【精彩论文】多芯片并联压接式IGBT中温度不均对电流分布的影响

观点凝练

摘要：多芯片并联的压接式IGBT器件是柔性直流输电设备中的关键部件，因制造工艺、回路寄生参数和热耦合问题使得器件内部应力分布不均，造成器件不均匀老化，使得内部温度不均程度加剧，进而使得电流分配不均。围绕不同温度差异下导致的电流分布不均问题展开研究。首先，对造成IGBT器件并联不均流的原因以及温度对不均流特性的作用进行分析。然后，利用单芯片压接式IGBT器件并联模拟多芯片器件内部的温度分布不均情况，进行温度分布不均匀程度对电流分配影响的实验。最后，通过实验验证并联器件间温度差异与不均流程度的关系。所提方法为提高器件的运行可靠性和对压接式IGBT失效机理认知奠定基础。
结论：本文研究了多芯片并联压接式IGBT中温度分布与电流分布的关系。通过对结温对芯片等效导通电阻的影响，明确了温度差异对并联压接式IGBT电流分布不均的影响趋势。采用将单芯片压接式IGBT并联来模拟多芯片并联的情况，通过实验验证了温度差异对通态不均流程度的影响规律，发现在一定结温差异范围内，多芯片并联压接式IGBT器件的2个模块间的通态不均流程度随结温差异的成线性变化。

引文信息

邓真宇, 陈民铀, 赖伟, 等. 多芯片并联压接式IGBT中温度不均对电流分布的影响[J]. 中国电力, 2020, 53(12): 10-17.DENG Zhenyu, CHEN Minyou, LAI Wei, et al. Influence of uneventemperature on current distribution in paralleled multi-chips press pack igbt[J]. Electric Power, 2020, 53(12): 10-17.

 往期回顾 

编辑：杨彪

审核：许晓艳

声明

根据国家版权局最新规定，纸媒、网站、微博、微信公众号转载、摘编《中国电力》编辑部的作品，转载时要包含本微信号名称、二维码等关键信息，在文首注明《中国电力》原创。个人请按本微信原文转发、分享。欢迎大家转载分享。