挑战芯片、GaN、协议铁人三项，英飞凌推出氮化镓快充全套解决方案
随着USB Type-C接口的普及，大功率的使用场景越来越普及，同时伴随氮化镓器件的发展，大功率充电器的功率密度不断提升。如何在器件限制中把充电器做小，成为大家的共识。
顺应大功率充电器的发展趋势，英飞凌推出了两款集成驱动器的氮化镓集成功率级，包括半桥和单通道器件，适用于30-500W的充电器及开关电源应用。
英飞凌电源和传感系统事业部大中华区副总裁 陈志豪向大家介绍英飞凌，英飞凌于1995年正式进入中国大陆市场，在深圳的发展已经超过20年，英飞凌的发展与中国的发展息息相关。
英飞凌电源与传感系统事业部应用市场经理 卢柱强介绍英飞凌针对快充的技术分析和市场趋势，英飞凌现在可以为充电器设计提供一站式的半导体方案。英飞凌是为数不多的一家能够全部供应硅、碳化硅和氮化镓三大类材料产品的功率半导体厂家。氮化镓能显著减小开关损耗，通过利用氮化镓高频下开关特性的优点，实现小型化的设计。
英飞凌通过将隔离驱动器和GaN开关管集成在一个QFN8*8的封装内部，并对散热进行优化，相比两个氮化镓开关管加驱动器器件的组合，大幅缩减空间占用，可实现高功率密度的设计。
目前推出的IGI60F1414A1L支持400W半桥应用，对于USB PD3.1 240W的输出还留有一些余量，英飞凌还将推出其他的器件适配更多的应用。另外的IGI60F0014A1L可通过使用两颗器件得到更好的散热效果。目前两颗器件均已支持订购。
内置驱动的氮化镓器件，极大程度的简化了驱动电路的设计，特性可针对设计来进行优化，实现可靠性的提升和设计难度的降低。英飞凌现在已可以提供从原边开关的高压氮化镓器件到副边同步整流的氮化镓器件。
“大功率、高功率密度、通用性（如Type-C）以及合适的成本是未来充电器市场的主要发展方向，也是英飞凌作为半导体解决方案供应商，所致力于切入和配合的市场需求。”英飞凌电源与传感系统事业部应用市场经理卢柱强表示。
英飞凌近日发布的集成功率级（IPS）产品 CoolGaN™ IPS 系列产品，进一步拓展其宽禁带（ WBG）功率元件组合。IPS 基本的产品组合包括半桥和单通道产品，目标市场为低功率至中功率的应用，例如充电器、适配器以及其他开关电源（SMPS）等。
英飞凌CoolGaN IPS器件支持1MHz开关频率，时延低至47ns，使死区控制更准确，且半桥控制的一致性更好。并且驱动器输出可配置RC网络，优化线路电压上升率。输入信号支持MCU、DSP、FPGA等，支持PWM信号输入。内置无磁芯变压器提供可靠的驱动隔离，并且输入和输出级绝缘，可提供数字控制与功率级没有噪声耦合，并且功率级可承受更高的压摆率，同时无需外置驱动器，降低系统整体成本。
除了CoolGaN 集成功率级外，英飞凌还提供IGLD60R190D1，600V耐压，190mΩ导阻的氮化镓单管，以及IQC0800NLS，100V耐压的低压单管。
英飞凌基于PAG1P+PAG1S的准谐振反激65W氮化镓PD快充参考设计方案。
这款参考设计就使用了英飞凌的IGLD60R190D1氮化镓开关管。
英飞凌基于不同功率推出了多款不同方案的解决方案，所有器件英飞凌都可以提供，覆盖不同功率范围的充电器方案，满足客户的多样化需求。
英飞凌推出基于PAG1S+1P的18-65W高性价比方案，基于XDPS21071的45W方案，基于XDPS21081的65W方案，以及基于XPDS2201的混合反激高功率密度解决方案。
英飞凌不断扩充产品线，不断迭代，推出了OptiMOS 系列产品，为充电器的轻载和满载销量优化，料号集中便于交付，提供更具竞争力的价格。
英飞凌是一家提供硅(Si)、碳化硅(SiC)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)和氮化镓(GaN)器件的公司，这一独特地位使其成为所有领域客户的首选。
英飞凌基于宽禁带半导体的优势推出了一系列器件和参考设计，可帮助开发使用宽禁带半导体的应用。
充电头网归纳的英飞凌快充电源产品线布局，涵盖从功率器件到初级控制器，协议芯片、多口控制芯片和数据线中的E-Marker芯片。
充电头网总结
快充市场是一个很重要的增长点，每年都有新技术应用到充电器上，提升充电器的效率，提高功率密度，减小充电器体积等。英飞凌推出了全功率段的PD快充解决方案，结合英飞凌产品优势，可生产具有竞争力的快充产品等电源产品。
英飞凌最新推出的CoolGaN IPS器件，将低导阻氮化镓开关管与驱动器集成到一个封装中，实现了高度集成的氮化镓开关设计，并可实现高可靠性和简化的电路设计。
峰会预告
7月30日，，届时将有多家氮化镓、碳化硅快充芯片原厂及快充产业链配套企业出席，共同探讨第三代半导体快充发展新趋势。
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