硅时代将落幕？宽禁带半导体行业深度：SiC与GaN的兴起与未来【附PDF下载】

硅作为集成电路最基础的材料，构筑了整个信息产业的最底层支撑。人类对硅性能的探索已经非常成熟，然而一些固有的缺点却无法逾越，如光学性能、高压高频性能等。

与此同时所谓第三代半导体（宽禁带半导体）以其恰好弥补硅的不足而逐步受到半导体行业青睐，成为继硅之后最有前景的半导体材料。

我们推荐中泰证券的研究报告《宽禁带半导体行业深度：SiC与GaN的兴起与未来》，揭秘以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体的特点、优势和应用领域。内容包括：

一、硅的瓶颈与宽禁带半导体的兴起

Si 材料的历史与瓶颈

SiC/GaN:稳定爬升的光明期

二、SiC:极限功率器件的理想材料

SiC:极限功率器件的理想的材料

SiC 产业链:欧美占据关键位置

SiC 市场:汽车是最大驱动力

重要 SiC 企业梳理

三、GaN:5G 应用的关键材料

GaN:承上启下的宽禁带半导体材料

GaN 在电力电子领域与微波射频领域均有优势

GaN 产业链:海外企业为主，国内企业逐步涉足

GaN 市场:射频是主战场，5G 是重要机遇

重要 GaN 企业梳理

以下是完整报告（30页），在公众号回复“芯东西009”，可获取完整PDF下载。

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