【学术视频】第13届全国分子束外延学术会议 | 电子科技大学巫江教授

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图 | 巫江

题   目：硅基异质结外延生长III-V族量子结构红-外光电探测器

报告人：巫江

单   位：电子科技大学

时   间：2019-08-16

地   点：烟台金沙滩喜来登度假酒店

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报告摘要

在硅衬底上的直接外延生长激光器等高性能光电探测器将为硅光子技术提供长期以来所急需的高效光源。然而，III-V族半导体材料与硅之间存在非常大的材料差异。特别是极性与非极性表面、晶格失配以及晶体热膨胀系数失配使得III-V族半导体直接在硅衬底上的外延生长通过引入非常高的密度的反相畴和穿透位错，因此，III-V族半导体在硅上得而异质外延极具挑战性。最近，III-V量子点器件由于其独特的性质而受到广泛关注，特别在III-V族光电器件在硅上异质集成的具有非常大的优势，特别是表现在对缺陷的敏感性降低等方面。因此，硅基III-V族量子点激光器在近年来取得了巨大的突破。除了光发射器之外，直接在硅上外延生长的III-V量子结构红外光电探测器也引起了很多关注，为第四代高性能红外光电探测器提供了一个有效替代方案。量子结构红外光电探测器在硅衬底上的实现将受益于利用成熟的硅工艺技术实现大尺寸、低成本的红外焦平面阵列。本次报告将汇报直接在Si衬底上异质外延生长III-V量子结构红外光电探测器。具体介绍了直接在硅衬底上制造高质量III-V量子结构光电探测器的最新进展。报告将包括III-V量子点光电探测器，量子点级联光电探测器，以及通过异质外延在硅上的II型超晶格光电探测器等研究成果。

个人简介

巫江，2006年获电子科技大学双学士学位；2008年、2011年分别获得美国阿肯色大学电子电气工程硕士、博士学位。2011年12月-2012年12月任电子科技大学副教授；2013年1月-2015年11月任电子科技大研究员；期间曾在英国伦敦大学学院做博士后研究；2015年10月-2018年2月任英国伦敦大学学院讲师/助理教授；现任电子科技大学教授。其研究领域包括光电子器件与技术，光子学，半导体科学与信息器件，信息功能材料。

会议简介

全国分子束外延学术会议是每两年举办一次的全国性学术会议。会议的宗旨是展示我国在分子束外延（MBE）及其相关领域的新进展、新动态、新成果，交流和探讨我国分子束外延发展中存在的问题和未来的发展方向，拓宽分子束外延的应用领域，为我国从事分子束外延技术以及相关材料和器件研究的科研人员提供相互了解和交流的机会，同时也为分子束外延相关的上下游产业提供信息沟通和宣传的渠道，从而促进我国分子束外延技术及其相关领域科学技术的发展。 本届会议由中国有色金属学会半导体材料学术委员会和中国电子学会电子材料分会共同主办，中国科学院半导体研究所承办，于 2019年8月14-17号在中国烟台市召开。

—— ——往期精彩回顾—— ——●【学术视频】第13届全国分子束外延学术会议 | 中国科大陈宇粮博士：分子束外延生长不同取向VO₂及锂离子 各向异性掺杂●【学术视频】第13届全国分子束外延学术会议 | 南京大学赵亚飞博士：分子束外延生长的Cr掺杂Bi₂Te₃薄膜的能带结构和超快自由载流子动力学研究●【学术视频】第13届全国分子束外延学术会议 | 清华大学郝智彪教授：氮化物纳米线量子点分子束外延与特性研究

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