨，环比增长 0~5%；eMMC、UFS，其合约均价预计跌幅仍有约 8~13%；Enterprise SSD 均价跌幅将收敛至 5~10%；Client SSD 均价将环比下跌 8~13%。

库存

对比海外存储大厂海力士与美光的库存，自 22 年初水位一直增长，反应过去存储一直处于下行周期， 目前海力士库存水位增速放缓，其周转天数已达峰，23Q2 有望看到好转；美光 FY23Q2 存货、存货 周转天数水平较 FY22Q4 均有所下行，公司在 FY23Q3 法说会也公开表明其客户库存正在改善：除 数据中心外，美光的其他终端市场的库存接近正常水平，数据中心的客户库存预计在今年年底或往 后不久也会有所改善。美光 FY23Q3 指的是公司 2023 年 2 月-5 月的经营季度，对应了三星、海力士 一部分的 FY23Q2 的财务情况，因此从美光的指引来看三星、海力士 FY23Q2 的库存水位很有可能 看到好转的迹象。同时，近日三星突然在非常规的人事季节更换 DRAM 部门负责人，与其上半年存 储半导体表现低迷亦有关联。我们判断，海外存储大厂的库存水位与库存周转天数的变化是目前存 储行业已触底的积极信号。

供给

供给方面，低迷的市场表现和严重的亏损影响着各大存储芯片厂商，为及时调整库存和减少供应过 剩带来的负面影响如降价等，三星、SK 海力士、美光、铠侠、西部数据等大厂纷纷于半年内宣布大 幅减产、缩减资本支出。根据美光 FY23Q3 法说会信息，其近期将 DRAM 和 NAND 晶圆开工率进 一步减少至接近 30%，预计减产将持续到 2024 年，这或也将对应三星、海力士等存储大厂 FY23Q2 的晶圆开工率情况。在大厂纷纷减产影响下，存储市场的供给将会持续减少以应对当前客户足量的库和下游萎靡的需求， 最终驱动供求关系稳定地趋于平衡，存储芯片价格将会止跌。

需求

根据 IC Insights 数据，2021 年 NAND flash 和 DRAM 占存储芯片市场份额近 97%，因此 NAND Flash 和 DRAM 的下游需求结构能够反映存储芯片主要下游应用。根据 Trendforce 与华经产业研究院的相 关数据，智能手机分别占到 NAND Flash 和 DRAM 下游应用的 40%左右，服务器分别占 23%和 34%， 笔电分别占 21%和 13%。

以下将从智能手机、笔电、服务器三类下游应用的市场规模及趋势进行需求端的分析。自 2017 年开始，全球智能手机开始呈现下降趋势，经济疲软和通货膨胀等后疫情宏观因素使得消费 复苏不如预期，IDC 预测 2023 年全球智能手机出货量将下降 3.2%。但同时 IDC 也释放出积极信号， 全球智能手机市场将有望于 2024 年实现良好复苏，预计出货量将增长 6%，未来 4 年市场也将呈持 续增长趋势。

笔电市场在经过几季度的低迷后有望立即反弹。根据 TrendForce 数据，全球笔电市场将于 23Q2 实 现快速复苏并持续增长，23Q2 全球笔电出货量将达 40.5 百万台，同比增长 15.7%，到 23Q4 出货量 将增长到 44.7 百万台。我们认为，笔电市场的复苏或将带动其余品类的消费电子产品景气度上行， 从而多重需求驱动存储芯片市场的增长。同时，笔电代工厂广达受惠于笔电需求转好的季底拉货效 应展现强大动能，6 月营收破 900 亿元新台币大关，纬创、英业达业绩 6 月营收也同比走高。

全球服务器出货量过去十年一直呈现增长趋势，由于宏观经济因素，IDC 预计 2023 出货量增速将下 滑，2024 年有望重回稳健增长轨道。同时，行业整体呈现出 AI 服务器等高算力型号渗透率增长超 过传统型号的趋势，预计 2023-2026 年 AI 服务器渗透率 CAGR 将达到 26.05%，且由于 AI 服务器对 软硬件要求高，对上游部件价值量起到的增长作用将远超传统服务器。

供应链瓶颈仍在，存储国产化是关键一环

目前我国的半导体产业正蓬勃发展，但仍有一些卡脖子的环节，如产业链上游的半导体设备（如光 刻机）与原材料（如湿化学品）、晶圆制造以及芯片设计环节，在芯片设计中存储芯片产业链便是 目前国家布局半导体行业中需要着重攻克的领域。半导体产业链存储芯片行业产业链上游参与者为原材料供应商和设备供应商；行业中游为存储芯片 制造商，主要负责存储芯片的设计、制造和销售。芯片具有较高技术壁垒，当前全球存储芯片市场 被韩国、日本、美国企业所占据；行业产业链下游参与者为消费电子、信息通信、高新科技技术和 汽车电子等应用领域内的企业。

存储芯片行业属于技术密集型产业，中国存储芯片行业起步晚，缺乏技术经验累积。虽然中国本土 长江存储、合肥长鑫等存储芯片企业已逐步完善 NAND 和 DRAM 产业布局，技术已经追赶上国际 巨头并进行规模量产，但也有部分等细分领域仍处于投产初期，尚未实现产品的规模量产。与国外 存储芯片制造商相比，中国存储芯片技术基础薄弱为制约行业发展的主要因素。

从三大产品看国内存储产业链布局现状

DRAM

DRAM 三巨头具备先发优势。据 TrendForce 数据统计，DRAM 头部效应明显且集中度呈现越来越 高的趋势，23Q1 市场 CR3 达 95.5%，较 20Q1 提升 1.3pcts。产品上，目前产品最新标准迭代至 DDR5， 10nm 以下制程待突破。传统异步 DRAM 已被淘汰，读/写时钟与 CPU 同步的 SDRAM 作为 DRAM 的升级成为主流，主要包括 DDR/GDDR/LPDDR 等，其中 DDR 已迭代至第五代（DDR5）；制程上， 10nm~20nm 系列制程至少包括六代：1Xnm（16-19nm）/1Ynm（14-16nm）/1Znm（12-14nm）/1α /1β/1γ，10nm 以下待突破。长鑫 2018 年成功研发出中国首个国产 8Gb DDR4 内存，2021 年开始 进入 17nm 工艺环节，2022 年完成了 17nm DDR5 内存试产。目前长鑫存储主要产品有 DDR4 内存 芯片、LPDDR4X 内存芯片以及 DDR4 模组，但整体来看，与 DRAM 三巨头仍存在一定差距。

NAND Flash

相比于 DRAM，NAND 集中度更低，但目前依然呈现越来越高的趋势。据 TrendForce 数据显示， 近两年 NAND Flash 市场龙头占领的市场份额进一步加大，CR5 从 20 年 Q1 的 89.0%增长到现在的 96.6%。产品上，长江存储于 2022 年发布基于晶栈®（Xtacking）3.0 技术的第四代 TLC 三维闪存 X3-9070，相比长江存储上一代产品，X3-9070 拥有更高的存储密度，更快的 I/O 速度，并采用 6-plane 设计，性能提升的同时功耗更低，同时是长江存储历史上密度最高的闪存颗粒产品，能够在更小的 单颗芯片中实现 1Tb 的存储容量，与国际巨头达到相近的技术水平，这同时也是 NAND 价格一路下 跌的重要原因之一。

NOR Flash

NOR Flash 市场由华邦电、旺宏、兆易创新 3 家厂商主导。据 IC Insights 统计，2021 年 NOR Flash 市场 CR3 份额达 91%。从制程布局上看，华邦电相对领先，自 2021 年大多数产品已转进 40nm 制 程；旺宏的所有 NOR 器件都于 2022Q2 开始向 45nm 工艺生产过渡；兆易创新作为国产 NOR Flash 龙头，其 55nm NOR Flash 全系列产品均已量产，同时正在着力推进 45nm 制程工艺研发。

作为国产化率最高的一类存储芯片，国内有许多企业在 NOR Flash 芯片进行产品布局。①兆易创新：作为全球NOR Flash产品的龙头，其相关产品涵盖了市场绝大部分的容量类型，从512Kb 至 2Gb，电压涉及 1.8V、2.5V、3.3V 以及宽电压产品；②北京君正：公司分别通过控股北京矽成、上海芯楷进行 NOR Flash 存储芯片的研发与生产，具有 串口型和并口型两种设计结构，涉及到消费电子、汽车电子等下游领域；③普冉股份：公司相关产品包含 L 系列（高电压、2.3-3.6V）、H 系列（低电压、1.65-2V）、U 系 列（宽范围：1.65-3.6V）三类，广泛应用于智能手机、TWS 耳机等领域；④东芯股份：公司产品应用于通讯设备、可穿戴设备以及安防监控设备，覆盖容量从 64Mb 到 1Gb 的产品规格；⑤恒烁股份：公司 NOR Flash 存储芯片产品具有可靠性高，功耗低以及先进的安全特性等优势，应 用范围涵盖了显示驱动，PC、平板等消费电子设备，以及 WLAN 等通讯设备。

新应用催生新需求，AI 驱动存力重要性提升

AI 服务器存储用量倍增，新平台引 DDR5 加速渗透

AI大模型伴随自身参数的爆发增长持续迭代升级，AI服务器深度受益于 AI大模型的参数增长。2023 年 3 月 15 日，OpenAI 发布了 ChatGPT 的最新版本—— GPT4 模型，揭开了第四次科技革命——“智 能时代”序幕，人类进入 AI 大模型时代。而目前大模型升级的趋势之一即是参数量的飙升。大模型 的参数规模越大，意味着算力负担越重，而 AI 服务器则是算力的核心。TrendForce 不断上修 AI 服 务器出货量，预计 2023 年 AI 服务器（包含搭载 GPU、FPGA、ASIC 等）出货量近 120 万台，年增 38.4%，占整体服务器出货量近 9%，至 2026 年将占 15%，同步上修 2022~2026 年 AI 服务器出货量 年复合成长率至 22%。我们认为 AI 创新引发的算力“军备竞赛”将推动 AI 服务器超预期渗透。

大模型参数及训练数据量的增长对显存容量有更高的要求。更多的参数量不仅可以提高模型的 表现能力，也意味着需要大容量、高速的存储支持。存储芯片巨头美光于 FY24Q2 法说会表示， 一台人工智能服务器 DRAM 使用量是普通服务器的 6-8 倍，NAND 是普通服务器的 3 倍。根据 我们的预测，2026 年服务器 DRAM（不含 HBM）市场规模有望达 321 亿美元，NAND 市场规 模有望达 425 亿美元。

针对 AI 服务器的高性能要求，更强大的内存——DDR5 需求也随之提升。与 DDR4 相比，DDR5 具备更高速度、更大容量与更低能耗等特点。DDR5 内存的最高传输速率达 6.4Gbps，比 DDR4 内存 提升了一倍。与根据 Semiconductor 资料显示，DDR 产品总体呈现电源电压值越来越小、数据传输 速率急速增长、芯片密度越来越大的趋势。

内存接口芯片需求有望随 DDR5 份额提升而增加

内存接口芯片是服务器内存模组的核心逻辑器件，作为服务器 CPU 存取内存数据的必由通路，其主 要作用是提升内存数据访问的速度及稳定性，满足服务器 CPU 对内存模组日益增长的高性能及大容 量需求；内存接口芯片认证、技术壁垒高，行业格局高度集中，有研发周期长，更新迭代快的特点。自 DDR4 开始，行业主要参与者仅剩澜起、瑞萨（IDT）、Rambus 三家，2020 年三家全球市占率分 别为 44%、36%、20%。随着 DDR 内存技术向 DDR5 世代切换，内存接口芯片的用量也在增加。以国内龙头澜起科技为例， 其在业界率先试产 DDR5 第二子代 RCD 芯片，发布业界首款 DDR5 第三子代 RCD 芯片工程样片及 DDR5 第一子代 CKD 芯片工程样片。目前，澜起 DDR4 及 DDR5 内存接口芯片已成功进入国际主 流内存、服务器和云计算领域，并占据全球市场的重要份额。

电源管理芯片（PMIC）是在 DDR5 中新集成的一块内存接口芯片。PMIC 能简化 DDR5 内存电压调 节，对于英特尔的 XMP 3.0 等内存超频功能来说至关重要，但这种设计造成了 PMIC 数量不足的问 题。美光等内存厂商确认，由于 PMIC 等非内存组件的缺失，造成了 DDR5 普及困难的现状，DDR5 内存 PMIC 的交期一度达到 35 周，随着产能恢复，PMIC 的供给问题得到一定缓解。英特尔（Intel）和超威（AMD）支持 DDR5 新平台推出后，服务器 DDR5 RDIMM 又出现了 PMIC 匹配性问题，使得 DDR5 的需求不能快速提升，新平台的推出仍受阻，而目前 DRAM 原厂和 PMIC 厂商均已着手处理。我们认为尽管短期原厂 DDR5 供应受阻，价格下降趋势放缓影响渗透提升，但 由于 PMIC 供应厂商较多，切换及适配不会成为 DDR5 渗透率提升瓶颈。我们预估，服务器 DDR5 渗透率有望于今年底达到 25%，在 2026 年达到 85%，AI 服务器的加速发展以及 PMIC 良率问题逐 步得到解决，DDR5 渗透率有望逐步攀升，内存接口芯片供应商有望深度受益本次升级浪潮。

AI 推动存算一体技术创新加速，HBM 技术推动 AI 算力突破存力瓶颈

存算一体有助于从根本解决“存储墙”问题。从早期开始，冯·诺依曼理论就是计算机系统架构的 核心，而随着 AI 的持续发展，算力的增长速度要远大于存储的增长速度，这导致冯·诺依曼结构中 突出的“存储墙”问题越发严重：①一是存储带宽问题。由于存储与计算单元分离，所以就需要通 过总线不断从存储与处理器之前传输数据，存储的带宽对计算单元的带宽进行了限制，从而对 AI 算力的效率提升较低；②二是传输能效问题。从外部处理器到内存之间不断进行数据的搬运，搬运 时间往往是运算时间的成百上千倍，产生的无用能耗过多，而这也导致计算卡的算力提升受到限制。为了解决“存储墙问题”，存算一体的概念再一次被提出。存算一体是指拉进计算单元与存储之间的传输距离，按距离的远近可以分为近存计算，存内处理， 存内计算三类。·近存计算（PNM）：将存储芯片与计算单元芯片通过封装等方式进行集成。近存计算仅仅降低了 数据传输的成本，存储芯片和计算单元芯片仍旧相互独立。近存计算的代表模式有 HBM（3D High Bandwidth Memory）模式，HBM 技术将多个存储 Die 通过 TSV（硅通孔）垂直堆叠来提升存储容 量，并基于硅中介板（Interposer）的高速接口与计算单元芯片(GPU/CPU/SOC Die）互联，最终具有 更高的 I/O 数量、可达 1024 位的显存位宽、更低的功耗与更小的外形等优势。

存内处理（PIM）：存储芯片上同时集成存储与计算的能力，此时存储芯片和计算单元芯片已合 二为一，但存内处理的本质仍是存储能力与计算能力的分离，存储器内具有的独立计算单元负责进 行计算操作，提供大吞吐低延迟片上处理能力。相比近存计算，存储单元与计算单元的距离更近， 进一步缓解“存储墙”的问题。存内处理的代表模式为在内存（DRAM）芯片中实现部分数据处理， 较为典型的产品形态为 HBM - PIM 和 PIM - DIMM。

存内计算（CIM）：存储芯片内不再区分存储单元和计算单元，利用不同的存储介质（SRAM、 Flash、RRAM、MRAM 等）的物理特性，对存储芯片的电路重新设计使其同时具备计算和存储能力， 通过在内部存储中添加计算逻辑，真正让存储单元和计算单元二者合为一体。存内计算与近存计算、 存内处理相比，数据传输路径最短，传输能耗最低，从而计算能效能得到数量级的提升。存内计算 的代表模式为卷积神经网络（CNN）与循环神经网络（RNN）。目前存内计算还存在着新型存储器件成熟度较低、电路设计难度较大、计算精度将受到模拟计算低 信噪比的影响、整体产业链的生态不完备等问题，因此虽然存内计算可以从根源上解决“存储墙” 的缺陷，但目前主流解决方案仍是以 HBM 为代表的近存计算技术，存内计算则是未来坚定的发展 方向。

AI 快速发展推动存算一体技术的研发创新。AI 引发的高算力需求驱动存算一体技术的持续创新， 存算一体在智能家居、智慧交通、数据中心、可穿戴设备以及各类智慧终端的应用增长空间较大。在此驱动下，许多国产企业投入存算一体的研发中来：后摩智能推出鸿途 H30 ，其 AI 物理算力最 高可以达到 256TOPS，同时功耗仅约为 35W，跟国际龙头 254TOPS 的虚拟算力相比，鸿途 H30 的 性能翻倍，同时功耗仅约为其一半，效率大幅提升；苹芯科技推出 PIMCHIP-S200，其采用全数字 化设计，不仅保障精度，也保证了能效性的领先。

当前 HBM 主要由 SK 海力士及三星所垄断。据 TrendForce 数据，2022 年三大原厂 HBM 市占率分 别为 SK 海力士 50%、三星约 40%、美光约 10%，集中度相对较高。高阶深度学习 AI GPU 的规格 刺激 HBM 产品更迭。2023 下半年伴随 NVIDIA H100 与 AMD MI300 的搭载，三大原厂也已规划相 对应规格 HBM3 的量产。因此，在今年将有更多客户导入 HBM3 的预期下，SK 海力士整体 HBM 市占率有望藉此 HBM3 的量产提升至 53%，而根据 TrendForce 预计三星、美光则陆续在今年底至明 年初量产 HBM，市占率分别为 38%及 9%。

HBM 技术正加速演进。自 2014 年 SK 海力士与 AMD 率先开发出全球首款硅通 HBM 孔产品以来， HBM 技术加速演进，2022 年 SK 海力士再创领先之举，开发并量产全球首款 HBM3，为未来 AI 创 新成果的广泛实施奠定了基础。从 HBM 发展趋势我们可以看出，芯片密度更大，堆叠层数更多， 对应容量、带宽、连接速率均呈翻倍发展态势。当前最新发布的 NVDIA H100，GH200 以及 2023 年下半年即将量产的 MI300 都采用了 HBM3 内存技术。

英伟达 DGX GH200 的发布则更代表了当前对存力需求的迫切。DGX GH200 共链接 256 个 Grace Hopper 超级芯片，能够提供 1exaflop 的性能、具有 144TB 的共享内存， GH200 单卡配备了 480GB LPDDR5 内存及 96GB 的 HBM 显存，而上一代 DGX H100 服务器中，平均单颗 H100 芯片对应 256GB 内存，以及 80GB 的 HBM。二者对比，GH200 方案的存储器价值量有显著提升。

除 HBM 外，CXL（Compute Express Link，计算快速链接）技术亦备受市场关注。CXL 是一 种全新的互联技术标准，其带来的 DRAM 池化技术可以大大节约数据中心的建设成本，同时也 将大大带动 DRAM 的用量。节约下来的成本将会主要用于对 DRAM 的采购，TB 级别的 DRAM 将会在更多通用性服务器中广泛使用。我们认为随着整体出货量持续增长，以及未来 AI 模型逐 渐复杂化趋势下，算力推动存力逻辑进一步兑现，服务器 DRAM、固态硬盘用量激增，存储器 相关厂商均有望受益。

数字中国建设加速，存储增量空间打开

自党的十九大提出“数字中国”以来，全国有条不紊的走在建设数字经济、数字民生、数字政务、 数字安全的道路上。目前我国正通过四个方向加速推动算力发展，第一，全球 AI 等技术的飞速发展 助力了我国算力建设的快速扩张，据工信部统计，2018-2022 年我国算力产业规模平均增速超过 30%， 算力规模排名全球第二。二是北京、上海、深圳等城市正积极推动新的政府级算力项目。三是实现 算力调度和交易，构建公共算力平台。四是政策支持国产 AI 芯片的应用和发展。以上方向构成的中 国未来算力发展主要赛道，将对相关产业链带来利好，包括 AI 芯片，服务器整机制造，算力中心建 设及运营等。“东数西算”，数字经济时代的又一大国家级重点工程，类似曾经的南水北调，西气东输，目的是 解决东西部供需不平衡的问题。其中的“数”即为数据。数据按使用频率分类可分为热数据、冷数 据以及温数据，而东数西算的工程目的，则能将大部分使用频率低的冷数据和时延要求低的温数据 输送至西部运算，从而减轻东部压力并提高运算效率。

数字化时代，数据和算力成为新的生产要素，算力代表着对数字化信息处理能力的强弱，是支持数 字经济发展和驱动国民经济增长的关键因素。它不仅改变了人们的生产方式、生活模式和科研范式， 甚至成为科技进步和经济社会发展的关键“底座”。小到智能电脑、智能手机、平板等电子产品， 大到天气预报、医疗保障、清洁能源等民用领域拓展应用，都离不开算力的赋能支撑。5G、云计算、 大数据、人工智能、物联网等数字化技术，在各个行业得到加速应用。算力作为数字经济的新引擎， 正持续促进线上线下加速融合。根据IDC数据，全球数据量由2019年的42ZB增长至2022年的81.3ZB， CAGR 达 24.6%，预计 2025 年全球数据产量将增至 175ZB。而作为拥有全球第二大数据产量的国家， 2022 年我国数据产量约 7.9ZB，预计 2023 年将增至 9.3ZB。

政策推动打造算力产业新格局

根据“东数西算”政策规划，将在京津冀等八地建设国家算力枢纽节点并规划了 10 个国家数据中心 集群，根据国家互联网信息办公室发布《数字中国发展报告（2022 年）》与国家发改委相关指引， 截至 2022 年底我国数据中心机架总规模已超过 650 万标准机架，大数据中心投资还将以每年超过 20%的速度增长，累计带动各方面投资将超过 3 万亿元。目前，“东数西算”工程的 8 个国家算力 枢纽节点建设已全部开工，工程从系统布局进入全面建设阶段。

韶关数据中心建设带动相关市场空间达 800 亿元

韶关是全国一体化算力网络粤港澳大湾区唯一枢纽节点，其数据中心建设将成为全国一体化大数据 中心协同创新样板标杆，根据韶关发布官方公众号信息，韶关数据中心目标至 2025 年中心将建成 50 万架标准机架、500 万台服务器规模，投资超 500 亿元。

建设情况

中国移动将在韶关建设国家级数据中心，并升级韶关网络为国家级骨干枢纽节点，打造融合算力网 络。中国移动韶关国家级数据中心项目占地 110 亩，建设规模 3.2 万标准机架，将承载移动云、行 业云、网络设备、IDC 等广泛需求，PUE 小于 1.25。根据韶关发布官方公众号信息，第一期建设 1.8 万标准机架，预计 2023 年 8 月开工，2024 年底竣工。中国联通也将在韶关市建立了粤港澳大湾区 枢纽韶关数据中心集群项目，总投资 190 亿元，预计 2025 年前建成 2.88 万 2.5KW 标准机架。此外， 中国电信目前已打造粤港澳大湾区首张 400G 全光运力网络，并且计划投资 32 亿元的中国电信粤港 澳大湾区一体化数据中心项目已于 2022 年启动，预计今年 9 月份完成主体结构封顶，2024 年二季 度投产。

“东数西算”拉动存储需求

在已经开工的 8 个国家算力枢纽中，今年新开工的数据中心项目近 70 个，其中，新建数据中心规模 超 130 万标准机架，西部新增数据中心的建设规模超过 60 万机架。工程自启动至今，全国新增投资 超过 4000 亿元。韶关官方预计到 2025 年，中国 IDC 新增机柜需求达到每年 75 万台。若单以韶关 数据中心测算其对存储芯片需求的拉动，2025 年韶关数据中心预计建设 500 万台服务器，每台服务 器搭载 8 块 8TB SSD（均价 3000 元/块），那么到 2025 年韶关数据中心将为 8TB SSD 市场贡献近 1.2 千亿的需求。

兆易创新

公司业务高速扩张

兆易创新科技集团股份有限公司成立于 2005 年 4 月，专注于 Fabless 业务，总部设于中国北京，在 中国上海、深圳、合肥、西安、成都、苏州和香港，美国、韩国、日本、英国、德国、新加坡等多 个国家和地区均设有分支机构和办事处，营销网络遍布全球，为客户提供优质便捷的本地化支持服 务。公司 2012 年完成股份制改革并于 2016 年在上交所成功上市；2021 年，公司首款自有品牌 DRAM 4Gb DDR4 产品正式发布；2023 年，公司全系列车规级存储产品累计出货一亿颗。根据公司 2022 年报，公司是全球排名第一的无晶圆厂 Flash 供应商，据 Web-Feet Research 报告显示，在 NOR Flash 领域，公司 2022 年市场占有率全球第三、中国第一，累计出货量近 212 亿颗。

公司营收呈高速上升趋势，2019-2021 年增速均超过 40%，其中 2021 年增速达到 89.25%，营收 增速反映出公司正处于高速发展阶段 ；分产品来看，存储芯片除去 2022 年外营收保持稳定增 长；微控制器是公司近年营收增长较高的主要贡献力量之一，2018 年，公司微控制器营收仅为 4.04 亿元，而 2021 年，公司微控制器营收已达到 24.56 亿元；传感器产品则从 2019 才开始产生 营收，处于起步阶段。

财务费用控制优秀，研发投入充分。公司研发投入充分，2022 年研发费用率达 11.51%。整体费用率 方面基本维持稳定，财务费用率控制优秀。2018-2021 年，公司归母净利润保持高速增长，2022 年 同比下滑 12.16%。

打造“感存算控连”一体化芯生态

积极应对市场变化，开拓新领域和新应用。公司继续保持在消费市场，尤其是中高端消费市场的优 势，并在持续布局的工业、汽车等行业取得了较好的营收增长。在 NORFlash 产品上，2022 年消费、 手机、PC 领域整体需求降低，在工业、汽车领域则稳步提升，工业领域销量同比 2021 年持平，车 规产品销售金额同比2021年实现约80%的增长，车规产品累计出货量已达1亿颗。在自有品牌DRAM 产品上，工业类应用取得较好成长；消费类市场方面，已在主流消费类平台获得认证，并在 TV 等 诸多客户端量产使用。公司代销 DRAM 产品在消费类、手机市场继续开拓。2022 年，在 MCU 产品 的结构上，公司在工业领域、网通领域营收实现较大幅度的增长，工业应用成为公司 MCU 产品第 一大营收来源；在部分消费市场（家用电器等）、汽车前装应用领域亦实现良好成长；此外，MCU 海外业务拓展顺利，海外市场营收占比大幅提升。

持续完善产品线，升级产品结构。公司存储器产品分为三个部分，NOR Flash、SLC Nand Flash 和 DRAM，NOR 方面，公司推出 GD25UF 系列 1.2V 低电压超低功耗 SPI NOR Flash 产品，可以满 足主控新工艺演进趋势的低电压、低功耗要求。公司 NOR Flash 产品目前主要工艺节点在 55nm 工 艺制程；Flash 方面，车规级产品已被国内外多家知名汽车企业批量采用；DRAM 方面，可广泛应用 在智慧家庭、工业、车载影音系统等领域，推出 DDR3L 产品，在满足消费类市场需求的同时，兼 顾工业及汽车市场应用。公司 MCU 产品已成功量产 38 大产品系列、超过 450 款 MCU 产品供市场 选择，2022 年公司全面量产 GD32W515 系列 Wi-Fi 产品；在汽车应用领域，发布 GD32A503 系列 车规级 MCU 产品，为车身控制、车用照明、智能座舱、辅助驾驶及电机电源等多种电气化车用场 景提供开发之选，并已与业界多家领先的 Tier1 供应商和整车厂建立了长期战略合作关系。公司传 感器业务目前在 LCD 触控、电容指纹、光学指纹市场有广泛的应用。公司触控芯片年出货近亿颗。公司指纹产品多年来已在多款旗舰、高、中阶智能手机商用前置/后置/侧边电容和光学方案，成为市 场主流方案商。

东芯股份

公司深耕中小容量存储市场，持续投入研发提升竞争力

东芯股份聚焦于多品类的中小容量存储芯片研发、生产与销售。东芯股份成立于 2014 年，于 2021 年在科创板上市，是一家专精于中小容量存储芯片研发生产的高新技术企业，在深圳、南京、香港、 韩国均设有分公司或子公司，公司也是目前国内少数可以同时提供 NAND/NOR/DRAM 设计工艺和 产品方案的企业。东芯股份的 NAND/NOR/DRAM 产品广泛覆盖网络通信、安防监控、消费电子、工控与医疗、物联 网等下游领域。NAND Flash：公司 NAND Flash 产品属于小容量的 SLC NAND Flash，可靠性更高，擦写次数达 到数万次以上，并可灵活选择 SPI 或 PPI 类型接口，广泛应用于网络通讯、监控安防、工业控制、 机顶盒、打印机、穿戴式设备。NOR Flash：公司自主设计的 SPI NOR Flash 存储容量覆盖 64Mb 至 1Gb，读取速度快并支持多种 数据传输模式，普遍应用于可穿戴设备、移动终端等领域。DRAM：公司研发的产品分为 DDR（L）系列与 LPDDR 系列，DDR3(L)系列是可以传输双倍数 据流的 DRAM 产品，具有高带宽、低延时的特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛；LPDDR 系列产品具有低功耗、高传输速度的特点，在智能终端、可穿戴设备等产品中使用。MCP：公司的 MCP 产品集成了自主研发的低功耗 1.8v SLC NAND Flash 与低功耗 DRAM，被广 泛应用于功能手机、MIFI、通讯模块等产品。

蒋学明与蒋雨舟为公司实际控制人，发布股权激励计划健全公司长效激励约束机制。蒋学明间接控 股东方恒信来实际控制东芯股份，因此蒋学明与其女蒋雨舟为公司的实际控制人，共持有公司 37.47%的表决权。华为百分百持股的哈勃科技创投公司持股 3%。公司设立东芯科创为员工持股平台， 蒋雨舟为实际控制人。同时，为了吸引和留住优秀人才，充分调动公司核心团队的积极性，公司于 2022 年 1 月 28 号发布限制性股票激励计划草案，拟向公司的董监高、核心技术人员等激励对象授 予权益合计 212.55 万股，2022-2024 年为三年的归属期，该股权激励计划显示了公司对于业绩持续 增长的信心。

公司 2022 年营收同比略有上升，NAND Flash 产品营收维持高增长，NOR Flash 产品营收同比下滑 严重。在 2022 年宏观经济景气度下行，地缘政治局势紧张以及半导体行业周期性波动的冲击下，公 司持续开发新产品，开拓新市场与新应用，最终实现 11.46 亿元的营业收入，破历史新高，同比增 长 1.03%；从产品营收变化来看，NAND Flash2022 年营收为 7.08 亿元，对比 2020 年 3.98 亿元的营 收，复合增长率约为 33.29%，NAND Flash 也为公司主要贡献收入的产品，占比为 61.75%，其次为 占比 19.66%的 MCP。同时，2022 年仅有 NOR Flash 产品营收出现了下滑，其收入同比减少 61.47%， 主要系受消费电子需求下滑，穿戴式应用需求走弱所致。

公司毛利率与净利率均有所下降。2022 年公司的毛利率为 40.58%，同比下滑 1.54pcts，净利率为 18.97%，同比下滑 6.08pcts。其中，毛利率的下滑主要系 NAND Flash 的毛利率同比下降 4.14pcts， 同时 NOR Flash、DRAM 的毛利率均有一定下降。

公司持续增加研发支出，2022 年归母净利润同比下滑 29.17%。对于公司的期间费用率，2022 年仅 有研发费用率保持上涨，同比上升 3.03pcts，主要系随着研发项目的新增和现有项目的展开，研发人 员、研发设备等的增加所致，同时，由于利息收入增长、美元升值导致汇兑损益提升，公司的财务 费用率下降明显；2022 年公司的归母净利润为 1.85 亿元，同比下降 29.17%，原因有两点：一为研 发费用率的提升，二为受下游应用市场需求疲软的影响，公司部分产品市场价格持续下滑，公司谨 慎性地对存在减值迹象的存货计提跌价准备。

公司打造通讯&网络、服务器、汽车的产品布局，深度布局产能扩张规划

公司坚持技术创新，保持公司产品的技术先进性。①公司的 SPI NAND Flash 产品，采用了业内领先 的单颗集成技术，将存储阵列、ECC 模块与接口模块统一集成在同一芯片内，有效节约了芯片面积， 降低了产品成本，在耐久性、数据保持特性等方面也表现突出，在工业温控标准下单颗芯片擦写次 数已经超过 10 万次，在可靠性也逐步从工业级标准向车规级标准迈进；②公司的 MCP 产品，其在 提供高可靠性、大容量存储的同时，可以保证客户的长期供应，已在紫光展锐、高通、联发科等平 台通过认证；③公司的 NOR Flash、DRAM 产品性能同样优异，广泛应用于消费电子、可穿戴设备、 通讯设备等下游市场。

公司持续开拓优质客户，提升公司在全球的市场地位和影响力。凭借公司丰富的产品矩阵以及优异 的产品性能，公司持续拓展下游终端客户，使用公司产品的终端客户包括中兴通讯、海康威视、三 星电子、LG、传音控股、歌尔股份、伟创力、紫光展锐、高通、联发科等中外知名企业。

公司推进产品的制程升级迭代与产品的容量扩张，车规级产品研发取得快速进展。①公司 SLC NAND Flash 产品的制程升级。目前量产产品以中芯国际 38nm、24nm，力积电 28nm 制程为主，基于先进制程的 1x nm NAND Flash 已完成首轮晶圆流片及首次晶圆制造，并已完成功能 性验证；②公司 NOR Flash 产品的制程升级。在中芯国际的 NOR Flash 产品制程从 65nm 推进至 55nm，目 前该制程产线已完成首次晶圆流片；③在容量扩张方面。NOR Flash 产品在力积电 48nm 制程上持续进行更高容量的新产品开发，目前 512Mb、1Gb 大容量 NOR Flash 产品已实现样品供货；④在车规级产品研发方面。公司基于中芯国际 38nm 工艺平台的 SLC NAND Flash 以及基于力 积电 48nm 工艺平台的 NOR Flash 均有产品通过 AEC-Q100 测试，适用于要求更为严苛的车规 级应用环境。

北京君正

规模不断扩大，形成“计算+存储+模拟”三大产品矩阵

嵌入式 CPU 起家，实施物联网、可穿戴业务战略。公司成立于 2005 年，之后 5 年时间一直致力于 广泛拓展业务领域，曾先后进入生物识别、教育电子、PMP 市场。2010 年公司上市，由于消费电 子产品品类迭代，公司原有业务受创并宣布退出平板和手机市场，同年正式进入物联网领域。2015 到 2019 年间，公司大力发展物联网业务，包括可穿戴设备业务以及智能家居业务，成功与多个大厂 合作了搭载君正芯片的可穿戴设备、智能家居、智能家电设备。

2020 年收购存储制造商 ISSI 及其子公司 Lumissil，大规模拓宽产线。ISSI 总部位于美国加州，是 一家全球领先的存储制造公司，具备丰富的存储产品矩阵，主要产品有高速低功耗 SRAM、中低密 度 DRAM 以及 Flash 等，充分完善了君正的存储产线。ISSI 业务涉及的市场种类十分宽泛，包括汽 车、通信、数字消费者、工业、医疗等。ISSI 子公司 Lumissil 的主要产品涵盖模拟和互联芯片，旨在成为汽车、物联网和工业市场的最佳模 拟解决方案提供商。因此，ISSI 和 Lumissil 的成功并购，大规模丰富了君正的产品，从原来的微处 理器和智能视频芯片两部分，拓宽了存储、模拟与互联芯片部分，目前共四条产线，形成了“计算+ 存储+模拟”三大产品矩阵。自此，君正产品应用领域布局方面，从原有的物联网智能硬件、泛智能 视频设备基础上延伸至汽车、工业、通讯等不同产品级别的市场。

股权结构相对分散，两位公司创始人为实际控制人。公司创办人刘强和李杰为同乡兼清华校友，在 中国科学院攻读硕士学位时期又为同门，关系十分密切。两人作为创办人，始终为公司主要股东并 担任核心职位，对公司的业务发展和经营规划具有决定性的影响。上市之初两位创始人共占 50%以 上股份，随着公司规模扩大，国家和地方间接参与控股，目前两人总共约占 13.02%公司股权。刘强 是公司持股比例最高的自然人，达 8.40%。

并表后规模迅速扩大，存储芯片贡献主要收入。君正于 2020 年 6 月与 ISSI 并表，此前君正每年的 营收规模约为 1-3.5 亿元，主要的营收构成为微处理器芯片业务和智能芯片业务。完成并表后，2020 年营收同比增长 540%至 21.70 亿元，存储芯片贡献 15.25 亿元增长，同时原有智能视频芯片业务 2020 年同比增长 62.57%至 2.91 亿元。2021 年公司营收同比 2020 年再增 143%至 52.74 亿元。截至 2022 年报，公司营收已达 54.12 亿元量级，2014-2022 年复合增长率高达 5681%。可以看到，君正并购 ISSI 成功扩大了企业规模，借助 ISSI 在具有较高技术壁垒的汽车存储芯片市场的经验和规模，大力加码 车规、工规级存储芯片赛道。

产品均具备较高毛利空间，公司盈利能力稳健。公司毛利率水位一直处于较高水平，2020年前达40%， 并表后虽降至 27%，但显示出连年增长趋势，2022 年毛利率水平已恢复至 39%。分产品看，智能视 频芯片和模拟互联芯片均具备较高毛利空间，多年来毛利率分别稳定保持在 20%/50%左右。传统业 务盈利水平较为理想，为公司长期发展与扩张奠定了良好基础。并表后的核心营收贡献因子存储芯 片板块毛利表现良好，从 2020 年的 21%增至 2022 年的 37%。模拟芯片部分，收购以来毛利率保持 在 50%以上。总体来看，公司的各产品毛利率较高，整体盈利能力稳健，净利率和毛利率波动主要由收购造成。

7 个硬核技术，带来芯片产品多方面竞争优势

秉承研发基因，坚持自主创新路线。公司在核心领域坚持自主创新路线，形成了 7 项自主关键技术：1）嵌入式 CPU 技术：保持高性能、低功耗等关键指标，设计 XBurst 系列 CPU 内核，创新微体系 结构，积极拥抱 RISC-V 架构研发趋势，力图用更好的计算架构打破欧美 CPU 技术垄断。2）视频 编解码技术：支持世界上大多数主流格式编码，软硬件结合提高性能，精细设计开关降低动态功耗， 有利支持智能视频业务发展。3）影像信号处理技术：与世界高水平看齐，多个图像信号前沿技术， 满足各类场景应用和高图像质量需求。4）神经网络处理器技术：AI 算力需求增长，公司结合神经 网络处理器和 CPU 技术有机结合，形成独特的 AI 算力架构，兼顾计算效能、灵活性、延展性，从 容应对各种应用需求。5）AI 算法技术：在各种识别、检测、跟踪技术方面已有大量成熟的算法， 同时不断优化模型迭代速度。6）存储器技术：SRAM、DRAM、Flash 技术有 ISSI 公司存储行业 30 年深耕能力保证，为工、车规等高壁垒技术托底。7）模拟和互联技术：FxLED、大功率 LED、车 用 MCU、LIN/CAN 总线和 GreenPhy、G.vn 等网络传输技术，满足汽车电子、工业制造、通讯、消 费等多领域不同级别的需求。

普冉股份

战略布局多元产品线，营收增长伴市场复苏

积极拓展多元产品线，推动存储产品更新迭代。公司成立于 2016 年，专注于集成电路设计领域的科 技创新，围绕非易失存储器领域，是低功耗 SPI NOR Flash 存储器芯片和高可靠性 IC EEPROM 存储 器芯片的供应商，致力于研发 28nm~ 55nm 低功耗、高可靠性的 NOR Flash 存储器产品，可应用于 传统消费类和工业市场，以及新兴的应用市场。在立足于存储芯片领域的基础上，公司实施了基于 先进工艺和存储器优势的“存储+”战略，积极拓展通用微控制器和存储结合模拟的全新产品线。

深耕非易失性存储器，积极拓展微控制器及模拟芯片。公司的主营业务是非易失性存储器芯片及基 于存储芯片的衍生芯片的设计与销售，目前主要产品包括 NOR Flash 和 EEPROM 两大类非易失性存 储器芯片、微控制器芯片以及模拟产品。其中非易失性存储器芯片属于通用型芯片，可广泛应用于 手机、计算机、网络通信、家电、工业控制、汽车电子、可穿戴设备和物联网等领域。

权架构清晰，控股股东为公司核心技术人员。公司控股股东及实际控制人为王楠，持股比例 18.73%， 以及李兆桂，持股比例 4.86%，两位同时为一致行动人，王楠为公司核心技术人员，还为上海志颀 企业管理咨询合伙企业（有限合伙）的执行事务合伙人，持有上海志颀企业管理咨询合伙企业 18.72% 合伙份额，整体上，公司股权架构及管理结构稳定。

定价策略及成本致公司毛利率下降。由于国际经济形势及半导体市场供需情况，为了巩固市场份额， 公司对原有的存储芯片产品线采取了适当降价去库存的定价策略。同时，由于代工价格变动相对存 在一定的滞后，公司在 2022 年销售的主要产品的原材料采购价格仍相对较高，芯片产品的价格与毛 利均承受了较大的压力。

研发费用率持续增长，22 年增加备货、支付股权激励费用等致归母净利润下滑。公司持续重视产品 研发和下游应用结构的优化，保持高强度的研发投入。2022 年研发费用较上年增加 0.57 亿元，增幅 比例达 62.42%。此外，股权激励的实施使得股份支付成本较上年增长 696.64 万元。归母净利润方面 除受以上环境因素影响还有以下原因，公司下游客户因受行业周期影响，账期有所延长，回款速度 放缓；为保证公司业务正常开展，公司主动增加备货，向上游支付较多货款，因此归母净利润同比 减少 2.08 亿元，降幅 71.44%。

全面升级产品线，战略布局“存储+”

产品线制程升级，积极布局大容量产品研发。公司在存储器芯片领域持续拓展，进行 40mn 以下新 一代工艺和浮栅下一代技术创新技术储备，并在存储领域延展 ETOX工艺技术开发中大容 NOR Flash 产品，同时布局“存储+”战略，包括基于 ARM 内核的 32 位 MCU 芯片多颗产品实现研发并部分产 品量产出货，以及应用于摄像头模组的高性能 VCMDriver 芯片系列模拟产品。NOR Flash 方面，公司基于 SONOS 工艺结构、40nm 制程节点下的 NOR Flash 全系列产品研发完成 并将量产交付，将升级替代公司原有 55nm 制程节点下的 NOR Flash 产品。该产品具备更低功耗水 平与更高芯片集成度，处于行业领先水平。公司 NOR Flash 产品有着功耗低、读写速度快等优势， 因此在国内利基市场中占有一定市场份额，仅次于兆易创新。同时公司将加速布局 256 Mbit 及以上 大容量产品，补齐 NOR Flash 产品线，推进 5G、工业控制、车载电子等更多应用领域，进一步提升 公司在 NOR Flash 领域的行业地位。

EEPROM 产品方面，公司联合晶圆厂优化 130nm 及 95nm 及以下工艺制程下的制造工艺，针对存 储单元的结构、擦写电压进行了改造和优化，有效的缩小了芯片面积，在保障可靠性的前提下有效 的降低了芯片的单位成本。公司积极响应市场需求、发挥技术优势，实现了地址编程、区域保护等 特色功能，满足了客户对摄像头模组中的参数的保护诉求，极大地提升了公司产品的市场竞争力并 保障了公司的盈利能力。同时车载 EEPROM 产品完成了 AEC Q100 标准的全面考核，以车身摄像头 和车载中控应用形式实现了对海外客户的批量交付，未来将继续向海内外客户拓展。应用于高速宽 带通信和数据中心的 2Mbit 大容量 SPI 及 I2C EEPROM 产品顺利量产出货。1.2V EEPROM 产品率 先进入市场，成功实现了小批量交付，将面向新一代手机主控平台。“存储+”战略，开拓微控制器、模拟芯片领域市场。在微控制器（MCU）领域，公司得益于领先 工艺和超低功耗与高性价比，布局了具有特色工艺的通用型 MCU 产品线。公司在芯片中嵌入 Flash 和 SRAM 存储器，结合基本逻辑工艺的低功耗特征和低功耗技术，使得公司的 MCU 芯片产品具备 与公司SONOS NOR Flash一脉相承的低功耗、高可靠性、高性价比和优越的抗电磁干扰性能等特点。2022 年公司研发的基于 ARM 内核的 32 位 M0+ MCU 产品顺利量产出货并全面进入市场。该系列产 品种类繁多，应用领域广阔。同样基于 ARM 内核的 M4 MCU 产品开发进展顺利。

澜起科技

主营两大产品线，持续研发创新

澜起科技股份有限公司成立于 2004 年。澜起科技于 2005 年推出 DDR2 服务内存缓冲芯片产品；2010 年，公司推出基于 DDR3 的服务内存缓冲芯片；2013 年，公司推出 DDR4 服务器内存缓冲芯片并第 一个获得 Intel 的认证；2016 年，公司与清华大学、Intel 公司联手研发新型通用 CPU——津逮 CPU；2019年，公司津逮 CPU 多系列具备大批量供货能力；2020 年，公司发布第二代津逮 CPU，PCle Retimer 芯片实现量产；2021 年，公司发布第三代津逮 CPU，DDR5 第一代子内存接口及模组配套芯片实现 量产；2022 年，公司试产 DDR5 第二子代 RCD 芯片，与三星、海力士合作推出 CXL 存储器。公司目前拥有互连类芯片和津逮®服务器平台两大产品线，津逮®服务器平台产品包括津逮®CPU 以 及混合安全内存模组（HSDIMM®）；互连类芯片产品包括内存接口芯片、内存模组配套芯片、PCIe Retimer 芯片以及 CXL 内存扩展控制器 (MXC)。

公司无实际控制人，股权结构分散。截至 2023 年 7 月 4 日，公司第一大股东为中国电子投资有限公 司， 持有公司 9.88%的股份，第二大股东为 INTEL CAPITAL CORPORATION，公司与英特尔合作 密切，2016 年开始与英特尔合作开发津逮 CPU 产品。公司董事长兼首席执行官、首席科学家杨崇 和博士 1990 年至 1994 年在美国国家半导体等公司从事芯片设计研发工作；1994 年至 1996 年任上 海贝岭新产品研发部负责人。1997 年，杨博士与同仁共同创建了新涛科技，该公司于 2001 年与 IDT 公司成功合并。杨博士于 2010 年当选美国电气和电子工程师协会院士（IEEE Fellow），并于 2022 年晋升为 IEEE 终身院士。此外，杨博士还荣获多个奖项，其中包括“IEEE CAS 产业先驱奖”、 JEDEC“杰出管理领袖奖”和上海市政府授予的“白玉兰荣誉奖”等。

公司盈利能力有所下降，但仍保持高位。由于津逮服务器相对内存接口业务利润率较低，随着津逮 服务器销量的增加，公司总体毛利率、净利率存在下滑，但是总体利润率仍然较高，2022 年公司销 售毛利率为 46.44%，净利率为 35.38%。分业务来看，2022 年公司内存接口业务毛利率为 58.72%， 津逮服务器业务毛利率为 10.54%。

新品取得突破，持续拓展市场

持续受益于 DDR5 迭代升级，互连类产品线多产品布局取得突破。公司核心产品内存接口芯片及 内存模组配套芯片持续受益于行业迭代升级。2022 年底至 2023 年初，随着支持 DDR5 的主流 CPU 陆续量产上市，内存模组市场由 DDR4 向 DDR5 迭代升级，DDR5 的渗透率逐步提升，由此 带动相关芯片的需求。公司作为相关细分领域的行业领跑者，把握行业迭代升级带来机遇，享受市 场空间拓展带来的红利。同时，公司作为全球微电子产业的领导标准机构 JEDEC 组织下属三个委 员会及分会主席，在相关细分领域的产品标准制定方面具有重要话语权，公司深度参与 DDR5 世代 多款芯片标准的制定，提前布局相关产品，巩固了公司在该领域的技术领先地位。2022 年度，公司 牵头制定 DDR5 第二子代、第三子代内存接口芯片及第一子代高带宽内存接口芯片 MDB 等产品的 国际标准，并积极参与 DDR5 第一子代 CKD 和 DDR5 内存模组配套芯片标准制定。

津逮®服务器平台产品线持续拓展市场，营业收入稳健增长。津逮®CPU 是公司在数据处理类芯片 进行战略布局的重要产品之一。目前，搭载津逮®CPU 的服务器机型已广泛应用于金融、能源、政 务、交通、数据中心及智慧城市等下游行业，产品获得了客户的广泛认可并实现了快速推广，对后 续该项业务的可持续发展以及公司在相关领域行业地位的提升奠定了坚实的基础。公司一方面不断 提升津逮®CPU 的兼容性水平，第三代津逮®CPU 系列产品通过 VMware 兼容性认证，达到 VMware ESXi 7.0 U3 虚拟化平台的通用兼容性及性能、可靠性要求，满足用户的关键应用需要；另 一方面，公司重点关注可信计算领域，公司和合作伙伴的“多云下基于硬件信任根的可信解决案” 方案获评“2022 年度首届安全可信优秀解决方案”。

引领 CXL 技术发展浪潮，全球首发 MXC 芯片。CXL 是目前全球高速互连领域热门和前沿的技 术之一。随着 CXL 技术及生态日益成熟，以及 CXL 技术在下一代内存架构中的应用的扩大，CXL 内存有望成为未来计算结构的关键节点，进而大幅推进人工智能（AI）和大数据服务。2022 年 5 月，公司成功发布全球首款 CXL 内存扩展控制器芯片（MXC），有望在未来的市场竞 争中抢得先机。公司与三星电子和 SK 海力士两大内存龙头相继推出了采用澜起科技 MXC 芯片的 CXL 内存模组及板卡。

恒烁股份

公司专精于 NOR Flash 和 MCU，产品应用广泛，性价比高

国内领先的 NOR Flash 存储芯片设计公司，聚焦“存储+控制+AI”领域，积极布局 AI 芯片领域。公司成立于 2015 年，第一款产品是 NOR Flash 产品，近年来，公司紧跟市场趋势不断丰富 NOR Flash 产品结构，提升技术实力，并开拓 MCU 芯片业务领域，同时布局 AI 芯片领域。公司长久布局存算一体技术。公司现有主营产品包括 NOR Flash 存储芯片和基于 Arm® Cortex®- M0+内核架构的通用 32 位 MCU 芯片。同时，公司还在致力于开发基于 NOR 闪存技术的存算一 体终端推理 AI 芯片。公司聚焦“存储+控制”领域，经过不断自主研发，公司已掌握高可靠性、高 速、低功耗 55/50nm NOR Flash 和 55nm MCU 设计技术，基于上述技术不断升级迭代相关产品， 并完成首款基于 NOR Flash 制程的存算一体 AI 芯片的研发、流片和系统演示。

以两大类主营产品为基础，形成“存储+控制+AI”的三位一体战略布局。公司始终专注于芯片的设 计、研发和销售，其主营业务和主营产品并未发生重大变化。① 公司自主研发的 NOR Flash 采用 SPI 接口，具有高可靠性、低功耗、兼容性好和低成本等特 点。该产品系列在制程、电压、频率、功耗、工作温度及产品稳定性方面均处于行业的主流水 平，部分产品技术水平达到行业先进水平；② 公司的 MCU 产品于 2020 年实现量产销售，2020 年、2021 年、2023 年的出货量分别为 1272.95 万颗、8974.87 万颗、11146.09 万颗。凭借着低功耗、高性价比的优势形成了稳定的客户群体。MCU 业务规模正处于快速发展阶段，并且公司逐步升级迭代更多系列产品，加大在工业控制和 汽车电子领域的拓展。同时公司在研的 M3、M4 产品系列因计算速度更快等特点，其应用场景 将得到拓展。

股权架构清晰，公司高层均有持股。公司股权结构清晰，董事长 XIANGDONG LU 先生直接持有公 司 13.10%的股份，通过合肥恒联企业管理咨询中心（有限合伙）间接控制公司 8.23%的股份；吕轶 南直接持有公司 8.31%的股份；XIANGDONG LU 与吕轶南为兄弟关系，并签署《一致行动协议》， 二人共同控制公司 29.64%的股份，为公司控股股东、实际控制人。

受行业整体波动影响，公司 2022 年营收下滑。MCU 产品营收占比逐步扩大。2018 年至 2021 年公 司收入整体呈现增长趋势；宏观上受行业周期下行，市场需求萎缩的影响，微观上叠加公司产品结 构变化，2022 年营收实现 4.33 亿元，同比下降 24.76%，2018-2022 年 CAGR 达到 43.92%。分产品 端来看，2020 年到 2022 年，NOR Flash 产品营收占比从 96.45%下降到 80.76%，MCU 产品营收占 比从 2.85%上升到 18.97%，上升幅度较大。

构建“存储+控制+AI 三位一体的战略布局

” 聚焦“存储+控制”领域，持续优化产品结构，发挥产品协同效应。公司自成立以来，不断优化产 品的技术，致力于提升公司的技术水平和性价比，同时强化公司产品的稳定性和兼容性。NOR Flash 产品的工艺制程已经达到了行业先进的 50nm，并在静态电流等多项关键指标上达到行业 优异水平，具有显著的性能优势。公司坚持存储器芯片的技术研发，目前已经拥有了高精确度灵敏 放大器技术，快速页编程技术，模拟模块快启动技术及温度检测技术等多项关键技术。MCU 产品因其良好的性能和成本，在市场同类产品中具有一定的竞争优势。基于上述优势，公司希 望借此实现产品和客户结构的进一步优化，从而实现品牌的提升。

公司与供应商达成深度协作，塑造稳定可靠的供应链体系。公司重视与上游供应商的合作关系，着 力打造稳定可靠的供应链体系。公司与武汉新芯和中芯国际建立了长久稳定的合作关系，不仅可以 从工艺角度提高产品的性能，加快产品迭代的速度，更确保了公司产能的稳定，提升公司的持续盈 利能力。高度重视研发与创新，构建人才与技术的研发优势。公司已经基于已有技术不断升级迭代相关产品， 并研发出首款基于 NOR Flash 制程的存算一体 AI 芯片。目前公司正在研发第二款 CiNOR 存算一体 AI 加速芯片。由于 CiNOR 可在公司自己的 MCU 平台上进行验证和纠错，大大减少了 CiNOR AI 芯片的开发周期。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议）

文琳编辑

免责声明：转载内容仅供读者参考，观点仅代表作者本人，不构成投资意见，也不代表本平台立场。若文章涉及版权问题，敬请原作者添加 wenlin-swl  微信联系删除。

《文琳资讯》

提供每日最新财经资讯，判断经济形势，做有价值的传播者。欢迎关注

今日导读：点击下面链接可查阅

▼长按2秒识别二维码关注我们

公众号 ：就业与创业

点击下方可看

▼长按2秒识别二维码关注我们