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扩张丨三星70亿美元投资空降西安,看看都投哪去了?

2017-08-29 安家西安

面对智能手机与其他手持式设备的储存需求越来越大,加上云服务器与全快闪存储器的量持续攀升,使全球 NAND Flash 快闪存储器一直供不应求。全球最大快闪存储器供应商──韩国三星有意在今后3年,斥资70亿美元,在中国最大的西安工厂扩产NAND Flash产能。


根据《路透社》报导,韩国三星电子28日表示,预计未来3年内将投资70亿美元,扩大中国西安工厂的NAND Flash快闪存储器产能。目前,三星在中国西安工厂产能约每个月12万片,几乎达满载状态。



三星2017年7月初宣布计划在韩国至少投资21.4万亿韩元(约 186.2 亿美元),以提高存储器和OLED屏幕产量,当时就表示将于三星西安NAND Flash快闪存储器工厂再新增一条生产线,用以增加NAND Flash快闪存储器产能。不过,当时并未确认最后预计的总投资金额。


报导表示,根据三星一份监管文件表示,目前已批准预期投资的70亿美元中的23亿美元支出,其他部分将陆续依照未来 3年当年度需求,陆续投资


据韩联社报道,西安半导体生产线于2014年建成,目前开工率100%,扩张产能,布局中国,有助于在全球最大NAND闪存市场应付日益增长的中长期需求。据悉,新建生产线全部用于制造垂直闪存(V-NAND)。


NAND芯片是闪存的一种,它更像硬盘,成本比NOR型闪存低一些,但容量大得多。所以,NAND芯片主要用于资料存储,是常用的闪存产品,如闪存盘、数码存储卡等。而NOR型闪存更多用于手机。


❤  西安&三星


2012年1月


韩国政府宣布批准三星电子在中国建设闪存芯片工厂,这一消息引发外界广泛猜测,包括无锡、苏州、北京、重庆等在内的众多拥有半导体产业的城市及开发区纷纷向三星抛去了绣球。


2012年3月


出乎意料地,三星宣布最终选址西安,一期投资高达70亿美元。4月10日,三星电子与陕西省、西安市、西安高新区分别签署战略合作框架协议,宣布该存储芯片项目正式落户西安高新区。


2013年12月和2015年12月


三星(中国)半导体有限公司先后进行了两次增资扩股,投资总额由2012年的70亿美元增加到105亿美元,注册资本由23.3亿美元增加到35亿美元,增资部分将用于12英寸闪存芯片扩产。至此,三星西安闪存芯片项目一期投资突破百亿美元大关。


2014年5月


改革开放以来国内电子信息行业最大外商投资项目——位于西安高新区的三星(中国)半导体有限公司竣工。2015年4月,首条封装测试生产线在西安高新区正式竣工量产。


2017年5月


三星电子透露,考虑扩大其中国制造基地的存储器芯片产能。受制于韩国国内的不稳定因素,三星二期项目也受到了一定的影响。西安高新区曾两次赴韩国和三星高层对接,7月13日韩国三星半导体公司法人任伯钧前来高新区主动对接;7月17日西安高新再次赴韩国就项目尽快落地进行了沟通。双方终于达成“在西安三星半导体工厂建设一条新生产线,扩大产能”的意见。



★  三星落户五年成效 ★


2012年,三星宣布落户西安的那一年,西安进出口总额为130亿美元,如今五年过去,这一数值已经达到了287亿美元。然而这仅仅据三星半导体正式投产仅过去三年,这也仅仅是一期的产能。三星来之前,陕西的半导体产业年产值大约100多亿元,2016年陕西省半导体产业产值超过了500亿元。从国内的排名也从第八名一跃成为第四名,仅次于上海、北京和江苏。


据数据统计,截止今年年初,三星在西安的累计投资就已经超过了100亿美元,算上新增加的第二期投资,三星在西安的累计投资估计超过了250亿美元。


西安三星城


除此之外,三星的落户还带来了许多配套企业入驻,据统计目前已有美国空气化工、日本住友、华讯微电子等100多家上下游配套企业入驻,从而降低成本提高工艺。


★  高新区综合保税区 ★


西安高新综合保税区规划面积3.64平方公里,于2012年9月22日被国务院正式批准设立,2013年9月18日通过由海关总署牵头的国家10部委组成的联合组验收,2014年4月18日西安高新综合保税区封关运行。



这里将成为世界技术最先进的闪存芯片生产基地,将带动西安加速形成1000亿元以上年产值的世界电子信息产业新高地,正在为加快丝绸之路经济带桥头堡建设的古都西安,增添强劲的发展"芯动力"。存续千年的丝绸之路,如今已焕发出全新生命力,朝着"硅谷之路"、"数码之路"大踏步地前进


据了解,本次三星半导体二期再次花落西安,拟选址在西安市高新区综合保税区,将新增一条闪存芯片生产线,建成后预计产能规模为一期的2倍。预计陕西省、西安市近日将举行三星二期项目签约仪式。三星对于西安半导体厂的投资总共分为三期,第一期计划投资70亿美元(实际105亿美元),第二期计划投资100亿美元,第三期计划投资130亿美元。




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