半导体学报2020年第10期目次
REVIEWS
Silicon photonic transceivers for application in data centers
Haomiao Wang, Hongyu Chai, Zunren Lv, Zhongkai Zhang, Lei Meng, Xiaoguang Yang, Tao Yang
J. Semicond. 2020, 41(10): 101301
ARTICLES
Study of electrophysical properties of metal–semiconductor contact by the theory of complex systems
Sh. G. Askerov, L. K. Abdullayeva, M. G. Hasanov
J. Semicond. 2020, 41(10): 102101
Guoping Luo, Yingmei Bian, Ruifeng Wu, Guoxia Lai, Xiangfu Xu, Weiwei Zhang, Xingyuan Chen
J. Semicond. 2020, 41(10): 102102
Nanoflower ZnO thin-film grown by hydrothermal technique based Schottky diode
Ghusoon M. Ali, Ahmed K. Khalid, Salah M. Swadi
J. Semicond. 2020, 41(10): 102103
Effect of microstructure of Au80Sn20 solder on the thermal resistance TO56 packaged GaN-based laser diodes
Hao Lin, Deyao Li, Liqun Zhang, Pengyan Wen, Shuming Zhang, Jianping Liu, Hui Yang
J. Semicond. 2020, 41(10): 102104
Design, modelling, and simulation of a floating gate transistor with a novel security feature
H. Zandipour, M. Madani
J. Semicond. 2020, 41(10): 102105
Design of CMOS active pixels based on finger-shaped PPD
Feng Li, Ruishuo Wang, Liqiang Han, Jiangtao Xu
J. Semicond. 2020, 41(10): 102301
Elyes Garoudja, Walid Filali, Slimane Oussalah, Noureddine Sengouga, Mohamed Henini
J. Semicond. 2020, 41(10): 102401
doi: 10.1088/1674-4926/41/10/102401
A snapback-free and high-speed SOI LIGBT with double trenches and embedded fully NPN structure
Chenxia Wang, Jie Wei, Diao Fan, Yang Yang, Xiaorong Luo
J. Semicond. 2020, 41(10): 102402
Wireless communication and wireless power transfer system for implantable medical device
Zhang Zhang, Chao Chen, Tairan Fei, Hao Xiao, Guangjun Xie, Xin Cheng
J. Semicond. 2020, 41(10): 102403
A 0.5–3.0 GHz SP4T RF switch with improved body self-biasing technique in 130-nm SOI CMOS
Hao Zhang, Qiangsheng Cui, Xu Yan, Jiahui Shi, Fujiang Lin
J. Semicond. 2020, 41(10): 102404
Defect levels in d-electron containing systems: Comparative study of CdTe using LDA and LDA + U
Yuan Yin, Yu Wang, Guangde Chen, Yelong Wu
J. Semicond. 2020, 41(10): 102701
Suppression of oxygen and carbon impurity deposition in the thermal system of Czochralski monocrystalline silicon
Jing Zhang, Ding Liu, Yani Pan
J. Semicond. 2020, 41(10): 102702
4H-SiC trench MOSFET with an integrated Schottky barrier diode and L-shaped P+ shielding region
Xiaorong Luo, Ke Zhang, Xu Song, Jian Fang, Fei Yang, Bo Zhang
J. Semicond. 2020, 41(10): 102801
Investigation of current collapse and recovery time due to deep level defect traps in β-Ga2O3 HEMT
R. Singh, T. R. Lenka, R. T. Velpula, B. Jain, H. Q. T. Bui, H. P. T. Nguyen
J. Semicond. 2020, 41(10): 102802
doi: 10.1088/1674-4926/41/10/102802
目录推荐
《半导体学报》简介：
《半导体学报》是中国科学院主管、中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物，1980年创刊，首任主编是王守武院士，黄昆先生撰写了创刊号首篇论文，2009年改为全英文月刊Journal of Semiconductors（简称JOS），同年开始与IOPP英国物理学会出版社合作向全球发行。现任主编是中科院副院长、国科大校长李树深院士。
2016年，JOS被ESCI收录。
2019年，JOS入选“中国科技期刊卓越行动计划”。
“中国半导体十大研究进展”推荐与评选工作简介：
《半导体学报》在创刊四十年之际，启动实施 “中国半导体年度十大研究进展”的推荐和评选工作，记录我国半导体科学与技术研究领域的标志性成果。以我国科研院所、高校和企业等机构为第一署名单位，本年度公开发表的半导体领域研究成果均可参与评选。请推荐人或自荐人将研究成果的PDF文件发送至《半导体学报》电子邮箱：jos@semi.ac.cn，并附简要推荐理由。被推荐人须提供500字左右工作简介，阐述研究成果的学术价值和应用前景。年度十大研究进展将由评审专家委员会从候选推荐成果中投票产生，并于下一年度春节前公布。
JOSarXiv预发布平台简介：
半导体科技发展迅猛，科技论文产出数量逐年增加。JOSarXiv致力于为国内外半导体领域科研人员提供中英文科技论文免费发布和获取的平台，保障优秀科研成果首发权的认定，促进更大范围的学术交流。JOSarXiv由《半导体学报》主编李树深院士倡导建立，编辑部负责运行和管理，是国内外第一个专属半导体科技领域的论文预发布平台，提供预印本论文存缴、检索、发布和交流共享服务。
JOSarXiv于2020年1月1日正式上线（http://arxiv.jos.ac.cn/），通过《半导体学报》官网（http://www.jos.ac.cn/）亦可访问。敬请关注和投稿！
半导体学报公众号
微信号 : JournalOfSemicond
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