2023年高性能功率器件技术创新引领者研究报告
公司重视底层器件结构创新，持续丰富产品矩阵，目前已覆盖高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、超级硅MOSFET、TGBT、SiC器件等产品。
下游应用领域包括以车载、直流充电桩、光伏逆变器、工业及通信电源为代表的工业级应用领域，以及以手机快速充电器、电源为代表的消费电子应用领域。
受益新能源市场需求高增，公司营收持续快速增长，22全年、23Q1营收分别为11.2亿元、3.0亿元，同增43%、47%。盈利能力方面，受持续进行技术迭代、产品组合结构调整及涨价等综合因素影响，同时通过数字化手段不断提升运营效率，公司毛利率、净利率持续提升。
1. 高性能功率器件技术创新引领者，新品放量打开成长天花板
1.1. 精耕高功率应用领域，超结 MOSFET、TGBT、SiC 引领业绩增长
精耕高功率应用领域十余年，功率器件产品矩阵逐步丰富。功率器件属于特色工艺 产品，在制程方面不追求极致的线宽，而追求卓越的器件结构设计、工艺开发能力，公 司重视底层器件结构创新，持续丰富产品矩阵，目前已覆盖高压超级结 MOSFET、中低 压屏蔽栅 MOSFET、超级硅 MOSFET、TGBT、SiC 器件等产品。下游应用领域包括以 车载、直流充电桩、光伏逆变器、工业及通信电源为代表的工业级应用领域，以及以手 机快速充电器、电源、电源板为代表的消费电子应用领域。
新能源市场主导营收快速增长，盈利能力持续提升。营收方面，受益新能源市场需求 高增，公司营收持续快速增长，22 全年、23Q1 营收分别为 11.2 亿元、3.0 亿元，同增 43%、 47%。盈利能力方面，受持续进行技术迭代、产品组合结构调整及涨价等综合因素影响， 同时通过数字化手段不断提升运营效率，公司毛利率、净利率持续提升。
分产品看，超级结 MOSFET、TGBT、SiC 器件营收快速增长。
1）高压超级结 MOSFET：22 年实现营收 9.14 亿元，同增 61%，公司持续扩大高 压超级结 MOSFET 在光伏逆变、储能应用、UPS 领域的业务，成功替换 IGBT 并且明 显提升系统效率，出货呈现迅速增加态势。
2）TGBT：22 年实现营收 0.45 亿元，同增 685%，2022 年公司 TGBT 产品持续丰 富规格，多款产品进入批量供货阶段，销售收入实现迅速增长，批量进入光伏逆变及储 能、新能源汽车车载充电机、新能源汽车直流充电桩模块等多个新能源领域的头部企业， 获得客户一致认可，并在新能源汽车主驱应用领域进入认证阶段。
3）SiC 器件：22 年首次实现营收 0.13 万元，公司在 SiC 二极管、SiC MOSFET 及Si2C MOSFET 器件上取得较大研发进展，其中 Si2C MOSFET 已进入批量生产阶段、首 次实现营收，应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、 数据中心服务器高效率电源等，实现了对采用传统技术路线的 SiC MOSFET 的替代。
分应用领域看，汽车及工业领域 22 全年营收占比接近 80%。公司汽车及工业级应 用收入占主营业务收入约 80%，主要来自新能源汽车直流充电桩、各类工业及通信电源、 光伏逆变器、车载充电机等领域，客户资源丰富，长期增长可期。
1.2. 核心技术人员带头攻关，聚焦高效率、低损耗产品研发及产业化
公司股份及表决权较分散，华为旗下哈勃投资战略入股。公司的股权结构较为分散， 不存在控股股东。截至 2023 年一季报，公司的实际控制人王鹏飞和龚轶直接或间接控 制及通过一致行动安排合计共同控制了公司 32.63%股份，同时，公司获得知名投资公司 青睐，其中第二大股东原点创投持股 11.39%，中芯聚源持股 5.58%，华为 100%控股的哈勃投资于公司上市前一年入股，持股 4.94%。
加强研发投入，核心技术人员从业经验丰富。公司重视研发投入，截至 2022 年， 公司共有 54 名研发人员，占员工总人数比例约 49%，在研发投入方面，2022 共投入 0.55 亿元，同增 33%，持续大力投入研发为公司奠定技术能力提升基础。公司的核心技术人 员均为半导体相关专业毕业，从事半导体技术开发和项目管理工作超过 10 年，其中， 创始人龚轶曾任美国超微半导体公司工程部工程师，英飞凌科技汽车电子与芯片卡部门 技术专家；创始人王鹏飞曾任飞凌科技存储器研发中心研发工程师、德国奇梦达公司技 术创新和集成部门研发工程师。
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