8英寸！晶盛机电SiC衬底量产
12月25日，晶盛机电披露投资者关系活动记录表显示，公司自2017年开始碳化硅产业布局，聚焦碳化硅衬底片和碳化硅外延设备两大业务。公司已掌握行业领先的8英寸碳化硅衬底技术和工艺，今年11月公司正式启动了“年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片”项目。
此外，公司于今年推出了6英寸双片式碳化硅外延设备、8英寸碳化硅外延设备，外延的厚度均匀性、掺杂均匀性达到行业领先水平。目前公司碳化硅衬底片已通过多家下游企业验证，并实现批量销售。
问
碳化硅相关业务的布局
答
公司自2017年开始碳化硅产业布局，聚焦碳化硅衬底片和碳化硅外延设备两大业务。
公司已掌握行业领先的8英寸碳化硅衬底技术和工艺，量产晶片的核心位错达到行业领先水平，今年11月公司正式启动了“年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片”项目。此外，公司于今年推出了6英寸双片式碳化硅外延设备、8英寸碳化硅外延设备，外延的厚度均匀性、掺杂均匀性达到行业领先水平。
问
公司碳化硅衬底片业务的发展历程
答
自布局碳化硅衬底业务以来，公司通过自主开发的设备、热场和工艺技术，不断延伸产品系列。经过研发团队的技术攻关，公司于 2020年建立6-8英寸碳化硅晶体生长及切磨抛产线，于2022年成功研发出8英寸N型碳化硅晶体。2023年11月，公司正式进入了碳化硅衬底片项目的量产阶段。目前公司碳化硅衬底片已通过多家下游企业验证，并实现批量销售。
问
公司碳化硅衬底片领域的优势与竞争力？
答
碳化硅材料因其技术含量高而呈现制作难度大、良率低等特点，高品质碳化硅衬底片具有显著的优势与竞争力。公司6英寸和8英寸量产晶片的核心位错可以稳定实现TSD＜100 个/cm²，BPD＜400 个/cm²，达到行业领先水平。
此外，碳化硅晶体生长和加工技术自主可控是碳化硅产业的核心竞争力。公司通过自主开发的设备、热场和工艺技术，不断延伸产品系列，相继成功开发6英寸、8英寸碳化硅晶体和衬底片，并成功解决了8英寸碳化硅晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题。目前公司已掌握行业领先的8英寸碳化硅衬底技术和工艺，与国内外领先企业在8英寸布局上基本实现同步。
问
碳化硅晶体的长晶难度源自哪些方面？
答
大尺寸的碳化硅晶体制备一直是行业的“卡脖子”技术。碳化硅材料因其技术含量高而呈现难度大、良率低、制作成本高的特点。“高硬度、高脆性、低断裂韧性”的碳化硅，对生产工艺有着极其苛刻的要求。
公司将利用自身的技术和资源优势，加快碳化硅衬底片的关键 核心技术攻关和产业化，保障我国碳化硅产业在关键核心技术上的 自主可控，加速推进第三代半导体材料国产化进程。
问
公司碳化硅衬底量产项目的最新进展情况如何？
答
2023年11月4日，公司举行了“年产25万片6英寸、5万片 8 英寸碳化硅衬底片项目”签约暨启动仪式，旨在加快半导体 材料端的关键核心技术攻关，实现国产化替代，这一举措标志着公司在半导体材料领域的技术实力和市场竞争力将进一步提升。
公司积极推进项目进度与产能提升，目前8英寸碳化硅衬底片已实现批量生产，量产晶片的核心位错达到行业领先水平。
问
请问公司碳化硅外延设备的最新进展与设备优势？
答
公司于今年相继推出了6英寸双片式碳化硅外延设备、8英寸碳化硅外延设备。其中6英寸双片式碳化硅外延设备在外延产能、运营成本等方面已取得国际领先优势，与单片设备相比，双片设备单台产能增加70%，单片运营成本降幅可达30%以上，助力客户创造极大价值。8英寸碳化硅外延设备可兼容6、8寸碳化硅外延生产，解决了腔体设计中的温场均匀性、流场均匀性等控制难题， 外延的厚度均匀性1.5%以内、掺杂均匀性4%以内，达到行业领先水平。
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