SEMI调高支出预期，哪些厂家有机会？

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虽然2022年以来欧美宅经济退潮、消费电子需求下滑、龙头企业砍单等负面消息不断，但国际半导体产业协会SEMI对行业依然乐观。

SEMI在其最新季度《世界晶圆厂预测报告》中公布，2022年全球前端晶圆厂设备支出预计将同比增长20%，创下1090亿美元的历史新高。这是继2021年增长42%后的连续第三年增长。

今年3月，SEMI曾预测，2022年全球前端晶圆厂设备支出将达到1070亿美元，同比增长18%。

方正证券电子行业首席分析师陈杭表示，全球半导体设备市场美、日、欧垄断，中国半导体设备综合自给率仍非常低。国内设备厂商厚积薄发，产品验证与新机研发齐头并进，品线扩张与设备放量赋能长期高成长。他建议关注北方华创、中微公司、盛美上海、拓荆科技、万业企业、芯源微、华峰测控、至纯科技、精测电子、长川科技、芯碁微装、光力科技等公司。

陈杭在一份研究报告中透露，2022年之后，内资晶圆厂12吋潜在扩产产能至少155万片/月，支撑未来3-4年高景气周期。

芯片制造过程可以分为前道工艺和后道工艺，涉及的设备包括光刻、刻蚀、薄膜生长、离子注入、清洗、CMP、量测等。其中，晶圆制造三大主设备光刻、刻蚀、薄膜生长设备（合计市场占比超过 70%）以及关键设备量测设备（市场占比达13%）均在前端环节。

国内刻蚀机市场，国产厂商表现亮眼。中微公司已占据20%市场份额，排名第二，北方华创则占据6%市场份额。中微领军国内介质刻蚀，北方华创则领军国内硅刻蚀。

中微公司近期接受调研时表示，在逻辑集成电路制造环节，公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户65纳米到5纳米等先进的芯片生产线上；同时，公司根据先进集成电路厂商的需求，已开发出小于5纳米刻蚀设备用于若干关键步骤的加工，并已获得行业领先客户的批量订单。公司目前正在配合客户需求，开发新一代刻蚀设备和包括更先进大马士革在内的刻蚀工艺，能够涵盖5纳米以下更多刻蚀需求和更多不同关键应用的设备。在3DNAND芯片制造环节，公司的电容性等离子体刻蚀设备可应用于64层和128层的量产，同时公司根据存储器厂商的需求正在开发新一代能够涵盖128层及以上关键刻蚀应用以及相对应的极高深宽比的刻蚀设备和工艺。

薄膜沉积设备方面，北方华创布局PVD、APCVD、APCVD以及用于功率等的PECVD、ALD，其中PVD设备独领风骚。拓荆科技布局PECVD、SACVD以及ALD，产品已广泛应用于国内14nm以上晶圆制造产线。中微公司2022年新的针对Mini LED市场的MOCVD将实现0到1放量。盛美上海方面，前道大马士革ECD设备已实现批量订单，另外SiN LPCVD客户端进行量产认证，未来有望放量赋能。

责编：邵子怡   校对：孙洁华   制作：张   巘

图编：张大伟   签发：潘林青

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