如何通过紫外可见漫反射光谱计算带隙/禁带宽度（图的绘制：tauc plot&KM法）

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之前我们介绍了计算带隙的两种办法:1.切线法、2.tauc plot法，有小伙伴反应之前的方法2纵坐标（α hν）^1/m单位不清楚的问题，现在我们介绍下如何用origin绘制带隙图，本文所用数据请后台回复数据20获取 ：

（α hν）^1/m=B(hν-Eg)

直接带隙：m=1/2

间接带隙：m=2

α为吸收系数，B为常数，hν为光子能量，h 为普朗克常数=4.1356676969×10^-15 eV·s，ν 为入射光子频率，Eg表示半导体禁带宽度（带隙）

α=2.303*A/d 一般情况下，d为比色皿厚度、薄膜厚度、粉末压片的厚度；

1. 打开紫外的数据；

2.按下方的表格计算出各个物理量的数值：其中1代表以1240/λ近似代表hν, 2代表准确的hν,可以看出两者很接近；

3.计算完相应的物理量，我们以直接带隙为例画图，间接带隙画图类似，只是纵坐标的单位有所不同，一会我们进行说明；

4.复制需要的两列数据的值到空白的excel区域；然后复制到origin中，删除没用的字符；

5.生成折线图，将Y轴设为从0开始，并更改x和y轴的title和单位；

6.x轴title为hν，单位为eV，如果是直接半导体，y轴title为

（α hν）²，单位应为（eV·cm^-1）² ；如果是间接半导体，y轴title为

（α hν）^1/2，单位应该是 （eV·cm^-1）^1/2。

7.按照之前的方法做切线（如何做切线、tauc plot法计算Eg），也可以直接画一条直线拉伸到x轴，计算出Eg，然后根据需要对图进行调整，即可完成Eg数据的绘制。

延展阅读：

jade基本操作（3.晶粒尺寸计算）