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【精彩论文】高压大功率器件用高温栅偏测试装置研制
引文信息
邓二平, 孟鹤立, 王延浩, 等. 高压大功率器件用高温栅偏测试装置研制[J]. 中国电力, 2019, 52(9) :48-53, 72.DENG Erping, MENG Heli, WANG Yanhao, et al. High temperature gate bias test equipment for high voltage and high power devices[J]. Electric Power, 2019, 52(9) :48-53, 72.
内容摘要
为准确评估硅IGBT和碳化硅MOSFET等高压大功率器件不同电应力及热应力条件下的栅极可靠性,研制了实时测量皮安级栅极漏电流的高温栅偏(high temperature gate bias,HTGB)测试装置。此外,该测试装置具备阈值电压在线监测功能,可以更好地监测被测器件的状态以进行可靠性评估和失效分析。为初步验证测试装置的各项功能和可靠性,运用该测试装置对商用IGBT器件在相同温度应力不同电应力条件下进行分组测试。初步测试结果表明老化初期漏电流逐渐降低,最终漏电流大小与电压应力有良好的正相关性,栅偏电压越大,漏电流越大。该测试装置实现了碳化硅MOSFET器件和硅IGBT器件对高温栅偏的测试需求且适用于各种类型的封装。
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编辑：杨彪
审核：蒋东方
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