【学术视频】纪念黄昆先生诞辰一百周年暨半导体学科发展研讨会 | 中科院半导体所赵建华研究员
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图 | 赵建华
题 目：磁性半导体的挑战与机遇
报告人：赵建华
单 位：中国科学院半导体研究所
时 间：2019-09-03
地 点：北京西郊宾馆
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报告摘要
磁性半导体同时具有半导体和磁性材料特征，是利用半导体中电子自旋自由度进行数据加工处理和存储的重要材料体系。本报告简要介绍了磁性半导体的研究背景，展示了报告人团队关于磁性半导体 (Ga, Mn)As的代表性工作、在新型磁性半导体方面的探索，最后介绍了磁性半导体研究面临的挑战，并对前景进行了展望。
个人简介
赵建华，中科院半导体所研究员，博士生导师。1999年获中科院物理所博士学位，1999-2002年在中科院半导体所、日本东北大学做博士后，2003年至今任中科院半导体所研究员。长期从事半导体自旋电子学及低维半导体量子材料与物理研究。在Nature子刊、PRL、Nano Lett.等期刊发表文章230余篇。获黄昆固体物理与半导体物理奖、国家技术发明二等奖。973项目首席科学家、国际纯粹与应用物理学联合会（IUPAP）磁学专业委员会委员。
会议简介
黄昆先生（1919-2005）是国际著名的物理学家，是中国固体物理学和半导体物理学的奠基人之一。2019年是世界著名物理学家、中国固体物理学和半导体物理学奠基人之一黄昆先生诞辰100周年。黄昆先生曾在中国科学院半导体研究所和北京大学工作，并曾兼任中国物理学会理事长。为了纪念黄昆先生，中国科学院半导体研究所、北京大学、中国物理学会和九三学社联合举办“纪念黄昆先生诞辰100周年暨半导体学科发展研讨会”，纪念他对科学与教育事业的贡献，缅怀他的高尚品格和道德情操，学习他严谨求实的治学态度和实事求是的精神，并研讨当前半导体科技的新进展。
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