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前沿进展 | 下一代微电子应用的理想半导体材料——砷化硼
The following article is from 国家纳米科学中心 Author 刘新风课题组
“前沿进展”栏目,旨在介绍科研人员在光学领域发表的具有重要学术、应用价值的论文,促进研究成果的传播。部分论文将推荐参与“中国光学十大进展”评选。
01 导读
近日,国家纳米科学中心刘新风研究员团队与休斯顿大学包吉明团队和任志锋团队合作,在超高热导率半导体-立方砷化硼(c-BAs)单晶的载流子扩散动力学研究方面取得最新进展,为其在集成电路领域的应用提供重要基础数据指导和帮助。相关研究成果以“High ambipolar mobility in cubic boron arsenide revealed by transient reflectivity microscopy”为题于2022年7月21日发表在 Science 上。02 研究背景
随着芯片集成规模的进一步增大,热量管理成为制约芯片性能越来越重要的因素。受散热问题的困扰,人们不得不牺牲处理器的运算速度。
03 研究创新点
虽然c-BAs被制备出来,但样品中广泛分布着不均匀的杂质,为其迁移率的测量带来极大的困难。一般可以通过霍尔效应,测定样品的载流子的迁移率;然而电极的大小制约着其空间分辨能力,并直接影响到测试的结果。2021年,利用霍尔效应测试的c-BAs单晶的迁移率报道结果仅为22 cm2V-1s-1,与理论预测结果相差甚远。具有更高的空间分辨能力的原位表征方法是确认c-BAs本征迁移率的关键。
04 总结与展望
论文链接:
https://www.science.org/doi/full/10.1126/science.abn4727
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编辑 | 方紫璇
END
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