8.55亿元一台的光刻机是怎么工作的？
总部设在荷兰费尔德霍芬的ASML光刻机是芯片制造设备中最昂贵和最复杂的设备。接下来，我们将对芯片制造的整个流程和ASML公司的特定专业知识进行简化介绍。另外，整理了一个必须知道的术语列表来理解ASML的工作。
ASML的EVU光刻机工作流程
视频来源：科技第一
193nm: 这是一种超紫外线光波。目前是应用最广技术最成熟的芯片。另外，DUV指193nmArF准分子激光的干式和浸没式DUV光刻机 。
对准:晶圆片的标记与掩模版商的标记精确对准，使当前曝光的图形与晶圆上的图形精确重叠的过程。上世纪80年代，阿斯麦公司以这种参考标记为基础的对准系统而出名，这个系统至今仍在公司可以看到。
图片来源：网络
Brion: 一家专门从事计算光刻集成电路的公司，2007年被ASML收购。
CD:临界尺寸，图像中最小的细节。其质量是衡量光刻工艺的关键参数之一。
计算光刻:用于提高光刻性能的计算机辅助技术的总称。
双重曝光:也称为DP/MP。一种平版印刷技术，由于扫描仪的分辨率不足以在一次曝光中产生芯片层，因此在光刻胶覆盖的晶片上分别进行两次曝光。对于芯片制造商来说，这在经济上不是最有吸引力的选择，但由于EUV光刻技术发展的延迟，这是不得不做的选择。
DUV: 准分子激光的深紫外光源。分为193nm和248nm技术。
DUV光刻机
图片来源:阿斯麦官网
EUV:极紫外光源，波长大约在100到10纳米之间。在芯片制造中，EUV光刻(也缩写为EUVL)使用的光线波长为13.5nm。
EUV光刻机
图片来源:阿斯麦官网
半间距:指芯片上两个成像的芯片结构之间距离的一半。参见:节点。
一体化光刻技术:ASML创造的术语，指协调芯片、掩模、光刻和计量的功能，以达到最佳工艺窗口的芯片制造过程。
浸入: 浸入式光刻技术，即在透镜和晶圆片之间引入水。因为水的折射率比空气高，所以分辨率提高了。目前用于生产最先进芯片的标准使用，与193nm光相结合。
LER: 光刻胶图形边缘的粗糙程度，呈锯齿状结构。太粗糙代表不好。
掩模板:也称为掩模，一块在内部刻着线路设计图的玻璃板，光线透过它，把设计图形透射在光刻胶上。光罩是一种能缩小刻度的掩模。
计量学:用于监测光刻过程的各种测量技术的总称。可以识别机器是否正常工作。
摩尔定律:市场上每个集成电路所包含的晶体管数量每两年就会翻一番。结构越小的芯片速度越快，而且在晶圆上放置越多的芯片，越经济。最新一代的芯片花了两年多的时间来开发，尽管EUV的到来可能会消除这种延迟。
工艺节点:芯片代号。用整数表示的。过去与半节距有关(见上面)，但现在是一个营销术语，每个芯片制造商的定义都不一样。
OPC：光学邻近校正，是一种计算光刻增强技术。
刻套误差:上次和这次已完成曝光的硅片距离的大小，目前套刻误差只允许大约几个纳米。如果它们不能很好地贴合在一起，芯片就无法工作。显然，这在双重曝光中非常重要。
套刻误差控制系统及其数据流程
图片来源：mems技术
薄膜：保护膜，任何落在胶片上的纳米碎片都非常远导致无法成像
照片漆:光致抗蚀剂，又称光刻胶。光刻胶涂在硅片表面，主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上，是一种光敏材料。
光刻胶：曝光液
光罩: 一个可以降低刻度的罩。
扫描仪:最新一代的曝光设备，晶圆片在镜头下移动。在上一代的步进扫描仪中，晶圆片被固定在相应的位置，透镜柱一步一步地暴露晶圆片。
双工件台:是阿斯麦公司设计的生产设备，在这个双扫描仪工作下，一个工件台上的晶圆做曝光时，另一个工件台对晶圆做曝光前的准备工作，如此循环。
正常运行时间:曝光设备在不需要维护或故障的情况下连续运行的时间。这对ASML的客户来说非常重要。-
Yieldstar: ASML独立生产的光盘光刻测量工具。测量覆盖和焦点。是ASML整体光刻套件的一部分。
晶圆片:制造晶片的极纯晶硅圆片。
本文由芯师爷翻译自Bits&Chips网站的《ASML for beginners》，图片来源：ASML、mems技术、传感器专家网、IC咖啡等。仅供交流学习之用，如有任何疑问，敬请与我们联系info@gsi24.com。
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