中美芯片专利战 福州法院禁令禁售美光部分产品

据福建省晋华集成电路有限公司官方网站报道，福州市中级人民法院年7月3日作出诉中禁令，裁定美光半导体销售（上海）有限公司立即停止销售、进口十余款Crucial英睿达固态硬盘、内存条及相关芯片，并删除其网站中关于上述产品的宣传广告、购买链接等信息。同时裁定美光半导体（西安）有限责任公司立即停止制造、销售、进口数款内存条产品。

今年1月，晋华获悉Micron Technology, Inc.及其相关的利益主体（统称“美光”）制造、生产、加工、进口、使用、销售、许诺销售的Crucial MX300 2.5-inch SSD 525GB 固态硬盘以及 Crucial DDR4 2133 8G 笔记本内存条涉嫌侵害晋华专利权。

晋华于2018年1月19日就相关侵权产品对美光提起诉讼，并于同日向福州市中级人民法院递交诉状，请求判令美光立即停止侵犯晋华专利的行为，包括但不限于停止加工、使用、进口、销售、许诺销售侵犯我司专利的任何侵权产品，和立即销毁全部库存侵权产品及加工、使用侵权产品之全部相关机台等设备；并请求赔偿金额达人民币1.96亿元。

晋华是由福建省电子信息集团、晋江能源投资集团有限公司等共同出资设立的集成电路生产企业，与台湾联华电子(UMC)进行技术合作，投资56.5亿美元，在福建省晋江市建设300毫米内存晶圆厂生产线，开发先进存储器技术和制程工艺，并开展相关产品的制造和销售。

7月3日，台湾联华电子也发布了重大信息说明，说明中称，福州市中级人民法院于2018 年 7 月 3 日就关于美光半导体（西安）有限责任公司、美光半导体销售（上海）有限公司等先行停止侵犯涉案专利权（专利号：ZL03100966.2）做出（2018）闽 01 民初 137 号之二《民事裁定书》。其主要主要判决内容如下：

美光半导体（西安）有限责任公司立即停止制造、销售、进口铂胜运动Ballistix 铂胜台式内存DDR4 2400 8G 两条装（实物商品型号：Crucial英睿达内存条BALLISTIX 16GB KIT 2-8GB DDR4-2400 UDIMM 1.2V）及 BX 芯片等12 项产品。

美光半导体销售（上海）有限公司立即停止销售、进口Crucial 英睿达 DDR424008G 笔电内存条及C9BGM 芯片等 17 项产品，以及厦门市思明区信通源计算机经营部立即停止销售、许诺销售Crucial 英睿达DDR4-2400 8G 笔电内存条及C9BGM 芯片等。

根据台湾联华电子的信息说明，这次福建中院诉前禁令涉及的专利的专利号是ZL03100966.2。

经知识产权那点事小编查询，涉案专利概况如下：

检索无效请求情况为：某自然人早在2018年3月28日提出了无效请求并缴纳了费用，2018年5月18日美光半导体销售（上海）有限公司也提出了无效请求并缴纳了费用。最新进展是专利复审委员会已在2018年7月2日发送了口头审理通知书，看来针对涉案专利的无效口审，即将进行。

同时据了解，用于智能手机里的存储芯片分为两大类，动态随机存储器DRAM和闪存NAND Flash。简单来说，手机厂商宣传的4GB内存对应的便是DRAM，32GB或64GB存储对应的是NAND Flash。这两大存储芯片市场长期被几家巨头垄断，而美光则是其中之一。

7月5日，美光发布回应声明称，中国2家子公司已收到福州中级人民法院针对联电与晋华提起的专利侵权案所发布的临时禁令。美光表示，对裁决结果感到失望，并坚信联电与晋华的专利无效，且美光的产品并不侵害专利。美光表示，联电欠缺先进DRAM与NAND Flash技术，美光也并未使用联电声称的自家专利，联电及福建晋华扭曲解释专利内容，并诬指美光侵权，美光已经将证据递交至专利复审委员会，证明其中技术早已有其他公司在非中国地区申请，借此证明联电声称的专利无效。

以上整理自：晋华官网、公众号“专利分析与布局”、“中国手机创新周”、电子工程专网等

速评

由该专利的授权文本来看，其权利要求1和8都是涉及具体结构的技术方案，正如福建晋华声称的将完全可以对美光的涉案产品进行层层细剖，从而明确其产品结构，以便提起专利侵权诉讼。该案件未来的走向十分值得关注，无论是晋华方面侵权之诉，还是美光方面无效案件的进展都影响着整个存储芯片市场的动态。

该案件作为我国企业对芯片巨头的专利之役十分值得借鉴，晋华向法院提出的诉中禁令得到了法院的支持，本身也向侵权企业敲响了警钟，禁令对市场领域的杀伤力远大于侵权案件本身。无论是国内企业还是国外巨头都应更加注重知识产权问题，在产品上市前进行必要的侵权风险排查规避工作，避免产品被颁布禁令的被动局面。

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