半导体存储行业专题报告：国产化需求凸显，产业迎机遇

1、 存储器市场基本介绍

1 存储器占半导体市场规模的三分之一 

全球半导体市场跟随全球宏观经济呈现一定的波动性，2016 下半年至 2018 年初处于上行周期，2018 下半年至 2019 年行业处于下行周期，但是长期看，全球半导体市场需求呈现增长趋势，并于 2017 年突破 4000 亿美元。在整个半导体的市场中，存储占据约三分之一的市场规模，是半导体最大的细 分市场之一。

DRAM 和 Flash 运用最为广泛的存储器产品。根据工作方原理的不同，存储器主要分为随机访问存储 器（RAM）和只读存储器（ROM）。RAM 包括 DRAM、SRAM 等，DRAM 由于读写速度快兼具成本优势， 是目前计算机结构中内存储器的主流产品。ROM 可在断电之后依然保持数据的有效性，包括 PROM、 EPROM、EEPROM 等。Flash 是一种非易失性存储器，具有断电不丢失数据同时可以快速读取数据的 特点。NAND Flash 可以实现大容量存储，是目前外存储器的主流产品。

2 存储行业具有一定的周期性 

21 世纪以来，存储器产业经历四轮行业周期。存储产品高度标准化，用户粘性较弱，各大厂商主要 依靠价格竞争占领市场。存储器电路设计差异较小，设计成本较低但制造成本较高，是典型的规模 经济，大规模生产能够有效降低生产成本。目前，主要存储厂商的商业模式均为 IDM，属于典型的 重资产行业。因此与其他半导体行业相比，存储行业的周期性更强。从 2003 年至今，存储器行业出 现 4 轮明显的快速增长时期：2002-2007 年的互联网和功能机的普及、2009 年-2010 年海外智能手机的 普及、2013 年-2014 年国内智能手机的普及、2016 年-2018 年服务器市场带动。

2016 年下半年开始的景气上行推动新一轮供给扩张。2016 年下半年开始，存储器需求旺盛，各大厂 商供不应求，导致全年存储器价格上涨。根据 DRAMexchange 数据，2017 年第四季度 1600MHz 4GB DDR3 DRAM 价格达到 4.123 美元，64GB MLC NAND Flash 价格达到 4.764 美元。存储市场供给紧俏，价格抬升 主要厂商盈利向好，龙头厂商纷纷增加资本开支扩充产能。根据 IC insight 统计，2017 年全球主要厂 商 DRAM capex 达到 140 亿美元，同比增长 30%，NAND Flash、DRAM、SRAM 之本开支占据全年半导体 资本开支的 40%。

龙头厂商过度投资叠加终端需求乏力，存储价格持续下滑。2018 年，三星、SK 海力士、美光等存储 器厂商新增产线纷纷投产，市场供给明显增长。在需求端，2018 年下半年，智能手机创新乏力，换 机周期延长导致智能手机需求疲弱，存储器需求不及预期。供给持续放量、需求不及预期导致存储 器库存持续提升，拖累全球半导体行业。伴随着三星、SK 海力士、美光等存储器龙头厂商扩充产能 投产，以及终端需求乏力，存储价格持续下滑。根据 Garner 数据，从 2018 年第一季度开始，全球半 导体库存水位处于较高水平。截至 2019 年第二季度，1600MHz 4GB DDR3 DRAM 价格达到本轮低点 1.42 美元，较最高点降幅超 65.5%；64GB MLC NAND Flash 价格回落到 2.35 美元，较最高点回落 50.6%。

2 、DRAM 存储器

1 三种主流技术：DDR、LPDDR、GDDR

高读写速度、低功耗是 DDR DRAM 不断演进方向。当前市场主流的 DRAM 产品标准为双倍速率产品 （DDR）。早期 SDR DRAM 只能在 IO 时钟的上升沿或者下降沿读取数据，读取 DRAM 数据的频率和 IO 时钟一样，存储器数据访问速度受到较大的限制。DDR DRAM 可以在 IO 时钟上升沿和下降沿读取 数据，实现双倍速速的 DRAM 数据读取。相比于 SDR DRAM，DDR DRAM 需要在 DRAM bank 和数据输 出电路之间设立一个大小为 2n 的预取缓冲器。DDR2 DRAM 则是将预取缓冲区增加到 4n，同时使得 IO 时钟加倍，提高 DRAM 数据读取速度。DDR3 DRAM 采用同样的思路，将预期缓冲器提高到 8n，IO 时 钟再次加倍，IO 时钟变为 DRAM 内部时钟的 4 倍。DDR4 DRAM 则采用多组 bank 技术，每一个 bank 都 有自己的 8n 的预取缓冲器，通过一个多了服用从正确的组中选择输出，IO 速度可以再次加倍 DDR4 DRAM 的 IO 时钟可以达到内部时钟的 8 倍。DDR5 DRAM 则是采用 LPDDR4 的通道拆分技术，将 64 位 总线拆分成 2 个独立的 32 位通道，这样使得预取缓冲器可以达到 16n，预取缓冲器的增加使得我们 可以再次提高 IO 的时钟频率。总体而言，从 DDR DRAM 到 DDR5 DRAM 的发展过程中，预期缓冲区从 2n 增加到 16n，IO 时钟频率增长超过 16 倍，最大数据传输速度从 1.6GB/s 增长到 34.1GB/s；在功耗方 面，DDR DRAM 供电电压为 2.5V，而 DDR5 DRAM 降低到 1.1V，能够实现更低的能耗。

LPDDR DRAM 主要运用智能手机等移动终端市场。LPDDR 为低功耗双倍数据速率，目的是降低 DRAM 芯片的功耗，改善智能手机等移动设备的功耗水平。与 DDR DRAM 的不同，LPDDR DRAM 与处理器连 接更加紧密，缩短与处理器之间的导线距离，降低导线电阻，实现能耗的降低。存储器直接处理器 上方以 package-on-package 的形式越来越常见。小米 10 首次采用 12GB LPDDR5 内存芯片，将三星 12GB LPDDR5 产品 K3LK4K40BM-BGCN 和 Qualcomm Snapdragon 865（SM8250）以 package on package 形式封装 在一起。

LPDDR DRAM 和 DDR DRAM 的另一个区别主要体现在通道宽度上，LPDDR DRAM 没有固定的总线宽度， 目前最常见的为 32 位总线，总线位数更低，实现更低能量损耗。同时，LPDDR DRAM 采用更低的电 压，通过温控调整刷新、部分阵列自刷新、深度掉电状态等方式实现刷新操作的优化，大大降低 LPDDR DRAM 的待机功耗。

GDDR DRAM 主要针对图形处理等高带宽需求场景。GDDR DRAM 为图形两倍数据速率，主要运用在具 有高带宽需求的运用中，包括 GPU 等。与 DDR DRAM 相比，GDDR DRAM 的总线宽度更高，并且每个 芯片的数据读取总线直接连接到处理器中，不需要在固定的 64 位/32 位的总线上进行多路复用。DRAM 与处理器直接连接可以实现更高的 DRAM 内部工作的时钟频率，进一步提高 IO 工作频率，实现 DRAM 更高的存取速度。

从应用看，DRAM 可以分为标准型 DRAM、利基型 DRAM、mobile DRAM、绘图用 DRAM。标准 DRAM 主 要运用于 PC、NB、服务器等；mobile DRAM 主要为 LPDDR DRAM，智能手机、数码相机是其主要运用 场景；利基型 DRAM 主要运用于液晶电视、数字机顶盒、红蓝光播放器、网络通讯等产品。根据 DRAMExchange 数据，2018 年 mobile DRAM 市场规模为 420 亿美元，占 2018 年 DRAM 市场规模的占比达 到 42.5%。

2 DRAM 位元需求持续增长 

服务器单机 DRAM 装载量持续提升，带动服务器单机 DRAM 价值。5G 的增强移动带宽（eMBB）、高 可靠低时延（URLLC）、海量物联（MMTC）三大运用场景将催生物联网、车联网、AR/VR、超高清视 频等领域的发展。海量数据爆将对计算机计算能力带来挑战，以人工智能运用为例：深度学习网络 功能不断增强，网络深度不断加深，对计算机内存的需求量不断提升。根据 DRAMExchange 数据，2018 年全球服务器平均内存装载量为 145GB，预计 2021 年将达到 366GB，三年复合增长率达到 36.16%。

云计算、数据中心快速发展驱动服务器需求量。从需求上看，企业上云企业提高运营效率的必然途 径，也是未来大势所趋。云计算采用资源虚拟化技术，实现服务按需分配，能够有效提高服务器、 存储资源的使用效率有效降低企业的运营成本。根据 IDC 数据，2019 年全球云服务市场规模为 1653 亿美元，2022 年有望达到 2733 亿美元，三年复合增长率达到 18.25%。受全球疫情影响，远程办公、 云视频将加速云服务的渗透速度。从政策方面看，为对冲疫情对我国经济的影响加速我国经济转型， 3 月 4 日中共中央政治局常委会强调加快 5G 网络、数据中心的建设速度。根据 DRAMEchange 数据，1 座数据中心的大约可容纳 8000-15000 个服务器机柜、每个服务器机柜能够容纳多台服务器。根据 IDC 数据，2019 年第四季度全球服务器出货量达到 340 万台，同比增长 14%。国内方面，2024 年有望达 到 464 万台，5 年复合增长率达到 7.85%。根据赛迪顾问预测，2019 年至 2021 年国内服务器用 DRAM 市场规模复合增长率达到 31.60%。

智能手机单机 DRAM 位元配置持续提升。2018 年下半年以来，由于智能手机创新乏力，消费者换机 意愿减弱，全年智能手机出货量下滑拖累存储器市场。根据 IDC 统计，2018 年全球智能手机出货量 为 14.049 亿台,年同比下滑 4.1%。虽然智能手机进入存量博弈时代，但软件运用不断丰富推升消费者 对手机内存的需求，大内存成为各大终端厂商新型智能手机的卖点。根据 DRAMExchange 数据，2019 年全球智能手机平均 DRAM 容量约为 4.4GB，2020 年有望提升至 5GB，同比增长 13.6%。根据南亚科 数据，2019 年安卓阵营旗舰机 DRAM 装载量为 10-12GB。

5G 移动通讯技术落地运用将掀起新一轮换机热潮，智能手机有望重回正增长，DRAM 为受益核心半 导体元器件。与 4G 通信技术相比，5G 通信技术带来巨大的革新，5G 通信技术用户体验速度可达到 1Gbps，达到 4G 的 100 倍水平。5G 创新刺激消费者换机新需求，DRAM 为收益核心半导体元器件。根 据赛迪顾问数据，2019 年至 2021 年我国 mobile DRAM 市场规模复合增长率将达到 27.99%。

图形计算需求拉动 DRAM 位元增长。数据爆发带动人工智能、大数据产业发展，GPU 大量浮点运算 单元在并行运算中优势明显，GPU 广泛运用人工智能模型训练、图像处理等领域。显存作为临时存 放中间计算结果容器影响着整体运算速度，显卡高端产品的内存容量越大。其中英伟达高端显卡中， GeForce RTX2080TI 显存达到 11GB。我们从中关村在线数据也看出，显存容量和显卡售价成正相关。

利基型 DRAM 下游市场广泛。利基 DRAM 主要运用于机顶盒、智慧音箱、安防摄像机、智能手表等 可穿戴设备。未来在智能音箱、可穿戴设备的等带领下，利基 DRAM 有望维持稳定增长。根据美光 数据，2021 年全球 DRAM 需求量有望达到 1800 亿 GB。

3 DRAM 产能供给趋稳，技术升级持续推进 

供给端，各大厂商产能趋于稳定，行业库存持续去化。三星挪动部分 DRAM 生产线，将部分产能转 向图像传感器，DRAM 供给有所收缩，行业库存加速出清。根据 Trendforce 预测，2020 年第四季度 DRAM 产能 1370K WPM，其中三星为 485K WPM，占据全球产能的 36.13%。制程方面，三星、美光主要以 1y 纳米为主并逐渐转向 1Z 纳米，SK 海力士主要以 1X、1Y 为主，南亚科技主要量产 20 纳米，并逐步扩 大 1X 纳米产量，华邦主要以 38 纳米和 25 纳米为主。

DRAM 市场格局：三星、SK 海力士、美光三足鼎立，长期垄断 DRAM 市场。在市场格局方面，三星、 SK 海力士、美光把持着全球超过 95%的市场份额。根据 China Flash market 数据，2019 年三星电子占 据全球 DRAM 市场 45%的市场份额，SK 海力士在全球 DRAM 市场占比达到 29%；美光的市场份额达 到 21%，此外南亚科、华邦科技分别占据 3%、1%的市场份额。三大巨头占据 DRAM 行业 95%的市场 规模，前五大行业巨头占据 99%的市场规模。

典型重资产行业，赢家通吃，行业集中度不断提升。三星、SK 海力士、美光等行业巨头均采用 IDM 经营模式，公司严格把控设计、制造、封装等环节，能够快速响应市场需求、根据性能需求改进制 造工艺，有效降低生产成本，规模效应显著。从 2010 年至今，DRAM 行业集中度不断提升，2010Q3、 2010Q4 三星、SK 海力士、尔必达占据行业前三，前三强占据行业 76.3%、76.2%的市场份额；随着 2013 年美光以 20 亿美元价格收购尔必达，美光成为全球第三大 DRAM 厂商，2013 年第三季度占据全球 DRAM 的 26.2%市场份额，前三大厂商占据 91.8%的市场份额。2019 年三星、SK 海力士、美光占据行 业 95%的市场份额，DRAM 行业集中度不断提升。

3、 FLASH 存储器

1 Flash 存储器主要包括 NOR、NAND 

Flash 是将信息存储在浮栅晶体管的存储单元中。NOR Flash 单元是将存储单元的源漏极分别连接到字 线单元的源漏极，形成并联结构。NAND Flash 是将存储单元与漏极与字线的源极相连接，形成串联 结构。

NOR Flash 高可靠性、可以直接执行代码、低容量等特点。NOR Flash 能够提供大量的地址线来映射存 储器的地址范围，这使得随机访问和短读取时间有优势，这种优势使得 NOR Flash 成为执行代码的理 想选择。但是 NOR Flash 尺寸较大，每比特单元成本较高，NOR Flash 容量密度一般在 64Mb 到 2GBb 之间。NOR Flash 在擦除前需要先写入“0”，擦除和写入速度较慢。在可靠性方面，NOR Flash 具有 0 坏块的特点，在存储器使用寿命期间具有非常低的坏块积累，数据可靠性更高。

NAND Flash 的优点主要包括更小的单元尺寸和更快的写入和擦除速度。NAND 不允许随机访问，并且 需要通过 IO 映射或者间接读取的方式进行访问。因此在执行代码时，NAND Flash 一般需要与 DRAM 一起使用，即将代码映射到 DRAM 中执行。

2 NAND Flash 

根据存储单元可存放数据位数，NAND Flash 可以分为 SLC NAND、MLC NAND、TLC NAND、QLC NAND。SLC NAND（Single-Layer cell NAND）1 存储器单元只能存放 1 比特数据，电路实现相对简单，电路可靠 性仅次于 NOR Flash，但存储密度低。MLC-NAND（Multi-Level Cell NAND）1 存储器单元能存放 2 比特数 据，电路可靠性比 SLC 低。TLC NAND（Trinary-Level Cell）1 单元能够存储 3 比特数据，存储器的可靠 性快速较低，但存储成本相对较低。QLC NAND（4 bits NAND）能够存储四单元，存储密度更高，能 够实现较低的单位存储成本。

3D NAND Flash 能够有效提高存储器密度，降低生产成本。2D NAND 依靠工艺技术、器件改进提升 NAND Flash 性能，但当 2D NAND Flash 尺寸微缩到十几纳米一下是，信号串扰等问题困扰 2D NAND Flash 进 一步发展，同时技术微缩带来成本快速攀升。3D NAND Flash 能够有效的实现 Flash 比特密度大的提升 和位成本的降低。根据三星电子数据，16 纳米 2D NAND Flash 比特密度为 1.11Gb/mm2，而 32 层、48 层 3D NAND Flash 容量密度则可以达到 1.86Gb/mm2、2.56Gb/mm2。在成本方面，32 层 3D NAND Flash 每 比特成本比 16 纳米 2D NAND Flash 降低 30%。

需求端：当前 NAND Flash 的驱动力主要来自于移动终端、消费级 SSD、企业级 SSD。NAND Flash 下 游主要包括数据中心、消费电子、移动通信、汽车、工业等领域。传统磁存储机械硬盘（HDD）主 要通过磁盘记录信息，相比于 HDD，SSD 主要由 NAND Flash 和驱动电路构成，具有读写速度快等优 点，是当前大数据运用背景下的最优选择。

云服务快速兴起，国内数据中心投资快速增长，企业级 SSD 市场进一步扩容。2018 年全年我国数据 中心投资额保持高速增长，国内企业级 SSD 市场快速增长。根据 China Flash market 数据，2018 年国内 企业级 SSD 需求量达到 596.82 亿 GB，同比增长 77.67%，2019 年达到 715.30 亿 GB，同比增长 20%。为对冲疫情对经济的冲击，国家大力推行新基建，加速数据中心的建设，SSD 市场有望迎来进一步 扩张，根据 China Flash market 预测，2020 年我国企业级 SSD 需求有望达到 961.20 亿 GB，较 2019 年增 长 34.37%。

智能手机功能、应用持续升级，单机存储容量持续提升。智能手机功能持续升级，5G 网络的发展将 进一步推动智能手机应用增多，因此单机内存容量配置也将持续提升。根据 China Flash Market 数据， 2019 年我国消费级 SSD 市场规模达到 80241 亿 GB，同比增长 72.88%，2020 年有望达到 1310.79 亿 GB， 同比增长 63.33%。

各大厂商减少资本开支、削减产能，供需失衡趋缓。2018 年 NAND Flash 供给过剩，NAND 价格全面下 滑，韩系厂商三星、SK 海力士减少资本开支。根据 DRAMExchange 数据，2018 年 NAND Flash 资本开 支下调近 10%，2019 年美国厂商减少资本开支，2019 年 NAND Flash 资本开支较 2018 年下滑 2%。各大 供应商纷纷调整扩产计划，供需失衡的局面趋于缓解。根据 DRAMExchange 数据，2019 年第四季度 NAND Flash 整体位元出货季增长 10%，NAND Flash 供应商库存水位趋于正常水平，价格开始企稳。

三星、KIOXIA、西部数据、美光、英特尔、SK 海力士垄断 NAND Flash 市场。NAND Flash 行业集中度 依然较高，行业巨头三星、KIOXIA、西部数据、美光、英特尔、SK 海力士凭借自身资金、成本、技 术等方面优势长期占据 NAND Flash 市场。根据 DRAMExchange 数据，2019 年第四季度三星 NAND Flash 营收达到 44.51 亿美元，占据全球 35.5%的市场份额；KIOXIA NAND Flash 营收达 23.4 亿美元，占据全 球 NAND Flash 的 18.7%的市场份额；西部数据 NAND Flash 营收达 18.38 亿美元，占比达到 12.7%；英特 尔 NAND Flash 营收为 12.17 亿美元，占据 9.7%；SK 海力士营收 12.07 亿美元，占据 9.6%。全球前三大 厂商占据 68.9%的市场份额，前 6 大厂商占据 99.4%的市场份额。

国内 NAND Flash 产业仍处于起步阶段，但半导体的国产化需求有望推动产业发展。国内长江存储于 2018 年实现 32 层 3D NAND Flash 的小规模量产，2019 年实现 64 层 3D NAND Flash 的量产。根据 TrendForce 报告，长江存储已于 2020 年一季度将 128 层 3D NAND 样品送交存储控制器厂商，预计三季度将进入 投片，年底前量产，拟用于 UFS、SSD 等各类终端产品，并同时出货给模块厂。

3 NOR Flash 

NOR Flash 可以分为并行 NOR Flash 和串行 NOR Flash 两种。串行的 NOR Flash 接口相对简单，具备功 耗、成本等方面优势，是目前 NOR 市场的主流。NOR Flash 具备芯片内执行特点，CPU 可以直接在 NOR Flash 上执行代码，不需要读取到 RAM 中执行。相比于 NAND Flash 存在坏块等问题，NOR Flash 的可靠性更高，在 1~16Mb 小容量存在具备成本优势。NOR Flash 对先进节点的要求较低，一般采用 55 纳米和 65 纳米为主。NOR Flash 擦除和写入需要先写入 0，擦除和读写速度较慢，但 NOR Flash 读 取速度远胜于 NAND。因此 NOR Flash 主要用于功能手机、电视、机顶盒、USB key 等小容量运用场景， AMOLED、TDDI、TWS、汽车电子等新需求将为 NOR Flash 市场带来新的增长机会。

AMOLED 渗透率持续提升，为 NOR Flash 市场带来新需求动能。AMOLED 面板技术门槛较高，批量生 产良率不一致，AMOLED 亮度均匀性和残差成为 AMOLED 两大难题，AMOLED 需要通过外部电路感知 像素的电学特性和光学特性然后进行相应的补偿，当前 De-mura 编码电路整合入驱动电路成本过高， 因此需要外挂一颗 8Mb(Full HD )或者 32Mb(QHD)的 NOR Flash 芯片，NOR Flash 价值在 0.2 美元-0.4 美元 之间。AMOLED 具备自发光、色彩细腻、亮度范围广等优点，能够实现更轻薄、驱动电压更低等优点， AMOLED 成为未来消费电子显示重要选择。2017 年 iPhone 开始使用 AMOLED 显示屏，安卓手机阵营逐 步跟进，未来 AMOLED 在智能手机中的渗透率将会快速提升，NOR Flash 作为不可或缺的零部件将从 中受益。根据 countpoint 预测，2020 年使用 AMOLED 的智能手机有望达到 6 亿部，同比增长 46%。因 此，预计 AMOLED 将拉动 1.2 亿美元-2.4 亿美元的 NOR Flash 市场规模。

TWS 成为 NOR Flash 需求增长点。TWS 无线耳机为了支持蓝牙连接和改善声学特性，TWS 耳机需要将 更多的固件存储在 NOR Flash 中，使用 NOR Flash 协助运算。根据拆机，新一代苹果 AirPods 搭载 128MB NOR Flash、三星 TWS 耳机 Galaxy Buds 搭载 64Mb NOR Flash。苹果推出新款 AirPods 具备心率监测、降 噪等新功能，对存储要求进一步提升，有可能搭载 256MB NOR Flash。2016 年苹果推出第一代 TWS 无线耳机以来，三星、索尼、华为、小米等安卓阵营产商快速跟进，纷纷发布 TWS 无线耳机新产品， TWS 无线耳机市场快速发展。2016/2017/2018 全球 TWS 出货量分别为 918 万副、2000 万副、4600 万副， 复合增长率达到 124%。根据 Countpoint 预测，2020 年全球 TWS 耳机出货量有望达到 2.3 亿副，同比增 长 90%。作为 TWS 耳机核心元器件，NOR Flash 厂商成为 TWS 耳机快速发展的受益者。根据智研咨 询预测，2020 年 TWS 有望为 NOR Flash 带来 3.9 亿美元的市场空间，2021 年将达到 5.8 亿美元，同比 增长 48.7%。

汽车智能化推动高端、高容量 NOR Flash 市场快速发展。汽车智能化发展使得汽车需要更多的运行程 序，单车 NOR Flash 需求量持续提升。NOR Flash 从车用广播开始走向车用市场，因其快速启动、高 可靠性、持久性强、低容量下成本较低等优点，NOR Flash 快速向车载显示等车用领域扩展。NOR Flash 的使用量也从车载广播的 1MB 提升到了车载显示 12MB 以上，甚至达到 1GB。用于 ADAS 的后视摄像 头也需要仪表盘能快速启动，ADAS 的光达（Lidar）都将内建一个 NOR Flash 控制内部各种功能。此 外自动紧急刹车系统（AEB）、胎压侦测器（TPMS）、道路偏移警示等 ADAS 系统均带动车规级 NOR Flash 需求提升。相比于消费级 NOR Flash，车规级 NOR Flash 的可靠性要求、稳定性要求更为严苛， 价值量更高。汽车智能化快速发展，ADAS 系统在汽车中渗透率快速提升，车规级 NOR Flash 需求快 速增长，未来汽车电子 NOR Flash 市场空间有望超过百亿人民币，成为 NOR Flash 最重要的分支市场。

NOR Flash 同样广泛存在于无线基站，5G 基站拉动 Nor 需求。与 NAND Flash 相比，NOR Flash 可以实 现 SOC 和 FPGA 快速、可靠地启动，因此在 NOR Flash 主要用于 SOC、FPGA 的固件镜像的存储，主 要用于无线基站的 AU 和 CU 中。5G 基站中需要的 NOR Flash 需要在 1GB 以上，工作温度范围宽广。未来全球 5G 基站快速建设快速进行，基站用 NOR Flash 需求量将迎来快速增长。除此之外工业、医 疗等领域的发展也将成为 NOR Flash 的驱动力。

NOR Flash 市场规模相对较小，但仍具有一定的不可替代性。NOR Flash 具备芯片内执行特点，可靠性 更高，在小容量存在具备成本优势。因此，在软件运用相对简单的功能机时代，NOR 占据 Flash 大部 分市场。近年，随着功能机出货企稳及 AMOLED、TDDI、TWS、ADAS 等新需求的崛起，NOR Flash 市 场开始企稳回升。根据智研咨询数据，2018 年 NOR Flash 市场规模转减为增，全年 NOR Flash 市场规 模达到 25.96 亿美元，同比增长 7.67%。未来随着 AMOLED、TDDI、TWS 耳机、ADAS 等需求的放量， NOR Flash 有望迎来新一轮上行周期，根据智研咨询数据，2022 年 NOR Flash 市场规模有望达到 37.24 亿美元，复合增长率达到 9.44%。

Nor 市场相对分散，是国产化程度最高的存储子领域。NOR Flash 市场规模小，美光、Cypress 相继退 出中低端市场，重点布局高端高容量车规级 NOR Flash。Cypress 推出 Semper NOR Flash 系列产品，主 要运用于汽车的 ADAS 等领域；美光也推出相应高端车用 NOR Flash 产品。根据 CINNO 数据，2019 第 三季度年华邦占据全球 NOR Flash 26%的市场规模，宏旺占据 23%，兆易创新占据 18%，Cypress 占据 15%市场规模。

4 全球主要存储厂商分析（详见报告）

• 三星

• SK 海力士 

• 美光

• 长江存储

• 合肥长鑫

• 福建晋华

……

（报告观点属于原作者，仅供参考。报告来源：中银债券）

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